Головна Головна -> Курсові роботи українською -> Технічні науки -> Методи дослідження та технологія створення омічних контактів

Методи дослідження та технологія створення омічних контактів

Назва:
Методи дослідження та технологія створення омічних контактів
Тип:
Курсова робота
Мова:
Українська
Розмiр:
22,00 KB
Завантажень:
305
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Курсова робота
Методи дослідження та технологія створення омічних контактів


АНОТАЦІЯ
При здійсненні технології виготовлення сучасних інтегральних мікросхем головну увагу перш за все слід приділяти аналізу основних, найістотніших класів технологічних процесів. До таких процесів відносяться механічна, механічно-хімічна, фізична, хімічна, електрохімічна і фотохімічна обробка поверхні напівпровідників, формування електронно-діркових структур (епітаксія, дифузія, іонна імплантація), методи створення омічних контактів до приладів, захист поверхні напівпровідникових приладів і стабілізація її властивостей.
План
Вступ 4
Контактні явища в напівпровідниках 5
Робота виходу 5
Контакт метал-напівпровідник 6
Методи дослідження параметрів поверхні напівпровідника 14
Визначення питомого опору зразка за його повним опором 14
Методи вимірювання роботи виходу 20
Фотоелектронні методи 23
Вібраційний метод 24
Методи визначення поверхневої електропровідності 25
Омічні контакти та контактні системи 31
Контактні матеріали і види контактних систем 32
Методи формування омічних контактів і контактних систем 37
Створення омічних контактних систем на основі алюмінію 40
Створення контактних систем на основі інших матеріалів 41
Висновки 43
Література 44
Вступ
Основні властивості напівпровідникових матеріалів обумовлюють широке технічне застосування для виготовлення найрізноманітніших пристроїв ? напівпровідникових діодів, транзисторів, тиристорів, фотодіодів, фототранзисторів, світлодіодів, напівпровідникових лазерів, а також датчиків тиску, магнітних полів, температур, випромінювань та ін. Використання напівпровідників викликало корінні зміни в кібернетиці, автоматиці, телемеханіці. Напівпровідникова електроніка відкрила нові шляхи мікромініатюризації електронного обладнання.
Швидкий розвиток мікроелектроніки приводить до необхідності розробки нових і вдосконалення існуючих технологічних процесів виробництва дискретних напівпровідникових приладів і інтегральних мікросхем. При підготовці фахівців в області напівпровідникової технології головну увагу перш за все слід приділяти аналізу основних, найістотніших класів технологічних процесів, які є спільними у виробництві різних типів напівпровідникових приладів і мікросхем. До таких процесів відносяться механічна, механічно-хімічна, фізична, хімічна, електрохімічна і фотохімічна обробка поверхні напівпровідників, формування електронно-діркових структур (епітаксія, дифузія, іонна імплантація), методи створення омічних контактів до приладів, захист поверхні напівпровідникових приладів і стабілізація її властивостей. Саме такий принцип і встановлений в основу даної роботи.
1. Контактні явища в напівпровідниках
1.1. Робота виходу
Електрон утримується в твердому тілі за рахунок електростатичних сил. Для подолання цих сил і виходу за межі твердого тіла електрону необхідно виконати деяку роботу.
Нехай Wа є мінімальна енергія, володіючи якою електрон може покинути тверде тіло. При цьому швидкість його зовні твердого тіла дорівнює нулю.
Роботою виходу називають роботу, яка необхідна для переходу електрона з рівня Фермі на рівень Wа (рис. 1.1). Рівень Фермі в якості початкового вибраний не випадково. Якщо, наприклад, з металу видалити електрони з енергіями, що лежать нижче рівня Фермі, то електрони, що володіють більшою енергією, переходитимуть на нижчі рівні що звільнилися, і метал нагріватиметься за рахунок енергії що вивільнилась, тобто частина роботи піде на нагрівання металу. Якщо видалити електрони з енергіями, що лежать вище рівня Фермі, то при цьому рівновага електронів також буде порушена і частину рівнів, що звільнилися, займуть електрони, що володіють меншою енергією. В процесі цього метал охолодиться і частина роботи по видаленню електрона з металу буде виконана за рахунок його внутрішньої енергії.
Рис. 1.1. Енергетична діаграма роботи виходу з напівпровідника: а ? власного; б ? електронного; в ? діркового
Те ж саме відбувається в напівпровідниках. Проте картина тут ускладнюється ще і тим, що енергія, необхідна для видалення з напівпровідника електрона зони провідності істотно відрізняється від енергії, необхідної для видалення електрона валентної зони або домішкового рівня.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Курсова робота на тему: Методи дослідження та технологія створення омічних контактів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок