Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ / сторінка 10

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,16 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

Также, в работе получен вид граничных условий, наложенных на огибающие функции и их производные на гетеропереходах сверхрешеток с кусочно-гладкой пространственной зависимостью материальных параметров. Показана связь матрицы переноса с матрицей Вронского соответствующего дифференциального уравнения.
Проведено моделирование зависимости величины энергетических промежутков между минизонами зон проводимости и валентных зон ряда короткопериодных сверхрешеток (GaAs)N/(AlAs)M от параметров полученных граничных условий, а также от силы Г-Х смешивания в этих гетероструктурах. При этом установлено, что учет смешивания Г1- и X3z-состояний при фиксированном значении параметра граничных условий позволяет добиться совпадения экспериментальных и расчетных значений энергий переходов между минизонами в короткопериодных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M с четным значением М.
Кроме того, в работе получен общий вид матрицы переноса для сверхрешеток с произвольным профилем пространственной зависимости потенциала и проведен расчет энергетических состояний в модели, учитывающей наличие переходной области в окрестности гетеропереходов. При этом установлено, что потенциал указанной переходной области должен быть асимметричен (с затяжкой в GaAs) по отношению к плоскости гетерограницы.
Проведенные в рамках теории функционала электронной плотности структурные исследования ряда симметричных сверхрешеток (GaAs)N/(AlAs)N позволили определить параметры неоднородного поля смещений в окрестности гетерограниц. Полученные характеристики использовались при построении модели, учитывающей влияние поля неоднородных деформаций на энергетические состояния носителей в рассмотренных гетероструктурах. При этом, установлен вид дополнительных членов эффективного гамильтониана, возникающих при учете индуцированного всесторонним давлением поля деформаций, а также найдены соответствующие граничные условия.
Ключевые слова: сверхрешетка, GaAs, AlAs, Si, концепция минимальных комплексов зон, ab initio расчеты, огибающая функция, энергетические состояния.
SUMMARY
Glukhov K.E. Electronic states of superlattices and influence on them of the grow defects and external factors. – Manuscript.
Thesis for Candidate of Science degree in physics and mathematics in speciality 01.04.10 – physics of semiconductors and insulators. – Uzhgorod National University, Uzhgorod, 2007.
The thesis deals with the investigation of energy states of the electron subsystem in semiconducting superlattices. The symmetry-topological peculiarities of the valence band of АIV and AIIIBV-type cubic semiconductors and superlattices built upon them have been investigated. Comparing the results obtained in group-theoretical and ab initio approaches a possibility of elementary energy bands’ concept application to describe the main peculiarities of spatial valence charge distribution in a unit cell of such materials has been established.
The boundary conditions imposed on the envelope functions and their derivatives on heterojunctions with piecewise-smooth potential have been obtained. The modeling of the dependences of energy intervals between the lowest minibands on the parameters of obtained boundary conditions, as well as on Г-X mixing strength, has been carried out for a number of short-period (GaAs)N/(AlAs)M superlattices.
General form of the transfer matrix for a superlattice with an arbitrary potential profile has been obtained and the calculations of the energy states within the corresponding model have been carried out. First-principles studies of the structural relaxation in a number of symmetrical (GaAs)N/(AlAs)N superlattices allowed to obtain the parameters of inhomogeneous displacement field in the heterojunction vicinity. The form of additional terms of the effective Hamiltonian, arising due to taking into account pressure induced deformation field, as well as the corresponding boundary conditions has been established.
Keywords: superlattice, GaAs, AlAs, Si, elementary energy bands concept, ab initio calculations, envelope function, energy states.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок