Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІЧНОЇ БУДОВИ НА ЕЛЕКТРОННУ ПІДСИСТЕМУ КРИСТАЛУ

МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІЧНОЇ БУДОВИ НА ЕЛЕКТРОННУ ПІДСИСТЕМУ КРИСТАЛУ

Назва:
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІЧНОЇ БУДОВИ НА ЕЛЕКТРОННУ ПІДСИСТЕМУ КРИСТАЛУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,86 KB
Завантажень:
136
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ДОНЕЦЬКИЙ ФІЗИКО-ТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ ім. О.О.ГАЛКІНА
ТОКІЙ Наталя Валентинівна
УДК548.4;539.2;537.6
МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІЧНОЇ БУДОВИ НА ЕЛЕКТРОННУ ПІДСИСТЕМУ КРИСТАЛУ
01.04.07. – “Фізика твердого тіла”
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Донецьк-2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Донецькому фізико-технічному інституті Національної Академії Наук України
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук,
професор Варюхін Віктор Миколайович
директор Донецького фізико-технічного інституту ім.О. О. Галкіна НАН України
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Пашкевич Юрій Георгійович, зав.відділом Донецького фізико-технічного інституту ім. О.О. Галкіна НАН України
кандидат фізико-математичних наук, Картузов Валерій Васильович, зав.відділом Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України
Провідна установа:
Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка
Захист відбудеться “___”_____________2004р. о ___ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 11.184.01 Донецького фізико-технічного інституту ім. О. О. Галкіна НАН України, 83114, м. Донецьк, вул. Р. Люксембург, 72.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Донецького фізико-технічного інституту ім. О.О. Галкіна НАН України, 83114, м. Донецьк, вул. Р. Люксембург, 72.
Автореферат розісланий “___”_____________2004р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Тарасенко Т.М.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність роботи. Розвиток сучасних технологій вимагає створення та вивчення електронних властивостей нових матеріалів для сенсорів, виконавчих механізмів та джерел енергії. Особливо привабливим виглядає поєднання цих компонентів в одному матеріалі.
Формування електронних властивостей таких багатофункціональних матеріалів визначається їх реальною (дефектною) структурою. В свою чергу механізми утворення дефектів та їх поведінка визначаються електронними властивостями цих дефектів. Взаємодія електронів з дефектами кристалічної ґратки – джерело розвитку наших уявлень про механізми формування як реальної, так і електронної структур твердих тіл. Успіхи в розумінні одних процесів миттєво відбиваються на розумінні тісно пов’язаних з ними інших процесів.
Саме дослідженню атомної та електронної структури низьковимірних недосконалостей у таких перспективних багатофункціональних матеріалах, як ковалентний алмаз, іонний діоксид цирконію та металеві сплави, присвячена дисертаційна робота. У роботі, виходячи з геометричної класифікації дефекту, розглядаються низьковимірні недосконалості, тобто дефекти з числом вимірів (у яких розміри ядра дефекту значно перевищують міжатомні відстані) менше трьох.
Виключне сполучення властивостей алмазу, таких як: найвища серед відомих речовин твердість та зносостійкість, низький коефіцієнт термічного розширення, низька теплоємність, виcока теплопровідність, велика ширина забороненої зони, прозорість у широкому діапазоні спектру, обумовлено властивостями його електронів, а саме – високою міцністю й кутовою жорсткістю просторового каркасу простих сігма-зв’язків між атомами вуглецю, що мають тетраедричну взаємну координацію, та малим (рівним +6е) зарядом ядра атома вуглецю.
Проблема описання електронних станів власних дефектів та домішок в алмазі – одна з найважливіших як з фундаментальної, так і з практичної точок зору. Добре відомо, що провідність р- типу в алмазі може бути легко отримана, а отримання провідності n-типу в алмазі є складною проблемою. Виробництво активної електроніки потребує напівпровідникові алмази n- типу. Через відсутність серед природних алмазів напівпровідникових кристалів n- типу особливий інтерес представляють дослідження домішкових елементів V-групи. Проте до останнього часу такі дослідження, як теоретичні, так і експериментальні, проводились в основному для азоту в алмазі.
Вогнетривкий діоксид цирконію, який за багатьма параметрами (велика ширина забороненої зони, прозорість у широкому діапазоні спектру) є відносно меншим дорогим замінником алмазу, додатково може служити твердим електролітом для паливних елементів, а завдяки присутності мартенситних фазових перетворень із моноклінної в тетрагональну, із тетрагональної в кубічну, і зворотно, може претендувати на роль виконавчого мікромеханізму.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: МОДЕЛЮВАННЯ ВПЛИВУ ДЕФЕКТІВ КРИСТАЛІЧНОЇ БУДОВИ НА ЕЛЕКТРОННУ ПІДСИСТЕМУ КРИСТАЛУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок