Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ / сторінка 4

Назва:
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,74 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Товщина таких областей для багатошарової плівки з 22 шарами Ni(3 нм)/Si(10,7 нм) на Si(001) складає близько 10 нм. Багатошарові плівкові композиції Ni/Ti/Ni/Ti… на Si(001) з товщиною нікелю 3 нм, титану - 1,59 нм, 4,77 нм и 9,54 нм не взаємодіють з кремнієм підкладки при температурах відпалу до 870 К. Вище цієї температури мають місце процеси дифузійної взаємодії шарів, що призводить до твердотільних реакцій із утворенням фаз NiSi, TiSi, Ti4Ni4Si7 .
Практичне значення отриманих результатів. Отримані в роботі наукові результати і встановлені фізичні закономірності мають практичний інтерес для вдосконалення режимів створення структурно-фазових станів у тонкоплівкових технологіях електронної промисловості і можуть бути використані в мікроелектронній промисловості України.
Дослідження закономірностей формування кристалічної структури, фазового складу, електрофізичних властивостей та інтервалів термічної стабільності силіциду нікелю NiSi у бішарових системах Ti(200 нм)/Ni(200 нм) та Ni(200 нм)/Tі(200 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією (001) дозволило підвищити надійність надвеликих інтегральних схем (зменшити кількість відмов на 1 мільйон елементів з 4-6 до 1-2), підвищити температурно-часову стабільність експлуатаційних характеристик та ступінь інтеграції мікросхем, визначити вплив розташування шару титану на термічну стабільність силіциду нікелю NiSi, який широко використовується в якості електродів затворів у МОН-транзисторах.
На підставі проведених досліджень показані можливості зменшення ширини лінії електродів затворів до 0,25 мкм, що веде до подальшої мініатюризації функціональних елементів надвеликих інтегральних схем, переходу до нанотехнологій.
Отримані в дисертаційній роботі результати випробувані на базі науково-технічного центру радіорелейних систем Інституту електроніки та зв’язку Української академії наук національного прогресу (м. Київ) при розробці силіцидних технологій при виробництві передавальних блоків мікрохвильових телекомукаціонних систем.
Результати роботи використовуються також у навчальному процесі, зокрема, при виконанні курсових та дипломних робіт в Національному технічному університеті України “ Київський політехнічний інститут”.
Особистий внесок здобувача. Автором особисто проводилося: термообробка усіх зразків, рентгенофазовий, резистометричний аналіз усіх досліджуємих систем, а також аналіз одержаних оптичних властивостей багатошарових систем порівняно з модельними. Усі основні результати даного дослідження отримано автором особисто. Постановка мети, задач дослідження та обговорення результатів виконані спільно з науковим керівником і, частково, із співавторами публікацій.
Апробація результатів дисертації. Основні результати й окремі розділи дисертації доповідались та обговорювалися на міжнародних та республіканських науково-технічних конференціях: “Новые перспективные материалы и технологии в металлургии.” Київ, 13-14 жовтня 1994 р.; XIV науково-технічній нараді ”Новые материалы для микроэлектроники”, Туапсе, 17-21 жовтня 1994 р.; Diffusion, Segregation and Stresses DSS-02, International Workshop, 27-31 May, 2002, Mosccow, Russia; Міжднародному симпозіумі ”Тонкие пленки в оптике и электронике” (ISTFE-14), Харьків, Україна, 22-27 квітня 2002 р.; Міжнародному симпозіумі ”Тонкие пленки в оптике и электронике” (ISTFE-15), Харьків, Україна, 22-26 квітня 2003 р., ІХ Міжнародній конференції з фізики і технології тонких плівок (МКФТТП-ІХ), Івано-Франківськ, Україна, 19-25 травня 2003 р.; Sixth International Conference of diffusion in Materials, Krakov, Poland, 18-23 July 2004; І-й Українській конференції “Нанорозмірні системи: електронна, атомна будова і властивості” (НАНСИС-2004), Київ, Україна, 12-14 жовтня 2004 р.,.
Публікації. Матеріали дисертації викладені у 7 друкованих роботах, в тому числі у 5 статтях в наукових журналах та 2 тезах доповідей.
Структура й обсяг дисертації. Дисертаційна робота складається із вступу, п?яти розділів, висновків, переліку використаної літератури із 137 найменувань, містить 180 сторінок основного тексту, 3 таблиці і 63 ілюстрації.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок