Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> НЕСТІЙКОСТІ СТРУМУ В GaAs З УДАРНОЮ ІОНІЗАЦІЄЮ ТА ТУНЕЛЬНИМИ ЕФЕКТАМИ

НЕСТІЙКОСТІ СТРУМУ В GaAs З УДАРНОЮ ІОНІЗАЦІЄЮ ТА ТУНЕЛЬНИМИ ЕФЕКТАМИ

Назва:
НЕСТІЙКОСТІ СТРУМУ В GaAs З УДАРНОЮ ІОНІЗАЦІЄЮ ТА ТУНЕЛЬНИМИ ЕФЕКТАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,38 KB
Завантажень:
163
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ХАРКІВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
імені В.Н. КАРАЗІНА
Боцула Олег Вікторович
УДК 621.382.2, 576.8.21
НЕСТІЙКОСТІ СТРУМУ В GaAs З УДАРНОЮ ІОНІЗАЦІЄЮ
ТА ТУНЕЛЬНИМИ ЕФЕКТАМИ
01.04. 04 - фізична електроніка
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Харків 2007
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Харківському національному університеті
імені В. Н. Каразіна Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук, професор
Прохоров Едуард Дмитрович,
Харківський національний університет імені В.Н. Каразіна,
професор кафедри фізичної і біомедичної електроніки та комплексних інформаційних технологій.
Офіційні опоненти:
чл.-кор. НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор
Ваврів Дмитро Михайлович
Радіоастрономічний інститут НАН України, м. Харків, завідувач відділу електронних НВЧ приладів.
доктор фізико-математичних наук, професор
Карась В’ячеслав Ігнатович,
ННЦ “Харківський фізико-технічний інститут”, Інститут плазмової електроніки та нових методів прискорення, м. Харків, начальник теоретичної лабораторії.
Захист відбудеться “_25 ” __січня___2008 р. о _1530__ годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д. 64.051.02 Харківського національного університету імені В.Н. Каразіна за адресою: 61077, м. Харків, пл. Свободи 4, ауд. 3-9.
З дисертацією можна ознайомитись у Центральній науковій бібліотеці Харківського національного університету імені В. Н. Каразіна за адресою: 61077, м. Харків, пл. Свободи 4.
Автореферат розісланий _17_ ” __грудня_______2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради А.Ф. Ляховський


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В наш час існує необхідність в ефективних активних елементах для використання в техніці високих частот для генерації, модуляції, управління процесами, що за своїми параметрами та характеристиками переважали б існуючі активні елементи. Пошук можливостей підвищення ефективності, розширення частотного діапазону та функціональності йде як у напрямку створення елементів, що працюють на нових явищах та ефектах, так і у напрямку використання традиційних ефектів та покращення параметрів існуючих приладів, що стало можливим завдяки досягненням в області технології виготовлення напівпровідникових структур, результатам фундаментальних досліджень про будову і властивості напівпровідникових матеріалів, що були отримані в останні роки.
Одним з ефектів, що найбільш широко використовується для створення приладів НВЧ діапазону, є ефект міждолинного переносу електронів (МПЕ). Граничні частоти роботи, ефективність та функціональність приладів з МПЕ можуть бути суттєво розширені при сполученні ефекту міждолинного переносу електронів (МПЕ) з ударною іонізацією та тунельними явищами при використанні складних структур, в яких ці ефекти можуть існувати одночасно. Для створення приладів з регульованими параметрами може знайти застосування ударна іонізація, оскільки властивості області напівпровідника, у якій вона виникає, можуть значно змінюватися. Стосовно приладів із МПЕ, то цікавим є випадок використання ударної іонізації домішок, оскільки це дозволяє змінювати параметри напівпровідника в широких межах без зміни типу провідності, що особливо важливо для роботи НВЧ - генераторів. Незважаючи на те, що дана проблема не є новою, практично мало вивченим залишається випадок такої нейтральної глибокої домішки як, наприклад, хром в GaAs. Ефекти, пов'язані з легуванням хромом, на відміну від багатьох інших випадків в GaAs проявляються при кімнатних температурах і при тих же параметрах, що й ефекти, пов’язані з МПЕ, що призводить до необхідності їх комплексного розгляду.
По зроблених теоретичних оцінках і отриманих на сьогоднішній день результатах напівпровідникові структури з тунельними ефектами здатні працювати на частотах терагерцового діапазону при кімнатній температурі. Структура на основі тунелювання може бути джерелом високоенергетичних електронів і може бути використана для розігріву електронів у діодах із МПЕ.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: НЕСТІЙКОСТІ СТРУМУ В GaAs З УДАРНОЮ ІОНІЗАЦІЄЮ ТА ТУНЕЛЬНИМИ ЕФЕКТАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок