Головна Головна -> Реферати українською -> Біографії, автобіографії, особистості -> Нобелівський лауреат Герберт Кремер (Kroemer) за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній електроніці й оптоелектроніці рік народження: 1928 р.

Нобелівський лауреат Герберт Кремер (Kroemer) за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній електроніці й оптоелектроніці рік народження: 1928 р.

Назва:
Нобелівський лауреат Герберт Кремер (Kroemer) за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній електроніці й оптоелектроніці рік народження: 1928 р.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
1,62 KB
Завантажень:
24
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Реферат на тему:
Нобелівський лауреат Герберт Кремер (Kroemer)


за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній електроніці й оптоелектроніці
рік народження: 1928 р.
Американський фізик Г.Кремер народився 1928 р. Свою докторську дисертацію він захистив 1952 р. у Гетінгенському університеті. Працював у багатьох інститутах і лабораторії компанії “RCA” в Принстоні. Г.Кремер – професор фізики спочатку в Університеті штату Колорадо (1968–1976), потім – у Каліфорнійському університеті. 1963 р. Г.Кремер незалежно від Ж.Алфьорова і Р.Казарінова розробив конструкцію інжекторного лазера для подвійної гетероструктури біополярного транзистора. 2000 р. Кремеру разом з Алфьоровим було присуджено Нобелівську премію з фізики “за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній електроніці й оптоелектроніці”. Сфера застосування винаходу дуже широка. Так, високочастотні транзистори на основі гетероструктур працюють у лініях супутникового зв'язку. Діодні лазери на гетероструктурах керують потоками інформації у волоконно-оптичних кабелях системи Інтернет, у програвачах на компакт-дисках, лазерних принтерах. Світловипромінювальні діоди на гетероструктурах замінили лампи розжарювання у світлофорах. Нині розпочалося впровадження гетеролазерів на так званих гетероструктурах іншого роду, в яких електрони і дірки просторово рознесені (In As–GaAs–A ISB). Перспективність таких структур Кремер визначив у своїх роботах 80-х років. Нині Кремер займається гетероструктурами “напівпровідник–надпровідник”, досліджуючи надпровідність системи електронів квантової ями In As–A ISB на контакті з надпровідним ніобієм. Дослідження напівпровідникових гетеростурктур триває. Отримано ряд таких важливих фундаментальних результатів, як спостереження бозеконденсації екситонів, блохівських осциляцій електричного струму. Багато зроблено для розв’язання задач функціональної електроніки, зроблено перші кроки в створенні елементної бази квантового комп'ютера. Конкретна заслуга Кремера в цій галузі полягає в пропозиції змінювати сполуку напівпровідникової сполуки з координатою так, щоб плавно змінювати електронні характеристики, наприклад, величину Eg. Виникнуте при цьому “квазіелектричне” поле, на відміну від зовнішнього і внутрішнього електричних полів p-n переходу, може рухати електрони і дірки в єдиному напрямі. Це знайшло широке застосування на гетероструктурах.


Література:
Альфред Нобель. Шведський інститут, 2004 р.
Нобелівська премія перші 100 років.
Альфред Нобель і Нобелівські премії.

Завантажити цю роботу безкоштовно



Реферат на тему: Нобелівський лауреат Герберт Кремер (Kroemer) за розроблення напівпровідникових гетероструктур, використовуваних у високочастотній електроніці й оптоелектроніці рік народження: 1928 р.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок