Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> КОМБІНОВАНІ СТРУКТУРИ НВЧ З ДІЕЛЕКТРИЧНИМ РЕЗОНАНСОМ ЕТИПУ

КОМБІНОВАНІ СТРУКТУРИ НВЧ З ДІЕЛЕКТРИЧНИМ РЕЗОНАНСОМ ЕТИПУ

Назва:
КОМБІНОВАНІ СТРУКТУРИ НВЧ З ДІЕЛЕКТРИЧНИМ РЕЗОНАНСОМ ЕТИПУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,62 KB
Завантажень:
360
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
"КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ"
ТАТАРЧУК ДМИТРО ДМИТРОВИЧ
УДК 621.372.413                   
КОМБІНОВАНІ СТРУКТУРИ НВЧ
З ДІЕЛЕКТРИЧНИМ РЕЗОНАНСОМ ЕТИПУ
05.27.01 твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ 2000


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі мікроелектроніки Національного технічного університету України "КПІ" Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник : | кандидат технічних наук, доцент
Молчанов Віталій Іванович,
Національний технічний університет України "КПІ",
доцент кафедри мікроелектроніки.
Офіційні опоненти : |
доктор технічних наук
Лошицький Павло Павлович,
Національний технічний університет України "КПІ",
професор кафедри біомедичної електроніки
кандидат технічних наук
Наритник Теодор Миколайович,
інститут електроніки та зв'язку, директор
Провідна установа : |
ВАТ Науково-виробниче підприємство "Сатурн" Міністерства промислової політики України /м. Київ/
Захист відбудеться "29" січня 2001 р. о 15 00 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.26.002.08 при Національному технічному університеті України "Київський політехнічний інститут " за адресою: 03056, Київ, пр. Перемоги , 37, навчальний корпус № 12 , ауд. 114 .
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Національного технічного університету України "Київський політехнічний інститут" за адресою : 03056, м. Київ, проспект Перемоги,37.
Автореферат розіслано "20 " грудня 2000 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради к.т.н., професор |
Писаренко Л.Д.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність проблеми. Швидкий розвиток інформаційних технологій призвів до виникнення всесвітньої інформаційної мережі, що охоплює весь світ. Надійність і ефективність функціонування такої глобальної мережі значною мірою залежить від якості засобів зв'язку, що, в свою чергу, призводить до необхідності розробки нового більш ефективного і дешевого телекомунікаційного обладнання. До важливих вузлів такого обладнання відносяться різноманітні резонансні пристрої НВЧ. Вони використовуються у панорамних приймачах, антенних решітках, базових станціях щільникових телефонів і т.д.
Проведені нами дослідження показали, що одним з перспективних напрямків розвитку в цій області є використання напівпровідникових комбінованих структур з діелектричним резонансом Е- типу (ТМ- типу).
Відомо, що напівпровідникові матеріали, наприклад кремній (Si) або арсенід галію (GaAs), у області НВЧ мають низькі діелектричні втрати, порівняні з втратами у кращих діелектричних матеріалах, що використовуються для виготовлення діелектричних резонаторів (ДР), і в той же час досить високі проникності для збудження діелектричного резонансу. Крім того, оскільки граничні умови для збудження резонансу Е- типу забезпечуються досить просто (нанесенням металу заданої конфігурації на поверхню резонатора), видається реальною можливість створення в монолітному виконанні схем, що поєднують резонансні діелектричні і активні напівпровідникові прилади. При цьому існує принципова можливість електронного керування характеристиками таких систем. Вищевказане є прямою вказівкою на новий напрямок побудови селективних приладів НВЧ з електронним керуванням, що, в свою чергу, робить цікавим вивчення таких структур.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Тема дисертаційної роботи є продовженням наукової діяльності колективу кафедри мікроелектроніки в області пошуку нових підходів до конструювання мікроелектронних приладів НВЧ з метою поліпшення їх характеристик. Так результати отримані автором дисертаційної роботи були використані при виконанні двох держбюджетних робіт, а саме "Мікроелектронні керуючі пристрої на основі діелектричних резонансних елементів" (номер державної реєстрації 0196U005323) та "Дослідження властивостей смужкових фільтрів з керованою зміною частоти на основі актюаторів, інтегрованих з діелектричними резонаторами" (номер державної реєстрації 0100U000624).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: КОМБІНОВАНІ СТРУКТУРИ НВЧ З ДІЕЛЕКТРИЧНИМ РЕЗОНАНСОМ ЕТИПУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок