Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ / сторінка 3

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,16 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 

5. Вперше у модельному гамільтоніані враховано доданки, пов’язані з наявністю індукованого зовнішнім тиском та внутрішніми зміщеннями неоднорідного поля деформацій. Одержано відповідні ГУ і показано, що вони мають діагональну структуру.
Практичне значення одержаних результатів. Підтвердження можливості застосування концепції МКЗ до НҐ може бути використане для реалістичних оцінок особливостей хімічного зв’язку у цих штучних матеріалах.
Одержана структура ГУ у моделі з просторово-залежними матеріальними параметрами, відомості про еволюцію мінізонного спектру при наявності змішування станів та при врахуванні перехідного шару, пов’язаного з недосконалостями ГП, може бути використана при інтерпретації результатів експериментальних досліджень властивостей електронної підсистеми в цих ГС, зокрема одержаних методом низькотемпературної фотолюмінісценції.
Побудована модель впливу деформацій на енергетичні стани НҐ, може бути застосована при проектуванні нових напівпровідникових приладів, зокрема лазерів з переналаштовуваною довжиною хвилі генерації, активним середовищем яких є НҐ.
Особистий внесок здобувача. Дисертант в моделі ОФ провів теоретичні та числові розрахунки поведінки енергетичних станів короткоперіодних НҐ (GaAs)N/(AlAs)M при різних типах параметризації ГУ,3,7–12]. Здобувач провів першопринципні розрахунки основного стану, оптимальної геометрії та розподілу електронної густини НҐ GaAs/AlAs–6,12–14] та Si/Ge,6,14]. Дисертантом були застосовані теоретико-групові методи концепції МКЗ до аналізу структури валентної зони високосиметричних кристалів типу AIV і AIIIBV, а також НҐ на їх основі,6,12,13]. Здобувач одержав та проаналізував вигляд ГУ, накладених на ОФ, а також дослідив поведінку енергетичних проміжків між мінізонами при наявності просторової залежності матеріальних параметрів в околі ГП,4,7] та при прикладанні до НҐ всебічного тиску]. Дисертант приймав участь у постановці задачі, виконанні, обговоренні та оформленні результатів усіх опублікованих робіт.
Апробація результатів дисертації. Матеріали дисертаційної роботи були представлені на наступних наукових конференціях та семінарах:
· Europhysics Conference „Elementary Processes in Atomic Systems” EPAS’2000 (Ужгород, Україна, 2000).
· XXX International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Яшовець, Польща, 2001).
· VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics (UPEMFP'2002) (Ужгород-Синяк, Україна, 2002).
· XXXII International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Яшовець, Польща, 2003).
· Українська наукова конференція з фізики напівпровідників (за участю зарубіжних науковців) (УНКФН-2) (Чернівці-Вижниця, Україна, 2004).
· XXXIV International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Яшовець, Польща, 2005).
· XXXV International School on the Physics of Semiconducting Compounds (Яшовець, Польща, 2006).
Публікації. За матеріалами дисертації опубліковано 14 робіт: з них 7 статей у наукових журналах та 7 тез доповідей на наукових конференціях.
Структура та об’єм роботи. Дисертація складається зі вступу, чотирьох розділів, висновків і списку використаних джерел (111 найменувань). Робота викладена на 162 сторінках, містить 24 рисунки та 57 таблиць.
ОСНОВНИЙ ЗМІСТ РОБОТИ
У вступі обґрунтовано актуальність теми дисертаційної роботи, сформульовано її мету, визначені основні завдання дослідження, наукова новизна та практичне значення одержаних результатів.
Перший розділ містить огляд основних методів теоретичного розрахунку енергетичних станів НҐ. Проведено порівняння першопринципних та модельних підходів до розрахунків зонного спектру вказаних ГС. Тут представлено відомості про типи ГУ, які застосовуються при дослідженнях енергетичних станів НҐ у методі ОФ, а також вказані головні положення та ідеї концепції МКЗ, яка успішно застосовувалася для опису симетрійної будови валентних зон та просторового розподілу електронної густини у звичайних кристалах ромбічної сингонії*].

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок