Головна Головна -> Реферати українською -> Біографії, автобіографії, особистості -> Нобелівський лауреат Лео Есакі (Esaki) за експериментальні відкриття тунельних явищ у напівпровідниках і надпровідниках рік народження: 1925 р.

Нобелівський лауреат Лео Есакі (Esaki) за експериментальні відкриття тунельних явищ у напівпровідниках і надпровідниках рік народження: 1925 р.

Назва:
Нобелівський лауреат Лео Есакі (Esaki) за експериментальні відкриття тунельних явищ у напівпровідниках і надпровідниках рік народження: 1925 р.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
1,35 KB
Завантажень:
402
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Реферат на тему:
Нобелівський лауреат Лео Есакі (Esaki)


за експериментальні відкриття тунельних явищ у напівпровідниках і надпровідниках
рік народження: 1925 р.
Японський фізик Л.Есакі народився в м.Осака 12 березня 1925 р. в родині архітектора. Він навчався в Токійському університеті, по закінченні якого 1947 р. одержав ступінь магістра наук. Декілька років працює в корпорації «Кобе Когіто», а 1956 р. переходить до корпорації «Соні» у Токіо, де очолює невеличку дослідницьку групу. Працюючи над докторською дисертацією, Есакі вирішив перевірити ефект тунелювання на напівпровідниках. У процесі дослідження йому вдалося створити діоди з дуже високими концентраціями домішок. Тим самим були створені діоди з надвузькими переходами і високою можливістю тунелювання. Есакі довів, що електричні характеристики таких діодів узгоджені з положеннями квантової механіки. Загалом основні дослідження Есакі відносяться до фізики твердого тіла, напівпровідникової електроніки, надпровідності, тунелювання, магнетизму. Він експериментально відкрив процес тунелювання в напівпровідниках і сконструював тунельний діод, виявив наявність інтенсивного зростання магнітоопору за визначеного показника електричного поля («ефект Есакі»), дослідив енергетичний надпровідний отвір в напівпровідниках. Ефект тунелювання дав змогу вивчити властивості й поводження напівпровідників і надпровідників. Есакі написав докторську дисертацію про явища тунелювання в напівпровідниках й 1959 р. одержав учений ступінь доктора наук в Токійському університеті. Цього ж року він став співробітником дослідницьких лабораторій корпорації «Інтернейшнл бізнес машинс» (ІБМ) у США, де провадив дослідження з фізики напівпровідників. 1965 р. Есакі стає членом ІБМ, досягнувши високого положення в науковій ієрархії фірми. Працюючи в ІБМ, він приступив до досліджень напівпровідникових суперграток. Есакі одержав Нобелівську премію з фізики 1973 р. разом з Айваром Джайєвером та Б.Д.Джоферсоном «за експериментальні відкриття тунельних явищ у напівпровідниках і надпровідниках».


Література:
Альфред Нобель. Шведський інститут, 2004 р.
Нобелівська премія перші 100 років.
Альфред Нобель і Нобелівські премії.

Завантажити цю роботу безкоштовно



Реферат на тему: Нобелівський лауреат Лео Есакі (Esaki) за експериментальні відкриття тунельних явищ у напівпровідниках і надпровідниках рік народження: 1925 р.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок