Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат українською: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ / сторінка 5

Назва:
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,74 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 

ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
У вступі обгрунтована актуальність обраної теми дисертації та сформульована мета і задачі дослідження. Показано зв?язок роботи з науковими темами і програмами. Наведені основні результати, отримані в дисертаційній роботі, відзначена їхня наукова новизна та практичне значення, сформульовані основні положення та результати, що виносяться на захист.
У першому розділі “ЛІТЕРАТУРНИЙ ОГЛЯД” описано, де використовуються силіциди тугоплавких металів, їх достоїнства, способи отримання та кінетика дифузійного росту тонка металічна плівка - кремній, вплив домішок на утворення та електрофізичні властивості силіцидів. Дано характеристики фазових перетворень у масивному та тонкоплівковому станах в системах, що досліджувались. Показано важливість багатошарової металізації для створення пристріїв у мікроелектроніці з бажаними характеристиками. Розглянуто стан досліджень процесів силіцидоутворення на сучасному етапі.
У другому розділі “МАТЕРІАЛИ ТА МЕТОДИКА ДОСЛІДЖЕННЯ” описані методи виготовлення й дослідження одношарових тонкоплівкових систем Ni(200 нм), Co(200 нм), двошарових тонкоплівкових систем Co(300 нм)/Ni(20, 50, 300 нм), Ni(300 нм)/Co(20 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією (100) та (111) з шаром “природного” оксиду кремнію товщиною 6-10 нм; двошарових тонкоплівкових систем Ti(200 нм)/Ni(200 нм)/Si(001) та Ni(200 нм)/Ti(200 нм)/Si(001); багатошарових тонкоплівкових композицій на монокристалічному кремнії з орієнтацією поверхні (001): Ni/Si/Ni/Si… з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію - 2,6 нм, 5,3 нм и 10,7 нм , Co(3 нм)/Si(10,5 нм)/Co(3 нм)/Si(10,5 нм)…, Ni/Tі/Ni/Ti… з товщиною нікелю 3 нм, кремнію - 1,59 нм, 4,77 нм и 9,54 нм (таблиця 1).
Тонкоплівкові системи Ni/Si(hkl), Co/Si(hkl), Co/Ni/Si(hkl), Ni/Co/Si(hkl) одержували методом резистивного випаровування, двошарові системи Ti/Ni/Si(001) та Ni/Ti/Si(001) – електронно-променевим випаровуванням та багатошарові тонкоплівкові композиції Ni/Si/Ni/Si…, Co/Si/Co/Si…, Ni/Tі/Ni/Tі… на монокристалах кремнію з орієнтацією поверхні (001) виготовляли магнетронним методом послідовного розпилення мішеней.
Термічна обробка цих систем приводить до формування силіцидів, використання яких відкриває широкі можливості на шляху подальшої мініатюризації кремнієвих приладів та інтегральних мікросхем. Відпали проводилися у вакуумі не нижче 10-3 Па в інтервалі температур 470-1270 К тривалістю 1 година.
Таблиця 1
б?єкти досліджень та режими їх одержання
№ п/п | Тонко-плівкові системи | Тонкоплівкові шари
та їх товщини | Кількість бішарів | Орієнтація кремнієвої підкладки | Метод одержання
1-й шар | 2-й шар
1 | Co/Si | 200 нм | - | - | (100), (111) |
Резистивне випарову-вання
2 | Ni/Si | 200 нм | - | - | (100), (111)
3 |
Co/Ni/Si |
300 нм
| 20 нм
50 нм
300 нм | 1 |
(100), (111)
 
4 | Ni/Co/Si | 300 нм | 20 нм | 1 | (100)
5 | Ti/Ni/Si | 200 нм | 200 нм | 1 | (001) | Електронно-
променеве випарову-вання
6 | Ni/Ti/Si | 200 нм | 200 нм | 1
7 |
Ni/Si/… на Si
| 3 нм |
2,6 нм
5,3 нм
10,7 нм | 40
50
22 | (001) |
Магнетрон-ним методом послідовно-го розпилення мішеней
8 | Co/Si/… на Si
| 3 нм | 10,5 нм | 20 | (001)
9 |
Ni/Ti/… на Si |
3 нм |
1,59нм
4,77 нм
9,54 нм | 30 |
(001)
Дослідження структури, морфології поверхні, фазового й хімічного складу проводили методами рентгенофазового, резистометричного та хімічного пошарового аналізу, просвічуючої електронної мікроскопії поперечних перерізів, спектральної еліпсометрії.
У третьому розділі “ЗАКОНОМІРНОСТІ ФОРМУВАННЯ СТРУКТУРИ, УТВОРЕННЯ ФАЗ ТА ЕЛЕКТРОФІЗИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМ Co, Ni, Co-Ni НА МОНОКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ” було вивчено вплив орієнтації підкладки монокристалічного кремнію, шару “природного” оксиду кремнію SiOx, вакуумного пічного відпалу в інтервалі температур 470 - 1170 К тривалістю 1 година, товщини проміжного шару нікелю на початок фазоутворення, послідовність утворення фаз та електрофізичні властивості названих систем.
Термічно активовані процеси фазоутворення у системі Co(200 нм)/Si(100) із шаром “природного" оксиду кремнію SiOx товщиною 6-10 нм відбувалися за схемою:
Co/Si(100) Co2Si+CoSi+CoSi2
Процеси силіцидоутворення у системі Co(200 нм)/Si((hkl) починалися при температурі 1170 К, що на 550 К вище температури початку процесів силіцидоутворення у системах Co/Si без шару “природного” оксиду кремнію, внаслідок того, що шар “природного” оксиду кремнію товщиною 6-10 нм блокує реакцію силіцидоутворення на границі розділу кобальт-кремній.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок