Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ / сторінка 3

Назва:
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,74 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 

Об`єктами дослідження були тонкоплівкові шари Co та Ni на монокристалічному кремнії орієнтацій (100) та (111); двошарові тонкоплівкові системи Co-Ni на монокристалічному кремнії орієнтацій (100) та (111); двошарові тонкоплівкові системи Ti-Ni та багатошарові плівкові композиції на монокристалічному кремнії (001) Ni/Si/Ni/Si… (при різних співвідношеннях кількості речовин Ni та Si: 2:1, 1:1, 1:2), Co/Si/Co/Si… (при співвідношенні кількості речовин Co та Si: 1:2), Ni/Tі/Ni/Ti… (при різних співвідношеннях кількості речовин Ni та Ti: 3:1, 1:1, 1:2).
Тонкоплівкові системи отримано: 1) резистивним випаровуванням металів Co, Ni на монокристалічний кремній з орієнтацією поверхні (100) та (111) при температурі підкладки 520 К, 2) електронно - променевим випаровуванням металів Ti, Ni на монокристалічний кремній з орієнтацією (001), 3) магнетронним методом послідовного розпилення мішеней: багатошарові тонкоплівкові композиції Ni/Si/Ni/Si…, Co/Si/Co/Si…, Ni/Tі/Ni/Ti… на монокристалах кремнію з орієнтакцією поверхні (001).
Предмет дослідження: структурні й фазові перетворення в тонкоплівкових системах Ni(200 нм)/Si(hkl), Co(200 нм)/Si(hkl), Co(300 нм)/Ni(20, 50, 300 нм)/Si(hkl), Ni(300 нм)/Co(20 нм)/Si(hkl), Ti(200 нм)/Ni(200 нм)/Si(001), Ni(200 нм)/Ti(200 нм)/Si(001) та в багатошарових плівкових композиціях на монокристалічному кремнії з орієнтацією поверхні (001) Ni/Si/Ni/Si… (при різних співвідношеннях кількості речовин Ni та Si: 2:1, 1:1, 1:2), Co/Si/Co/Si… (при співвідношенні кількості речовин Co та Si: 1:2), Ni/Tі/Ni/Ti… (при різних співвідношеннях кількості речовин Ni та Ti: 3:1, 1:1, 1:2).
Методи дослідження: дослідження фазового складу виконувалось методами рентгенівської дифрактометрії на дифрактометрі ДРОН-2.0, фотографічної регістрації дифрагованих рентгенівських променів у камерах Дебая-Шерера. Використовувались також методи резистометрії, електронографії, спектральної еліпсометрії. Системи Ti(200 нм)/Ni(200 нм)/Si(001), Ni(200 нм)/Ti(200 нм)/Si(001) досліджувались методом просвічуючої електронної мікроскопії поперечних перерізів з використанням просвічуючого електронного мікроскопу JEOL 2000FX-II. Для вивчення хімічного складу, концентраційних неоднорідностей по товщині силіцидних шарів використовувалась мас-спектрометрія вторинних іонів (мас-аналізатор OXFORD EDS із діаметром зонда 5-7 нм).
Наукова новизна роботи. Вперше встановлено: 1. Вплив орієнтації поверхні монокристалічного кремнію (100), (111) на розвиток твердотільних реакцій у біметалічних системах Co(300 нм)/Ni(300 нм) на монокристалах Si аналогічний впливу орієнтації поверхні монокристалічного кремнію (100), (111) на розвиток твердотільних реакцій в системі Ni-Si, а саме: процеси силіцидоутворення на підкладці монокристалічного кремнію орієнтації (100) розпочинаються при 670 К. Температура початку силіцидоутворення на кремнії з орієнтацією поверхні (111) становить 770 К. У системі Co(300 нм)/Ni(300 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією поверхні (100) та (111) перетворення силіциду нікелю NiSi у дисиліцид NiSi2 відбувається при температурі 870 К, що на 150 К нижче температури перетворення NiSi у дисиліцид NiSi2 в системі Ni-Si.
2. Послідовність твердотільних реакцій та початок формування силіциду нікелю NiSi в системах Ti(200 нм)/Ni(200 нм) та Ni(200 нм)/Ti(200 нм) на Si(001) залежать від послідовності розташування шарів титану та нікелю(Ti/Ni/Si(001) або Ni/Ti/Si(001)): при розташуванні титану поверх нікелю NiSi утворюється при 670 К. Коли титан знаходиться поміж нікелем та кремнієм, NiSi формується при 870 К. Незалежно від розташування шару титану у висхідній плівковій системі силіцид нікеля NiSi термічно стійкий до 1170 К, що на 150 К вище температури термічної стійкості NiSi у системі Nі-Si.
3. При дослідженні методом спектральної еліпсометрії багатошарових плівкових композицій Ni/Si/Ni/Si… на Si(001) з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію - 2,6 нм, 5,3 нм и 10,7 нм в осадженому стані, після опромінення іонами аргону та при низькотемпературному відпалі встановлено, що формуються аморфні області складу, близького до NiSi, а у багатошарових плівкових композиціях Co(3нм)/Si(10,5 нм)/Co(3нм)/Si (10,5 нм) … на Si(001) - області складу, близького до Co2Si.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок