Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ КРИСТАЛІВ З ВЕЛИКОЮ ГУСТИНОЮ ПЛАНАРНИХ ДЕФЕКТІВ МЕТОДОМ ПОВНОПРОФІЛЬНОГО АНАЛІЗУ ДИФРАКТОГРАМ

ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ КРИСТАЛІВ З ВЕЛИКОЮ ГУСТИНОЮ ПЛАНАРНИХ ДЕФЕКТІВ МЕТОДОМ ПОВНОПРОФІЛЬНОГО АНАЛІЗУ ДИФРАКТОГРАМ

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ КРИСТАЛІВ З ВЕЛИКОЮ ГУСТИНОЮ ПЛАНАРНИХ ДЕФЕКТІВ МЕТОДОМ ПОВНОПРОФІЛЬНОГО АНАЛІЗУ ДИФРАКТОГРАМ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,72 KB
Завантажень:
187
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ МЕТАЛОФІЗИКИ ім. Г.В.Курдюмова
На правах рукопису
УДК 539.26
БУДАРІНА Наталія Миколаївна
ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ КРИСТАЛІВ
З ВЕЛИКОЮ ГУСТИНОЮ ПЛАНАРНИХ ДЕФЕКТІВ
МЕТОДОМ ПОВНОПРОФІЛЬНОГО АНАЛІЗУ ДИФРАКТОГРАМ
Спеціальність 01.04.13 – фізика металів
Автореферат дисертації на здобуття вченого ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2003
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України.
Науковий керівник: д.ф.-м.н., проф. Устінов Анатолій Іванович, Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, м. Київ,
гол. н. с. відділу будови і властивостей твердих розчинів
Офіційні опоненти: д.ф.-м.н., проф. Куліш М.П., фізичний факультет, Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка
зав. кафедрою фізики функціональних матеріалів;
д.ф-м.н., ст.н.с. Рябошапка К.П., Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України, м. Київ,
пров.н.с. відділу теорії неідеальних кристалів
Провідна організація: Інститут проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича, м. Київ
Захист відбудеться 28 травня 2003 р. о 14.00 годині на засіданні Спеціалізованої вченої ради Д 26.168.01 Інституту металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України за адресою: 03142, м. Київ, бульвар Вернадського, 36, ІМФ ім. Г.В. Курдюмова НАН України.
Відгуки на автореферат, завірені печаткою закладу, у двох примірниках, просимо надсилати за адресою: 03680, ГСП, Київ-142, Інститут металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України. Вченому секретарю Спец. ради д.ф.-м.н. Піщаку В.К., тел.: (044) 444-95-60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту металофізики ім. Г.В. Курдюмова НАН України.
Автореферат розісланий 25 квітня 2003 р.
Вчений секретар Спеціалізованої ради
доктор фіз.-мат. наук Піщак В.К.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Високоенергетичні процеси обробки металів та сплавів, такі як механічне подрібнення та легування, екструзія, тощо, знаходять широке застосування на практиці. Встановлення кореляції між структурними характеристиками, фізичними властивостями і технологічними параметрами одержання та обробки матеріалів необхідні для побудови фізичних уявлень про процеси, що розвиваються при цьому. Складність вирішення цієї задачі полягає в тому, що високоенергетичні процеси призводять до появи значної кількості дефектів кристалічної будови. Для металів і сплавів, що характеризуються низькою енергією дефектів пакування, значну частину дефектів складають планарні дефекти (ПД), до яких перед усім відносяться дефекти пакування і двійникові границі. В ряді випадків густина планарних дефектів досягає близько 10 %, що може суттєво вплинути на властивості матеріалів. Таким чином, визначення параметрів планарних дефектів (типу, густини, тощо) є важливим етапом дослідження структури полікристалів, що в свою чергу необхідно для отримання матеріалів з певними фізичними властивостями.
Для встановлення типу планарних дефектів ефективним методом є електронна мікроскопія, але для визначення таких характеристик планарних дефектів, як густина і статистика розташування в об’ємі кристалу, потрібні інтегральні методи дослідження. Серед них найпоширенішим є метод дифракції рентгенівських променів.
На сьогоднішній день існує декілька методів, спрямованих на визначення параметрів ансамблю планарних дефектів в полікристалах, виходячи з експериментально виміряного розподілу інтенсивності розсіяних рентгенівських променів. Так, з аналізу окремих характеристик дифракційних ліній (положення, напівширина та ін.) судять про густину планарних дефектів. Але такі підходи є наближеними і мають обмежену область застосування (густина планарних дефектів не повинна перевищувати 1 %).
У зв’язку з цим актуальним є розробка методу, який дозволив би, по-перше, встановити дифракційні ознаки, що обумовлені присутністю в кристалі планарних дефектів високої густини, а по-друге, досліджувати реальні полікристали, структура яких одномірно розвпорядкована.
З цієї точки зору найбільш точним, універсальним та інформативним є аналіз повного профілю дифракційних ліній.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ СТРУКТУРИ КРИСТАЛІВ З ВЕЛИКОЮ ГУСТИНОЮ ПЛАНАРНИХ ДЕФЕКТІВ МЕТОДОМ ПОВНОПРОФІЛЬНОГО АНАЛІЗУ ДИФРАКТОГРАМ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок