Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРИРОДА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ЛЕГОВАНОГО КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ

ПРИРОДА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ЛЕГОВАНОГО КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ

Назва:
ПРИРОДА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ЛЕГОВАНОГО КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,06 KB
Завантажень:
78
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 
НАЦІональна академія наук україни
інститут проблем матеріалознавства
ім. І.М. ФРАНЦЕВИЧА
ФОЧУК Петро Михайлович
УДК 546.48.242:66.046.516
ПРИРОДА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ЛЕГОВАНОГО
КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ
Спеціальність: 02.00.21 – хімія твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора хімічних наук
Київ – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі неорганічної хімії Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича.
Науковий консультант: доктор хімічних наук, професор
Панчук Олег Ельпідефорович,
Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича,
завідувач кафедри неорганічної хімії.
Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор
Томашик Василь Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
вчений секретар, м. Київ;
доктор технічних наук
Комар Віталій Корнійович,
Інститут монокристалів НАН України,
завідувач лабораторії, м. Харків;
заслужений діяч науки і техніки України,
доктор технічних наук, с.н.с.
Фреїк Дмитро Михайлович,
Прикарпатський національний університет
ім. В. Стефаника МОН України,
директор Фізико-хімічного інституту,
завідувач кафедри фізики та хімії твердого тіла,
м. Івано-Франківськ.
Провідна установа: Львівський національний університет імені Івана Франка, хімічний факультет, кафедра неорганічної хімії.
Захист відбудеться 18.05.2006 р. о 14 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.207.02 в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України: 03680, м. Київ-142, вул. Крижанівського, 3.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України: 03680, м. Київ-142, вул. Крижанівського, 3.
Автореферат розісланий 12.04.2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради, д.х.н. Куліков Л.М.


Актуальність дисертаційного дослідження зумовлена швидким розвитком в останні десятиріччя передових технологій в усьому світі. Це стимулює підвищений інтерес до напівпровідникового матеріалознавства. Серед напівпровідників, що вже давно знайшли широке застосування, значну роль відіграють сполуки типу А2В6 і CdTe є одним з найбільш перспективних. Цьому сприяє прозорість в ІЧ області, рекордні фоторефрактивні властивості, здатність детектувати іонізуючі випромінювання, ефективно перетворювати сонячну енергію в електричну та багато іншого.
CdTe знаходить широке використання у медицині, ядерній енергетиці, нелінійній та ІЧ оптиці, військовій техніці і т.д. Це одна із перших напівпровідникових сполук, дефектна структура якої вивчалася із використанням теорії квазіхімічних рівнянь дефектоутворення (КХРД). Знання структури точкових дефектів CdTe є визначальним у передбаченні його оптичних та електричних властивостей, а також для вирішення проблем, пов’язаних зі старінням та поляризацією матеріалу.
Для більшості приладів, де застосовується CdTe, чистий матеріал не являє такого інтересу, як легований, тому що впровадження атомів інших елементів у кристалічну гратку CdTe кардинально змінює характеристики самої сполуки і дозволяє: а) змінювати тип провідності; б) керувати в широких межах величиною питомого опору; в) надавати матеріалу нових властивостей. Введення в гратку напівпровідника легуючого компонента змінює умови внутрішньої рівноваги між власними атомними та електронними дефектами. В залежності від типу і кількості введеної домішки концентрація основних носіїв заряду в кристалі буде зростати або спадати, формуючи необхідні параметри матеріалу.
Електрофізичні властивості кристалів нелегованого CdTe визначаються, головним чином, власними точковими дефектами. Тип і концентрація переважаючих дефектів в CdTe залежать від стехіометрії матеріалу, яка визначається тиском пари Cd(Те) в процесі вирощування кристалів і подальшої термообробки. Цілеспрямоване керування цим процесом неможливе без знання структури точкових дефектів (ТД), яка формується, як правило, при високих температурах. Тому важливо дослідити закономірності її утворення і зміни саме в цих умовах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 



Реферат на тему: ПРИРОДА ТОЧКОВИХ ДЕФЕКТІВ ЛЕГОВАНОГО КАДМІЙ ТЕЛУРИДУ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок