Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Скачати реферат безкоштовно: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ / сторінка 8

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,16 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
У результаті розрахунку енергетичних станів розглядуваних НҐ у моделі з врахуванням перехідного шару встановлено, що для узгодження цих величин з їхніми експериментальними значеннями перехідний шар має бути асиметричним по відношенню до площини ГП.
7. Одержано ефективний гамільтоніан для опису станів НҐ при дії зовнішніх тисків та знайдено відповідні ГУ, які виявилися діагональними, що свідчить про можливість задовільного опису індукованих тиском змін у мінізонному спектрі цих ГС у рамках діагонального наближення.
СПИСОК ОПУБЛІКОВАНИХ ПРАЦЬ ЗА ТЕМОЮ ДИСЕРТАЦІЇ
1. BerchaBogdanGlukhovEnergy states and type of (GaAs)N/(AlAs)M short-period superlattices // Uzhhorod University Scientific Herald. Series Physics. – 2000. – №8. – P.75-79.
2. BerchaGlukhovKharkhalisEnergy states in superlattices connected with incommensurate phase presenceCondensed Matter Physics.– 2003.– V.6, №2.– P. .
3. Глухов К.Е., Берча А.И., Корбутяк Д.В., Литовченко В.Г. Энергетические состояния в короткопериодных симметричных и асимметричных сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M. Зависимость от граничных условий // ФТП. – – т.38, вып.4. – C.426-435.
4. Глухов К.Є., Берча Д.М. Аналіз впливу перехідного шару на енергетичні стани короткоперіодних надґраток (GaAs)N/(AlAs)M // Вісник Чернівецького національного університету. Серія “Фізика”. – 2005. – №237. – C.86–90.
5. SznajderGlukhovSlipukhina I.V. Universality of the empty lattice approximation to predict the topology of energy spectra of high-symmetry crystalls and superlattices based upon themActa Physica Polonica A.– 2006.– V.110, №3.– P.369-378.
6. BerchaGlukhovSznajderElementary energy bands in the band structure AIV, AIIIBV crystals and superlattices built upon them // phys. stat. sol. (b).–2007.– V.244, №4.– P.1318–1336.
7. Глухов К.Є., Берча Д.М. Граничні умови в методі обвідної функції та вплив на них зовнішніх факторівВісник Ужгородського національного університету. Серія “Фізика”. – 2006. – вип. 19. – С.20–25.
8. Bercha A.I., Bogdan R., Glukhov K. Energy states and type of (GaAs)N/(AlAs)M short-period superlattices // Europhysics Conference Elementary Processes in Atomic Systems EPAS’2000. Abstract and conference programme – 2000. – P.20.
9. GlukhovBercha A.I., Bercha D.M. The Energy States in GaAs/AlAs Superlattices with Elements of Disoder// XXX International School on Physics of Semiconducting Compounds. Abstract booklet. – Jaszowiec (Poland). – 2001. – P.10.
10. BerchaGlukhovKharkhalis L.Yu. Energy states in superlattices connected with incommensurate phase presence// VI Ukrainian-Polish and II East-European Meeting on Ferroelectrics Physics (UPEMFP' 2002) Program and Abstract Book. – Sinjak (Ukraine). – 2002. – P.105.
11. GlukhovBercha A.I., Adamiec P. The Energy States and Boundary Conditions in Symmetrical and Asymmetrical Short-Period Superlattices (GaAs)N/(AlAs)M// XXXII International School on Physics of Semiconducting Compounds. Abstract booklet. – Jaszowiec (Poland). – . –.
12. Глухов К.Є., Берча Д.М. Формування поля зміщень атомів на інтерфейсі в ab initio розрахунках та дослідження його впливу на граничні умови та енергетичні стани в симетричних та асиметричних надґратках (GaAs)N/(AlAs)MТези доповідей ІІ української наукової конференції з фізики напівпровідників (за участі зарубіжних науковців) "УНКФН-2". – Чернівці-Вижниця. – 2004. – Т. 2. – C. .
13. M. Sznajder, L.Yu. Kharkhalis, I.V. Slipukhina, K.E. Glukhov. The idea of the elementary energy bands applied to the investigation of electron density distribution in rhombic crystals with various chemical bonding // Program and Abstracts of XXXIV International school on the physics of semiconducting compounds. – Jaszowiec, Poland.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок