Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив -радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ

Вплив -радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ

Назва:
Вплив -радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,37 KB
Завантажень:
426
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
РЕНГЕВИЧ Олексій Євгенович
УДК 621.328.2
Вплив -радіації і НВЧ випромінювання на параметри
GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ
05.27.06 - технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ – 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної Академії наук України
Науковий керівник: | доктор технічних наук, професор
Конакова Раїса Василівна,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти: | член-кор. НАН України, доктор фіз.-мат. наук, професор
Лисенко Володимир Сергійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідуючий відділом
кандидат фізико-математичних наук,
Семашко Олена Мечиславівна,
ВАТ "НВП "Сатурн",
старший науковий співробітник
Провідна установа: |
Науково-виробниче об'єднання "Карат" Міністерства промислової політики України, м. Львів
Захист відбудеться 27 квітня 2001 р. о 1615 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради К .199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституті фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий "26" березня 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Радіаційно-технологічні процеси (РТП) успішно використовуються в сучасній технології напівпровідникових приладів. Вони застосовуються, як правило, на заключних стадіях виготовлення, після операції складання в корпус. Найбільш вивченими є РТП, розроблені для керування параметрами кремнієвих інтегральних схем і дискретних приладів [1,2]. Відомий також досвід застосування РТП у технології виробництва арсенідгалієвих НВЧ діодів [3].
Незважаючи на великий обсяг інформації про радіаційні ефекти в арсеніді галію та напівпровідникових приладах на його основі, а також численні дані про радіаційну стійкість таких об'єктів, дані щодо впливу радіації та НВЧ випромінювання на електричні характеристики НВЧ польових транзисторів із бар'єром Шотткі (ПТШ) є дуже обмеженими. Крім того, вивчення впливу радіації на параметри польових НВЧ транзисторів зводилося, в основному, до дослідження деградаційних процесів, тобто розглядався, переважно, вплив великих доз радіації. Тому довгий час можливість застосування малодозових радіаційних обробок для керування параметрами польових НВЧ транзисторів на GaAs не розглядалась. У зв'язку з цим маловивченими залишались і причини, що викликають зміну параметрів арсенідгалієвих ПТШ. З даної тематики існують лише окремі публікації, що почасти мають суперечливий характер [4-9].
НВЧ польові транзистори з бар'єром Шотткі на основі арсеніду галію знаходять широке застосування в різноманітних пристроях і системах ядерної енергетики, зв'язку, апаратурі військового та космічного призначення. Якість і надійність такої апаратури визначаються стійкістю елементної бази (зокрема, арсенідгалієвих ПТШ) до різних технологічних і зовнішніх впливів. Частина таких впливів добре вивчена й успішно застосовується при створенні напівпровідникових приладів [6,10]. У той же час інші впливи, такі як потужні електромагнітні поля, імпульсні та безперервні НВЧ випромінювання, ще й досі лишаються маловивченою галуззю фізико-технологічних досліджень, пов'язаною лише з використанням НВЧ відпалу кремнієвих іонно-легованих структур. Наявні літературні дані, в основному, присвячені проблемі, пов'язаній з руйнуючим впливом на елементну базу НВЧ енергії високої потужності [11-13]. Інтерес до цієї проблеми викликаний розвитком нового напрямку в радіоелектронній протидії з використанням надпотужних (1-10 ГВт) випромінювачів НВЧ енергії [11]. Крім впливу НВЧ енергії систем радіоелектронної протидії, існують також інші джерела НВЧ випромінювання, наприклад, вихідні каскади систем зв'язку, радіолокаційних станцій тощо, потужності яких є достатніми для зміни параметрів активної елементної бази.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: Вплив -радіації і НВЧ випромінювання на параметри GaAs польових транзисторів з бар'єром ШОТТКІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок