Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ТА РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В БАГАТОДОЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ n-Ge ТА n-Si

ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ТА РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В БАГАТОДОЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ n-Ge ТА n-Si

Назва:
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ТА РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В БАГАТОДОЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ n-Ge ТА n-Si
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,45 KB
Завантажень:
168
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
Міністерство освіти і науки України
Волинський державний університет
імені Лесі Українки
Захарчук Дмитро Андрійович
УДК 621.382:544.022.37
ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ТА РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В БАГАТОДОЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ n-Ge ТА n-Si
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Луцьк-2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики Луцького державного технічного університету Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Федосов Анатолій Васильович,
Луцький державний технічний університет
професор кафедри фізики
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Шендеровський Василь Андрійович, провідний науковий співробітник Інституту фізики НАН України (м. Київ);
кандидат фізико-математичних наук,
Хіврич Володимир Ількович, старший науковий співробітник відділу радіаційної фізики Інституту ядерних досліджень НАН України (м. Київ).
Провідна установа:
Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, м. Чернівці.
Захист відбудеться “ 16 ” березня 2005р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К.32.051.01 при Волинському державному університеті імені Лесі Українки Міністерства освіти і науки України за адресою: 43000, м. Луцьк, вул. Потапова, 9.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Волинського державного університету імені Лесі Українки за адресою: 43000, м. Луцьк, вул. Винниченка , 30.
Автореферат розісланий “ 12 ” лютого 2005р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Божко В.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. За останні кілька десятків років твердотільна електроніка зазнала кардинальних змін, що визначили розвиток обчислювальної і вимірювальної техніки, радіоелектроніки, автоматики, оптоелектроніки, телемеханіки і енергетики. Основними матеріалами для виробництва найширшого класу електронних приладів є багатодолинні напівпровідники, серед яких центральне місце посідають германій та кремній.
Монокристали германію та кремнію, що використовуються у мікроелектроніці та приладобудуванні, суттєво змінюють свої фізичні характеристики під дією різних фізико-активних впливів, таких як великі механічні навантаження, швидкозмінні температурні режими, радіація, світло та інші. У зв’язку з цим виникає необхідність детального вивчення властивостей цих матеріалів, що створить передумови для врахування зазначених впливів при конструюванні різного роду напівпровідникових датчиків, інтегральних мікросхем тощо.
Направлені деформаційні впливи на кристали, що змінюють як міжатомні відстані, так і симетрію ґратки, призводять до найбільш істотних змін енергетичного спектра електронів у багатодолинних напівпровідниках. Висока інформативність методу дослідження тензоефектів у напівпровідникових кристалах має велике значення як в науковому, так і в прикладному аспектах, оскільки дає важливу інформацію про зонну структуру, анізотропію фізичних властивостей, особливості розсіяння носіїв заряду тощо.
Найголовніші параметри напівпровідників для твердотільної електроніки визначаються наявністю і просторовим розподілом у кристалі домішкових атомів та інших дефектів. Нерівномірність розподілу домішок та дефектів призводить до існування в реальних напівпровідниках неоднорідностей за електрофізичними, рекомбінаційними, оптичними та іншими характеристиками. Сучасні кристали германію та кремнію, в яких донорні або акцепторні домішки з мілкими рівнями компенсовані домішками чи радіаційними дефектами з глибокими локальними рівнями, активно застосовуються для створення швидкодіючих приладів, активних елементів інтегральних схем, детекторів ядерних випромінювань. Таким чином, вивчення впливу неоднорідності розподілу домішок у кристалах германію та кремнію є актуальною і важливою проблемою як у наукових дослідженнях, так і в промисловій індустрії.
Радіаційні дефекти в германії та кремнії є центрами сильної локалізації електронів з глибокими рівнями в забороненій зоні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВПЛИВ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ТА РАДІАЦІЙНИХ ДЕФЕКТІВ НА ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ В БАГАТОДОЛИННИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ n-Ge ТА n-Si

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок