Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

Назва:
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,16 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
МІНІСТЕРСТВО ОСВІТИ І НАУКИ УКРАЇНИ
УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ГЛУХОВ
КОСТЯНТИН ЄВГЕНІЙОВИЧ
УДК 538.911/.915:621.382+544.225.22
ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ
ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Ужгород – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі фізики напівпровідників та в Науково-дослідному інституті фізики і хімії твердого тіла Ужгородського національного університету Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Берча Дарія Михайлівна,
Ужгородський національний університет МОН України,
професор кафедри фізики напівпровідників
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, с. н. с.
Яремко Анатолій Михайлович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лошкарьова НАН
України (м. Київ), провідний науковий співробітник відділу
оптики та спектроскопії напівпровідників
доктор фізико-математичних наук, професор
Лукіянець Богдан Антонович,
Національний університет “Львівська політехніка” МОН
України (м. Львів), професор кафедри інженерного матеріа-
лознавства та прикладної фізики
Провідна установа: Чернівецький національний університет ім. Ю. Федьковича МОН України, кафедра фізики напівпровідників і наноструктур, м. Чернівці
Захист відбудеться 18.05.2007 р. о  годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К61.051.01 в Ужгородському національному університеті Міністерства освіти і науки України за адресою: м. Ужгород, вул. Волошина, 54 ауд. 181.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Ужгородського національного університету за адресою м. Ужгород, вул. Капітульна, 9.
Автореферат розісланий 17.04.2007 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради К61.051.01
доктор фіз.-мат. наук, проф. Міца В.М.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сучасну мікро- та наноелектроніку не можна уявити без широкого використання штучних матеріалів. Одним з яскравих представників цього типу структур є напівпровідникова надґратка (НҐ) – матеріал з додатковою періодичністю, в якому проявляються ефекти розмірного квантування. Завдяки успіхам технології вирощування надґраткових структур сьогодні існує можливість створювати досконалі штучні системи з майже довільною структурою. Фізичні властивості таких систем також можуть змінюватися у широких межах, а отже, на перший план виступає задача прогнозування фундаментальних параметрів цих матеріалів, успішний розв’язок якої здатен суттєво покращити характеристики тих існуючих пристроїв електроніки, функціонування яких пов’язане з НҐ. Слід зазначити, що теоретичні розрахунки енергетичних станів НҐ, навіть сучасними першопринципними методами, пов’язані зі значними труднощами і не завжди відтворюють експериментальні дані (наприклад, щодо типу переходів у матеріалі). Це пов’язано з тим, що першопринципні розрахунки спираються на модель НҐ як кристалу зі значно збільшеною елементарною коміркою (ЕК). Така модель вимагає перевірки на придатність. Оскільки симетрія є однією з основних ознак кристалічного стану, успішне застосування методів теоретико-групового аналізу до дослідження енергетичних станів НҐ може служити додатковим аргументом на користь цієї „кристалічної” точки зору на НҐ. Поряд з таким надкомірковим підходом, широко застосовним методом одержання енергетичних станів шаруватих гетероструктур (ГС) є метод обвідної функції (ОФ). Однак, у літературних джерелах зустрічаються суперечливі відомості щодо структури граничних умов (ГУ), накладених на обвідні та їхні похідні на гетеропереходах (ГП). Тому актуальною є задача розробки надійних, обґрунтованих та відносно простих методів теоретичного дослідження властивостей електронної підсистеми НҐ, які були б спроможні вірно відтворювати експериментальні дані щодо головних особливостей їхньої енергетичної структури. Окрім того, для практичного використання цих матеріалів важливою є можливість впливу на їхні фізичні властивості, а отже, і можливість керування характеристиками приладів на їхній основі (наприклад, зміною довжини хвилі випромінювання напівпровідникових твердотільних лазерів на базі НҐ при прикладанні всебічного тиску).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЕЛЕКТРОННІ СТАНИ НАДҐРАТОК І ВПЛИВ НА НИХ ДЕФЕКТІВ РОСТУ ТА ЗОВНІШНІХ ФАКТОРІВ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок