Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛІПСОМЕТРІЯ НАДГРАТОК І РОЗУПОРЯДКОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ МОНОКРИСТАЛІВ GaAs І Si

ЕЛІПСОМЕТРІЯ НАДГРАТОК І РОЗУПОРЯДКОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ МОНОКРИСТАЛІВ GaAs І Si

Назва:
ЕЛІПСОМЕТРІЯ НАДГРАТОК І РОЗУПОРЯДКОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ МОНОКРИСТАЛІВ GaAs І Si
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,63 KB
Завантажень:
206
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
МИХАЙЛИК ТЕТЯНА АРКАДІЇВНА
УДК 535.3:539.216
537.311.322
ЕЛІПСОМЕТРІЯ НАДГРАТОК
І РОЗУПОРЯДКОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ
МОНОКРИСТАЛІВ GaAs І Si
01.04.07 - фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2000


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної Академії наук України
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Дмитрук Микола Леонтійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом поляритонної оптоелектроніки
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Поперенко Леонід Володимирович,
Національний університет ім. Т.Г. Шевченка,
завідуючий кафедрою оптики
доктор фізико-математичних наук, професор
Фекешгазі Іштван Вінцейович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом нелінійних оптичних систем;
Провідна установа: |
Чернівецький державний університет ім. Ю.Федьковича,
м.Чернівці
Захист відбудеться | 16 червня 2000 р. о 1415 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституті фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “ 15 ” травня 2000 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охрименко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Вивчення твердотільних квантово-розмірних структур (КРС), що триває на протязі останніх 40 років, нині є одним з основних напрямків фізики твердого тіла. Це зумовлено, зокрема, і успіхами мікроелектронної технології, яка дозволяє створювати нові об’єкти фізики твердого тіла - напівпровідникові квантово-розмірні структури (надгратки (НГ), -леговані шари, квантові ями та ін.), властивості яких наближаються до ідеальної моделі з добре відтворюваними характеристиками. Практичне використання квантово-розмірних структур відкриває нові можливості для реалізації якісно нових та поліпшення параметрів існуючих приладів мікро- та оптоелектроніки. Серед основних областей застосування приладів на основі КРС є волоконно-оптичний зв’язок, пристрої оптичної обробки інформації - елементна база ЕОМ нового покоління, лазерна техніка; перспективними є фотоприймачі нового типу (поляритонні) та фотоелектричні перетворювачі сонячного випромінювання. Відомо, що тверді тіла у вигляді тонких плівок мають оптичні характеристики, які відрізняються від їхніх значень для об’ємних (масивних) зразків. Кількісний аналіз характеристик КРС потребує знання як об’ємних параметрів матеріалів, що контактують, так і параметрів цих матеріалів у тонких шарах, а також перехідних шарів між ними; для структур на основі напівпровідникових твердих розчинів необхідно знати залежність їхніх параметрів від концентрації компонент. Якщо значення більшості об’ємних параметрів для простих напівпровідників та їх сплавів виміряні з високою точністю, то характеристики, які визначаються контактними електронними властивостями гетеропереходу (насамперед, величиною розриву зон) відомі набагато гірше, навіть для найкраще вивчених ненапружених НГ GaAs/AlGaAs.
Твердий розчин GaAs1-xPx (утворюється у повному діапазоні значень х) є одним із найважливіших напівпровідникових матеріалів, добре відоме його застосування у світлодіодах та детекторах. Особливостями сплаву є, по-перше, перехід у точці х = 0.43 від прямих оптичних переходів, властивих для GaAs, до непрямих, властивих для GaP. По-друге, із-за великої різниці (~3.6%) величин сталої кристалічних граток GaAs та GaP, в шарах епітаксійно вирощених періодичних гетероструктур типу GaAs/GaAs1-xPx можуть існувати механічні напруження, що є додатковим механізмом керування енергетичною зонною структурою КРС. Періодичні структури GaAs/GaAs1-xPx є одними з тих квантових напружених систем, які найбільш інтенсивно вивчаються нині.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛІПСОМЕТРІЯ НАДГРАТОК І РОЗУПОРЯДКОВАНИХ ПОВЕРХОНЬ МОНОКРИСТАЛІВ GaAs І Si

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок