Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Безкоштовно реферат скачати: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ / сторінка 9

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,16 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
– 2005. – P. .
14. M. Sznajder, D.M. Bercha, K.E. Glukhov, I.V. Slipukhina. Universality of the empty-lattice approximation to predict the topology of energy spectra of high-symmetry crystals and superlattices based upon them // Proceedings of the XXXV International school on the physics of semiconducting compounds. – Jaszowiec, Poland. – 2006. –P. 39.
СПИСОК ЦИТОВАНОЇ ЛІТЕРАТУРИ
1*. Bercha D.M., Slipukhina I.V., Sznajder M., Rushchanskii K.Z. Elementary energy bands in the band structure of the narrow-band-gap semiconductor CdSb // Phys.– 2004.– V. 70, №23.– P. 235206–235214.
2*. Litovchenko V.G., Korbutyak D.V., Krylyuk S., Grahn H.T., Ploog K.H. Enhancement of electron-phonon interaction in ultrashort-period GaAs/AlAs superlattices // Phys. Rev. B.– 1997.– V. 55, №16.– P. 10621–10624.
3*. ZhuKroemer H. Interface connection rules for effective-mass wave functions at an abrupt heterojunction between two different semiconductors // Phys.– 1983. – Vol. , №6. – P. –3527.
4*. Алайнер И.Л., Ивченко Е.Л. Электронные состояния в сверхрешетках (GaAs)N/(AlAs)M при четном и нечетном MФТП.– 1993.– Т. , №4. – С. –599.
АНОТАЦІЯ
Глухов К.Є. Електронні стани надґраток і вплив на них дефектів росту та зовнішніх факторів. – Рукопис.
Дисертація на здобуття наукового ступеня кандидата фізико-математичних наук за спеціальністю 01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків. – Ужгородський національний університет, Ужгород, 2007.
Дисертаційна робота присвячена дослідженню енергетичних станів електронної підсистеми напівпровідникових надґраток. Вивчено симетрійно-топологічні особливості будови валентної зони кубічних напівпровідників типів АIV та AIIIBV, а також надґраток на їх основі. Шляхом порівняння з результатами одержаними в ab initio підході, встановлено можливість застосування концепції мінімальних комплексів зон для визначення головних особливостей просторового розподілу густини валентного заряду у цих матеріалах.
Також у роботі одержано вигляд граничних умов, що накладаються на обвідні функції та їх похідні на гетеропереходах надґраток з кусково-гладкою просторовою залежністю матеріальних параметрів. Проведено моделювання залежності величини енергетичних проміжків між нижніми мінізонами ряду короткоперіодних надґраток (GaAs)N/(AlAs)M від параметрів одержаних граничних умов, а також від сили Г-Х змішування у цих гетероструктурах.
Одержано загальний вигляд матриці перенесення для надґратки з довільним профілем потенціалу та проведено розрахунок енергетичних станів у відповідній моделі. При першопринципних дослідженнях структурної релаксації ряду симетричних надґраток (GaAs)N/(AlAs)N, визначено параметри неоднорідного поля зміщень в околі гетерограниць. Встановлено вигляд додаткових членів ефективного гамільтоніана, які виникають при врахуванні індукованого всебічним тиском поля деформацій, а також знайдені відповідні граничні умови.
Ключові слова: надґратка, GaAs, AlAs, Si, концепція мінімальних комплексів зон, ab initio розрахунки, обвідна функція, енергетичні стани.
АННОТАЦИЯ
Глухов К.Е. Электронные состояния сверхрешеток и влияние на них дефектов роста и внешних факторов. – Рукопись.
Диссертация на соискание ученой степени кандидата физико-математических наук по специальности 01.04.10 – физика полупроводников и диэлектриков. – Ужгородский национальный университет, Ужгород, 2007.
Диссертационная работа посвящена исследованию энергетических состояний электронной подсистемы полупроводниковых сверхрешеток. Изучены симметрийно-топологические особенности строения валентной зоны кубических полупроводников типов АIV и AIIIBV, а также сверхрешеток на их основе. Путем сравнения результатов, полученных в теоретико-групповом подходе, с результатами первопринципных расчетов, установлена возможность применения концепции минимальных комплексов зон для определения главных особенностей пространственного распределения плотности валентного заряда в элементарных ячейках этих материалов.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок