Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

Назва:
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,74 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
АЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ
“КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ”
ЕРБИЦЬКА ТЕТЯНА ІВАНІВНА
УДК - 539.216. 2:661.685
ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ
Спеціальність 05.16.01 - Металознавство та термічна обробка металів
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Київ - 2004
Дисертацією є рукопис
обота виконана на кафедрі фізики металів аціонального технічного університету України “Київський політехнічний інститут”
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор
Сидоренко Сергій Іванович.
Національний технічний університет України
”Київський політехнічний інститут”.
Завідувач кафедри фізики металів
 
Офіційні опоненти доктор технічних наук, с.н.с.
Дворіна Людмила Андріївна.
Інститут проблем матеріалознавства
ім. І.М. Францевича.
Завідувач відділом тугоплавких сполук
для тонкоплівкової технології
доктор технічних наук, професор
Белоус Михайло В’ячеславович.
Національний технічний університет України
”Київський політехнічний інститут”.
Професор кафедри загальної фізики та фізики
твердого тіла
Провідна установа: Інститут електрозварювання ім. Є.О. Патона
НАН України (м. Київ)
Захист відбудеться “31” січня 2005 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.002.12 у Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут за адресою: 04056, м. Київ, проспект Перемоги, 37, корпус 9, ауд. 203.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Національного технічного університета України “Київський політехнічний інститут” за адресою: м. Київ, проспект Перемоги, 37.
Автореферат розісланий “21” грудня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
кандидат технічних наук, доцент Л.М. Сиропоршнєв


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Досягнення в сучасній мікроелектроніці поєднані зі значними якісними змінами у системі міжз?єднань інтегральних схем, із переходом до багаторівневої металізації – до так званих багатошарових структур. Багатошарові структури із кремнієм задовільняють вимогам оптимізації електричних і механічних якостей контактів. Властивості таких систем залежать від дифузійного фазоутворенння при підвищених температурах у результаті розігріву приладів при експлуатації. Усунення небажаних наслідків таких процесів можливе на основі знань про закономірності цих процесів. Виникають нові матеріалознавчі і технологічні задачі, пов`язані з проблемою подальшої мініатюризації, переходом до нанотехнологій.
Використання тонкоплівкових структур систем “метал-кремній” дозволяє істотно підвищити важливі техніко-економічні параметри кремнієвих інтегральних мікросхем, такі як, наприклад, швидкодія, ступінь інтеграції, надійність.
Силіцидні плівки завдяки своїм електрофізичним властивостям, можливостям створення епітаксійних шарів та перевагам порівняно з полікристалічним кремнієм широко використовуються в якості функціональних елементів мікроприладів і інтегральних схем, таких як діоди Шотткі, омічні контакти, струмопровідні системи, резистивні елементи.
Серед силіцидів, які використовуються у технології надвеликих інтегральних схем на велику увагу заслуговує силіцид нікелю NiSi. Це пов?язано з тим, що NiSi має низьку температуру утворення, низьке значення питомого електроопору (порядку 10 мкОм·см) та забезпечує підвищену бистродію функціональних елементів мікроприладів (на відміну від силіцидів CoSi2 та TiSi2). Для мікроелектроніки важливо вирішити задачу по стабілізації NiSi, який у системі Ni-Si при температурі 1020 К перетворюється у дисиліцид NiSi2, що має більш високий питомий електроопір, ніж питомий електроопір NiSi. Підвищення термічної стійкості силіциду нікелю NiSi є важливою проблемою у технологіях виготовлення пристроїв з надвеликими інтегральними мікросхемами.
Аналіз літературних даних, присвячених дослідженню перехідних металів та їх силіцидів як перспективних матеріалів для мікроелектроніки, свідчить, що роботу в цьому напрямку треба продовжувати.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ЗАКОНОМІРНОСТІ ФАЗОУТВОРЕННЯ ТА ТЕРМІЧНА СТАБІЛЬНІСТЬ СИЛІЦИДУ НІКЕЛЮ NiSi В ТОНКОПЛІВКОВИХ СИСТЕМАХ Co-Ni, Ni-Ті, Ni-Si НА МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок