Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат безкоштовно: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ / сторінка 8

Назва:
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,74 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
С.), про що свідчить присутність гало на малих дифракційних кутах. Така структура не гомогенна, тому що спектри малокутової рентгенівської дифракції від цих зразків демонструють декілька добре означених сателітів, що доводить гарну пошарову структуру зразків (рис. 3).
Багатошарові плівки Ni/Si/Ni/Si… на монокристалах кремнію після осадження містять підшари нікелю, що демонструють суперпарамагнітне поводження завдяки їх збагаченню кремнієм. При порівнянні експериментальних і змодельованих оптичих властивостей матеріалу багатошарових плівкових композицій Ni/Si/Ni/Si… на Si(001) було встановлено, що аморфні області складу, близького до NiSi, формуються під час осадження багатошарових плівок.
Товщина таких областей для багатошарової плівки з 22 шарами Ni(3 нм)/Si(10,7 нм) на монокристалічному кремнії з орієнтацією (001) складає близько 10 нм.
Іонне опромінення впливає тільки на поверхневі шари плівок, що зберігають без впливу більш, ніж половину свого обсягу. Цей факт пояснює незмінність рентгенівських спектрів великокутової і малокутової дифракції від цих плівок. Іонне опромінення багатошарових плівкових композицій Ni/Si/Ni/Si… на монокристалах кремнію (001) веде до формування областей зі складом, близьким до силіциду нікелю NiSi.
Добра відповідність за формою змодельованих і експериментальних спектрів оптичної провідності спостерігалась для багатошарових плівок Ni/Si/Ni/Si… на Si (001) з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію 10,7 нм (рис. 4).
Кристалізація багатошарових тонкоплівкових композицій Ni/Si/Ni/Si… на Si (001) розпочиналась після відпалу 670 К.
Пошарова структура багатошарових плівкових композицій Ni/Si/Ni/Si… на монокристалічному кремнії з орієнтацією (001) руйнується після відпалу при 1070 К тривалістю 1 година. Це супроводжується формуванням фаз бажаного складу, а саме Ni2Si, NiSi та NiSi2.
У системі Ni/Si/Ni/Si… на Si (001) з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію 2,6 нм фазоутворення в інтервалі температур відпалу 670-1070 К відбувалось за схемою:
А.С.Ni2Si+NiSi
У багатошаровій системі Ni/Si/Ni/Si… на Si (001) з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію 5,3 нм для формування кристалічної структури NiSi достатньо відпалу при температурі 670 К тривалістю 1 година. Процеси фазоутворення при термічній обробці в інтервалі температур 470-1070 К тривалістю одна година відбувалися наступним чином:
А.С. з-NiSiз-NiSi+NiSi2
Відпал при температурі 1070 К тривалістю 1 година приводить до появи незначної кількості дисиліциду нікелю NiSi2.
Для багатошарової плівки Ni/Si/Ni/Si… на Si (001) з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію 10,7 нм процеси силіцидоутворення в інтервалі температур 470-1070 К відбувалися за схемою :
А.С. з-NiSiз-NiSi+NiSi2 NiSi2+NiSi
Силіцид нікелю NiSi переважає при термообробці до 870 К також у багатошаровій плівковій композиції Ni/Si/Ni/Si… на Si (001) з товщиною шару нікелю 3 нм, кремнію 10,7 нм
В багатошарових тонкоплівкових композиціях Ni/Si/Ni/Si… на Si(001) (при різних співвідношенннях кількості речовин Ni та Si: 2:1, 1:1, 1:2) у температурних інтервалах формування силіцидних фаз спостерігалось зменшення електроопору за рахунок утворення NiSi.
Матеріал багатошарової плівки Co/Si/Co/Si… на Si(001) з товщиною шару кобальту 3 нм, кремнію 10,5 нм у вихідному стані знаходився у дифракційно-аморфному стані. Після відпалу 670 К починалася кристалізація, першим утворювався силіцид Сo2Si. Відпали у вакуумі при 870 К та 1070 К призводили до послідовного формування фаз CoSi та кінцевого силіциду CoSi2. Утворення дисиліциду кобальту супроводжувалось різким зменшенням електроопору та зміною оптичних та магнітооптичних властивостей матеріалу багатошарових плівкових композицій Co/Si/Co/Si… на монокристалічному кремнії з орієнтацією (001) (рис. 5). Твердотільні реакції фазоутворення відбувалися за наступною схемою:
А.С.Co2Si+СoSi СoSi СoSi+CoSi2
Багатошарові плівки Co/Si/Co/Si… на Si(001), також як Ni/Si/Ni/Si… на монокристалах кремнію (001), після осадження містили підшари металу, у даному випадку кобальту, що демонстрували суперпарамагнітне поводження завдяки їх збагаченню кремнієм.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок