Головна Головна -> Курсові роботи українською -> Технічні науки -> Технологія формування та вимірювання параметрів силіцидних плівок для структур ВІС

Технологія формування та вимірювання параметрів силіцидних плівок для структур ВІС

Назва:
Технологія формування та вимірювання параметрів силіцидних плівок для структур ВІС
Тип:
Курсова робота
Мова:
Українська
Розмiр:
45,18 KB
Завантажень:
158
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27 
Курсова робота
Технологія формування та вимірювання параметрів силіцидних плівок для структур ВІС


Зміст
Вступ................................................................................4
Розділ 1. Властивості, застосування силіцидів і методи утворення тонких плівок...............................6
1.1Фізико-хімічні властивості силіцидів.....................6
Розділ 2. Основні методи формування силіцидних і поліцидних плівок.........................................................13
2.1Термоіонне осадження силіцидних плівок………_
Плазмохімічне травлення силіцидних і поліцидних міжз’єднань……………………………._
2.3 Формування плівок металу на кремнію…………._
2.4 Одночасне нанесення компонентів кремнію........._
2.5 Напилення дисиліцидної мішені............................._
2.6 Магнетронне напилення..........................................._
2.7 Метод випаровування..............................................._
2.8 Нанесення силіциду із газової фази........................._
2.9 Термічна обробка для утворення силіциду..........._
2.10 Нанесення кремнію при іонній імплантації.........._
Розділ 3. Контроль електрофізичних параметрів і технологічних режимів нанесення плівок при формуванні структур ВІС.............................................._
3.1 Вимірювання товщини плівок................................._
3.2 Вимірювання електричного опору плівок і його залежність від температури..........................................._
3.3 Вимірювання адгезії, конфомності осаджування силіцидних плівок..........................................................._
3.4 Вимірювання швидкості нанесення плівок............_
3.5 Вимірювання напружень, термічного коефіцієнта розширення......................................................................_
3.6 Вимірювання швидкості окислення і травлення силіцидних плівок..........................................................._
Розділ 4. Тестовий контроль для параметричної оптимізації структур......................................................._
4.1 Тестова структура Ван-дер-Пау.............................._
4.2 Комбінована тестова структура..............................._
4.3 Тестова структура для оцінки зсуву між двома провідними топологічними шарами.............................._
4.4 Спектрометрія силіцидних та поліцидних тонких плівок структур ВІС......................................................._
4.5 Електрофізичне діагностування надійності ВІС субмікронної технології.................................................._
Розділ 5. Економічна частина ......................................_
Розділ 6. Охорона праці і техніка безпеки...................._
Висновки........................................................................._
Список використаної літератури..............................._


Вступ
Можливість застосування силіцидів при виготовленні напівпровідникових приладів і мікросхем визначається не тільки необхідністю забезпечити потрібну якість затворів і контактних з'єднань, але і для співпадання зрештою технологічних сценаріїв. Базовими процесами інтеграції елементів транзисторних інтегральних схем є створення міжз‘єднань і отримання малюнка за допомогою плазмохімічного травлення нанесених шарів.
Традиційна транзисторна мікроелектроніка підійшла до фізичних і технологічних меж. Виникла проблема створення наноелементів, необхідно зменшити витрати енергії на нагрівання елементів.
Для досягнення цієї мети необхідно вводити нові методи виготовлення і технологій. Важливу роль відіграє і матеріал з якого виготовляють МДН ВІС: вони мають бути дешеві і витрати енергії на їх обробку теж мають бути мінімальними.
Економічність—елемент який визначає кінцевий вибір того чи іншого рішення.
Для досягнення цієї мети було досліджено велику кількість хімічних елементів і їх сполук (W, Si, P, Ge та ін.) (розділ 1.1). У даній роботі описано властивості елементів в нанотехнології. Подано властивості силіцидів та їх основні параметри, а також методи їх дослідження і технологічного контролю.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24  25  26  27 



Курсова робота на тему: Технологія формування та вимірювання параметрів силіцидних плівок для структур ВІС

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок