Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ ЗБУДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В КРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ МЕТОДОМ НЕПРУЖНОГО РОЗСІЯННЯ СВІТЛА

ДОСЛІДЖЕННЯ ЗБУДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В КРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ МЕТОДОМ НЕПРУЖНОГО РОЗСІЯННЯ СВІТЛА

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ ЗБУДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В КРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ МЕТОДОМ НЕПРУЖНОГО РОЗСІЯННЯ СВІТЛА
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,02 KB
Завантажень:
271
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
ГАЙДАР ОЛЕКСАНДР ВАДИМОВИЧ
УДК 539.2:535.36
ДОСЛІДЖЕННЯ ЗБУДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ
В КРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ МЕТОДОМ НЕПРУЖНОГО
РОЗСІЯННЯ СВІТЛА
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ-2002


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики Національної академії наук України.
Науковий керівник: кандидат фізико-математичних наук
Порошин Володимир Миколайович,
Інститут фізики НАН України,
старший науковий співробітник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Пучковська Галина Олександрівна,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу фотоактивності
доктор фізико-математичних наук, професор
Дмитрук Микола Леонтійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділу поляритонної оптоелектроніки
Провідна організація: Київський національний університет
імені Тараса Шевченка,
фізичний факультет
Захист дисертації відбувся "24" жовтня 2002 р. о 14 год. 30 хв. на засіданні
спеціалізованої Вченої ради Д.26.159.01 при Інституті фізики НАН України (адреса: 03039, Київ-39, проспект Науки, 46).
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Інституту фізики НАН України (03039, Київ-39, проспект Науки, 46).
Автореферат розісланий "18" вересня 2002 р.
Вчений секретар
спеціалізованої Вченої ради Іщук В.А.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. У кристалах існують різноманітні збудження електронного газу, які призводять до розсіяння світла. Ці збудження являють собою як флуктуації зарядової густини носіїв (одночастинкові флуктуації зарядової густини, плазмони, зв'язані плазмон-фононні моди), так і флуктуації зонно-структурних параметрів носіїв (флуктуації ефективної маси, флуктуації електронної енергії, флуктуації спінової густини, флуктуації в розподілі електронів по долинах і т. ін.). Флуктуації зонно-структурних параметрів не викликають флуктуацій зарядової густини, тому вони не екрануються кулонівською взаємодією носіїв. Такі неекрановані збудження обумовлені особливостями енергетичного спектра носіїв у кристалах, наприклад, анізотропією і непараболічністю, багатодолинністю і виродженням зон, наявністю спін-орбітальної взаємодії і т. ін.
За спектрами непружного розсіяння світла можна визначати ряд параметрів збуджень електронного газу в кристалах, наприклад, симетрію, енергію та її дисперсію, час життя; досліджувати взаємодію різних електронних збуджень між собою та їх взаємодію (зв'язування) зі збудженнями кристалічної гратки  фононами. Окрім цього, можна визначати значне число важливих характеристик кристала: концентрації носіїв і домішок, знаки й абсолютні величини деформаційного потенціалу, коефіцієнт температурного звужування забороненої зони, а також деякі кінетичні коефіцієнти, які визначають релаксацію збуджень, наприклад, коефіцієнт дифузії, електронну теплопровідність, час релаксації електронної температури, час міждолинного перерозподілу носіїв і т. ін.
Вимушене комбінаційне електронне розсіяння світла може бути використане для створення джерел випромінювання. Уже створені інфрачервоні лазери на вимушеному комбінаційному розсіянні світла при переходах носіїв із переворотом спіну між рівнями Ландау в квантуючому магнітному полі в кристалах InAs та InSb.
На сьогодні неекрановані одночастинкові збудження електронного газу досить добре вивчені методом непружного розсіяння світла в кристалах з анізотропним і непараболічним спектром носіїв та в багатодолинних напівпровідниках. Детально досліджені також властивості колективних збуджень носіїв заряду (плазмонів і плазмон-фононних мод) у різних матеріалах n-типу. Розпочалися й інтенсивно проводяться дослідження збуджень вільних носіїв заряду в квантоворозмірних структурах.
На початок виконання дисертаційної роботи менш дослідженим було розсіяння світла збудженнями вільних носіїв заряду в кристалах із виродженою валентною зоною. Експериментально не було виявлено теоретично передбачене розсіяння світла флуктуаціями густини повного кутового (квадрупольного) моменту дірок, існування яких обумовлено сильною спін-орбітальною взаємодією в таких кристалах [1*].

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ ЗБУДЖЕНЬ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В КРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ МЕТОДОМ НЕПРУЖНОГО РОЗСІЯННЯ СВІТЛА

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок