Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію

вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію

Назва:
вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,96 KB
Завантажень:
388
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Національна академія наук україни
інститут фізики напівпровідників
Стрільчук Оксана Миколаївна
УДК 621.315.592
вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію
01.04.07 фізика твердого тіла
автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2001


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у відділі фізико-технологічних основ сенсорного матеріалознавства Інституту фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук,
професор Глинчук Костянтин Давидович
Інститут фізики напівпровідників НАН України
головний науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
професор Корбутяк Дмитро Васильович
Інститут фізики напівпровідників НАН України
завідувач відділом №47
доктор фізико-математичних наук,
Брайловський Євген Юлійович
НЦ “Інститут ядерних досліджень” НАН України
провідний науковий співробітник
Провідна установа: Київський національний університет імені Тараса Шевченко, фізичний факультет
Захист відбудеться “ 15 ” червня 2001 р. о 1615 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України, 03028, Київ, проспект Науки, 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України, 03028, Київ, проспект Науки, 45.
Автореферат розісланий “ 15 ” травня 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Охріменко О.Б.


Актуальність теми. Кристали напівізолюючого спеціально нелегованого арсеніду галію широко використовуються як матеріал для підкладинок при створенні на їх основі інтегральних схем. Якість інтегральних схем та відтворюваність їхніх характеристик істотно залежать від домішково - дефектного складу й однорідності фізичних властивостей підкладинок. Тому вивчення дефектних станів (домішок і дефектів гратки) та різних їх комплексів у напівізолюючому GaAs становить значний науковий і практичний інтерес. З наукового погляду це дає можливість одержати нові відомості про природу різних локальних центрів в арсеніді галію, про їх взаємодію між собою, вплив такої взаємодії на енергетичну структуру GaAs, а також про фундаментальні характеристики різних точкових дефектів у GaAs. З практичної точки зору дослідження дефектних станів дає важливу інформацію про процеси, які відбуваються у GaAs при дії зовнішніх дестабілізуючих факторів ( термообробка, хімічне осадження, іонна імплантація, радіаційне опромінення та ін.), що використовуються в технологічних процесах створення різних елементів сучасної електронної техніки, а також відкриває широкі перспективи розробки нових методів визначення вмісту домішок і дефектів у GaAs. Тому не дивно, що вивченню домішково - дефектного складу арсеніду галію останнім часом приділяється особлива увага.
Одним із найбільш простих та доступних, і разом з тим достатньо інформативним методом дослідження дефектних станів у напівізолюючому GaAs є люмінесцентний метод. Більшість домішок та дефектів у GaAs є центрами випромінювальної рекомбінації, тому, аналізуючи зумовлені ними спектри люмінесценції як функції різних параметрів (температури, енергії та інтенсивності збудження, ступеню легування), можна отримати інформацію про їх основні електрофізичні та оптичні характеристики. За допомогою цього методу при дослідженні дефектних станів у GaAs було отримано наукові результати, що становлять як пізнавальну, так і значну практичну цінність. Зокрема, встановлено природу більшості центрів випромінювальної рекомбінації, створених домішками, різними дефектами та їх комплексами у GaAs, визначено домінуючі схеми випромінювальних та безвипромінювальних електронних переходів, отримано ряд важливих результатів стосовно впливу різних зовнішніх факторів (термовідпал, іонна імплантація, хімічне осадження, травлення) на домішково-дефектний склад кристалів напівізолюючого GaAs. Значна увага приділялась вивченню дефектів, що утворюють глибокі донорні та акцепторні рівні у напівізолюючому GaAs.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: вивчення дефектних станів у напівізолюючому нелегованому арсеніді галію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок