Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ, РТУТІ В УМОВАХ ПРИРОДНОЇ І СТИМУЛЬОВАНОЇ ТРАНСФОРМАЦІЇ ДЕФЕКТНОЇ СИСТЕМИ

ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ, РТУТІ В УМОВАХ ПРИРОДНОЇ І СТИМУЛЬОВАНОЇ ТРАНСФОРМАЦІЇ ДЕФЕКТНОЇ СИСТЕМИ

Назва:
ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ, РТУТІ В УМОВАХ ПРИРОДНОЇ І СТИМУЛЬОВАНОЇ ТРАНСФОРМАЦІЇ ДЕФЕКТНОЇ СИСТЕМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,18 KB
Завантажень:
306
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Власенко Олександр Іванович
УДК 621.315.592
ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ
НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ, РТУТІ В УМОВАХ
ПРИРОДНОЇ І СТИМУЛЬОВАНОЇ ТРАНСФОРМАЦІЇ
ДЕФЕКТНОЇ СИСТЕМИ
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня доктора
фізико-математичних наук
Київ - 1999
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної академії наук України
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор Сизов Федір Федорович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділом;
доктор фізико-математичних наук, професор, Гнатенко Юрій Павлович, Інститут фізики НАН України, завідувач відділом;
доктор фізико-математичних наук, Берченко Микола Миколайович, державний університет «Львівська політехніка», професор кафедри.
Провідна установа: Чернівецький Державний університет ім. Юрія Федьковича, кафедра фізичної електроніки, Міністерство освіти України, м. Чернівці.
Захист відбудеться 23 квітня 1999 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, 252028, проспект Науки 45.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України, Київ, 252028, проспект Науки 45.
Автореферат розісланий 22_ березня 1999 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Іщенко С. С.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Інтенсивний розвиток методів і засобів інфрачервоної (ІЧ) фотоелектроніки і їх активне використання в різних сферах людської діяльності в останні десятиріччя стимулювали пошук і розробку нових напівпровідникових матеріалів і структур, фоточутливих у ІЧ-області спектру, зокрема у вікні прозорості атмосфери 8-14 мкм. Центральне місце в ІЧ-оптоелектронному матеріалознавстві і приладобудуванні у цьому спектральному діапазоні у силу специфіки фотоелектричних, електрофізичних і фізико-хімічних властивостей зайняли напівпровідникові тверді розчини на основі телуридів кадмію, ртуті CdxHg1-xTe (КРТ) із x»0.2 (ширина забороненої зони Eg=0.1 еВ). Слід відзначити, що синтез і перші дослідження цього матеріалу були проведені ученими Франції і України. Підвищений інтерес дослідників і розроблювачів до цього матеріалу не тільки зберігається, але й постійно зростає, про що свідчить неухильний ріст числа наукових публікацій з досліджень його електронних, оптичних, фотоелектронних, структурних і ін. властивостей, спрямованих на вирішення важливих наукових проблем, практичних задач, виявлення усього спектру його функціональних можливостей.
У зв’язку із створенням і розвитком нової елементної бази ІЧ-оптоелектроніки (багатоелементні матричні фокальні площини, SPRITE-елементи, надгратки, варізонні структури і ін.) багатоцільового призначення, в т. ч. для роботи в екстремальних умовах, великого значення набувають дослідження нерівноважних процесів, механізмів природної і стимульованої зовнішніми полями різної фізичної природи трансформації системи дефектів, їх впливу на електронні і фотоелектронні властивості матеріалу.
Важливість цих досліджень обумовлена з наукової точки зору пошуком домінуючих механізмів взаємодії цих полів із речовиною, що є однією з фундаментальних проблем фізики твердого тіла. З прикладної точки зору це зумовлено перспективами створення: новітніх технологій одержання і модифікації об'ємних кристалів, шарів, приладних структур, підвищення їх деградаційної стійкості й усталеністю до зовнішніх впливів у напівпровідниковому матеріалознавстві; фотоперетворювачів, у т. ч. нових типів, із високими функціональними параметрами: високою чутливістю, низьким рівнем власних шумів, малою інерційністю і ін. в інфрачервоному приладобудуванні; нових ефективних методів неруйнуючого контролю параметрів матеріалів і структур для експериментальних наукових досліджень і виробництва.
Розрізненість досліджень, проведених по вивченню, як правило, окремих властивостей матеріалу, виконаних до того ж у лабораторіях, що використовують різні індивідуальні технології і вихідні матеріали, не завжди дозволяла сформулювати узагальнюючі висновки відносно структурно-залежних властивостей матеріалу, напрямкам його модифікації при зовнішніх впливах.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: ФОТОЕЛЕКТРОННІ ПРОЦЕСИ В ТВЕРДИХ РОЗЧИНАХ НА ОСНОВІ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ, РТУТІ В УМОВАХ ПРИРОДНОЇ І СТИМУЛЬОВАНОЇ ТРАНСФОРМАЦІЇ ДЕФЕКТНОЇ СИСТЕМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок