Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПЕРЕТВОРЕННЯ ВИДИМОГО СВІТЛА В ІНФРАЧЕРВОНЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ

ПЕРЕТВОРЕННЯ ВИДИМОГО СВІТЛА В ІНФРАЧЕРВОНЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ

Назва:
ПЕРЕТВОРЕННЯ ВИДИМОГО СВІТЛА В ІНФРАЧЕРВОНЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,57 KB
Завантажень:
399
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ім. В.Є. ЛАШКАРЬОВА
БОГАТИРЕНКО ВЯЧЕСЛАВ ВАЛЕРІЙОВИЧ
УДК 621.315.592
ПЕРЕТВОРЕННЯ ВИДИМОГО СВІТЛА В ІНФРАЧЕРВОНЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ
(01.04.07 - фізика твердого тіла)
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2005
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України, м. Київ.
Науковий керівник: | доктор фізико-математичних наук, професор
Малютенко Володимир Костянтинович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
зав. відділом №24
Офіційні опоненти: | Доктор фізико-математичних наук, професор
Сальков Євген Андрійович,
Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
головний науковий співробітник
Доктор, професор
Медвідь Артур Петрович
Ризький технічний університет
професор
Провідна установа: |
Інститут фізики НАН України,
відділ електроніки твердого тіла, м. Київ
Захист відбудеться | 17 лютого 2006 р. о 1415 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України
за адресою: 03028, Київ - 28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ - 28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “27” грудня 2006 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. На інфрачервоні (ІЧ) діапазони спектра 3-5 мкм (MW – середньохвильовий) і 8-12 мкм (LW – довгохвильовий) припадають вікна прозорості атмосфери і значна частина потужності теплового випромінювання (ТВ) тіл з Т300 К і вище, що є основою для пасивної локації об'єктів. Представляють практичний інтерес також активна локація і оптичний зв’язок у вікнах прозорості, детектування шкідливих газів в ІЧ області. Науковий інтерес обумовлений можливістю вивчення фізичних властивостей речовин і об'єктів шляхом вимірювання спектральних, просторових і часових характеристик пропускання, відбивання і випромінювання в ІЧ області.
Вищезазначене стимулює розробку ІЧ детекторів і випромінювачів. Традиційними підходами до генерації ІЧ випромінювання в MW і LW діапазонах є збудження крайової люмінесценції вузькозонних напівпровідників шляхом інжекції вільних носіїв через p-n-перехід (фотонні випромінювачі) і генерація ТВ напівпровідникових або металевих плівок шляхом розігріву їх електричним струмом (теплові випромінювачі).
Перевагами світлодіодів є висока швидкодія (наносекундний діапазон) і сконцентрованість енергії випромінювання в вузькому спектральному інтервалі (шириною порядку 0.1 мкм). Недоліками є низька потужність при Т300 К (в імпульсному режимі десятки міліват в MW діапазоні і менше 1 мВт в LW діапазоні, в неперервному режимі – на порядки менше), обумовлена високою ймовірністю Оже-рекомбінації і низькою ефективністю інжекції носіїв через p-n-перехід при високих температурах. При Т300 К внутрішній вихід люмінесценції напівпровідників з Eg<0.35 еВ (>3 мкм, Eg – ширина забороненої зони) звичайно не перевищує кількох процентів (див., наприклад, [1, 2]), при цьому він зменшується при зменшенні Eg, тобто при збільшенні , і при збільшенні Т [3] (температурне гасіння). Також в світлодіодах при великих прямих зміщеннях відбувається концентрація ліній струму в області найменшого опору (current crowdіng), що призводить до зменшення ефективної площі випромінювання і значних локальних перегрівів [4], які зменшують квантовий вихід і стимулюють деградацію світлодіода. Внаслідок явища сurrent crowdіng підвищення потужності випромінювання шляхом збільшення активної площі світлодіода є неефективним (в найпростішій конструкції з одним суцільним і протилежним точковим контактами площа звичайно не перевищує 0.1 мм2).
Перевагами теплових випромінювачів є висока потужність при високих температурах (десятки-сотні мВт), яка збільшується з підвищенням температури (температурна активація процесу випромінювання).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ПЕРЕТВОРЕННЯ ВИДИМОГО СВІТЛА В ІНФРАЧЕРВОНЕ ВИПРОМІНЮВАННЯ В МОНОКРИСТАЛАХ ГЕРМАНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок