Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат безкоштовно: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ / сторінка 6

Назва:
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,74 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Зі збільшенням температури відпалу питомий опір плівок Co(200 нм)/Si(hkl) в інтервалі температур 670-970 К зменшується внаслідок зменшення кількості дефектів.
У тонкоплівковій системі Ni(200 нм) на підкладці монокристалічного кремнію з орієнтацією (100) з шаром “природного” оксиду кремнію товщиною 6-10 нм процеси силіцидоутворення починалися при температурі відпалу 670 К, що на 100 К нижче температури початку процесів силіцидоутворення на монокристалічному кремнію з орієнтацією (111):
Ni/Si(100)Ni2Si+NiSiNiSi
 
Процеси фазоутворення у тонкоплівковій системі Ni(200 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією (111) в інтервалі температур 670-970 К відбувалися наступним чином:
Ni/Si(111) Ni + Ni2Si + NiSiNi2Si + NiSi
Силіцидоутворення у двошарових тонкоплівкових системах Co(300 нм)/Ni(300 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією (100) також, як силіцидоутворення у системі нікель-кремній починалося при 670 К, що на 100 К нижче температури початку силіцидоутворення на Si (111) і відбувалося за схемою:
Co/Ni/Si(100)Co+Ni+NiSi+Co2Si+CoSi
Ni2Si+Co2Si+NiSi+CoSi+CoSi2+NiSi2
У системі Co(300 нм)/Ni(300 нм) на монокристалічному кремнії орієнтацій (100) і (111) з шаром “природного” оксиду кремнію товщиною 6-10 нм утворення дисиліциду нікелю NiSi2 здійснюється при 870 К, що на 150 К нижче температури утворення NiSi2 у системі Ni-Si. Це свідчить про нестабільність силіциду нікелю NiSi у бішаровій системі Co-Ni. Присутність CoSi2 забезпечує благоприємні місця для гетерогенного зародження NiSi2 та усуває високий бар'єр зародкоутворення, яким характеризується утворення чистого NiSi2.
У системі Co(300 нм)/Ni(20, 50 нм)/Si спостерігалось сповільнення процесів силіцидоутворення на 100 К порівняно з температурою початку силіцидоутворення у системі Ni(200 нм)/Si(100). Шару нікелю товщиною 20-50 нм недостатньо, щоб зруйнувати шар “природного” оксиду кремнію. У тонкоплівковій системі Ni(300нм)/Co(20 нм)/Si(hkl) процеси силіцидоутворення також гальмуються, та починаються при температурі відпалу 1070 К, що на 400 К вище температури початку силіцидоутворення у системі Ni(200 нм)/Si(100). Шар “природного” оксиду кремнію товщиною 6-10 нм є дифузійним бар’єром для реакції силіцидоутворення на границі розділу кобальт-кремній.
У четвертому розділі “ВПЛИВ ШАРУ ТИТАНУ НА ТЕРМІЧНУ СТІЙКІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi У СИСТЕМАХ “ТИТАН-НІКЕЛЬ” НА МОНОКРИСТАЛІЧНОМУ КРЕМНІЇ (001)“ приведені результати дослідження фазового складу, структури та електрофізичних властивостей тонкоплівкових систем Ti(200 нм)/Ni(200 нм)/Si(001) та Ni(200)/Ti(200)/Si(001) після термічної обробки у вакуумі в інтервалі температур 470-1270 К тривалістю 1 година та ізотермічної обробки при 870 та 970 К. Метою було визначення впливу послідовності розташування шару титану на термічну стійкість силіциду нікелю NiSi.
Дані рентгенівського аналізу та просвічуючої електронної мікроскопії поперечних зрізів після осадження показали відсутність взаємодифузії та твердотільних реакцій поміж шарами нікелю та титану (рис. 1 а).
На електронно-мікроскопічному зображенні поперечного перерізу вихідного зразка чітко видно два шари: шар нікелю, що примикає до підкладки, та шар титану на поверхні. Розмір зерен у плівці нікелю порядку 50 х 220 нм, вони нахилені до підкладки під кутом 60-90 градусів. Відсутність взаємодифузії при осадженні підтверджується чіткою границею між шарами нікелю та титану. Хімічний склад у невеликій перехідній зоні між шаром нікелю та підкладкою складає 4,3 ат. % Ni, що недостатньо для формування будь-якого силіциду.
Інтенсивні процеси взаємодифузії починаються після відпалу 670 К тривалістю 1 година і супроводжуються утворенням фаз, збагачених на нікель: силіциду Ni2Si та інтерметаліду Ni3Ti, а також невеликої кількості фази NiSi.
Збільшення температури відпалу до 770 К приводить до подальшого росту у плівці кількості силіциду нікелю NiSi. На електронно-мікроскопічному зображенні поперечного перерізу плівки після відпалу 770 К є п'ять чітко означених шарів над підкладкою кремнію (рис.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок