Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Технологічні основи вирощування кристалів сполук AIIBVI з розплаву під тиском інертного газу

Технологічні основи вирощування кристалів сполук AIIBVI з розплаву під тиском інертного газу

Назва:
Технологічні основи вирощування кристалів сполук AIIBVI з розплаву під тиском інертного газу
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
33,42 KB
Завантажень:
164
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 
Національна Академія наук України
Науково-технологічний концерн “Інститут монокристалів”
Інститут монокристалів
Комар Віталій Корнійович
УДК 548.522:[546.47'23+546.48'47'24]
Технологічні основи вирощування
кристалів сполук AIIBVI з розплаву
під тиском інертного газу
05.02.01 – матеріалознавство
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Харків – 2001
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Науково-дослідному відділенні “Оптичні та конструкційні кристали” Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів”
НАН України.
Науковий консультант: Доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Пузіков Вячеслав Михайлович,
директор Науково-дослідного відділення “Оптичні та конструкційні кристали”
Науково-технологічного концерну“
Інститут монокристалів” НАН України.
Офіційні опоненти:
Член-кореспондент НАН України, доктор технічних наук, професор
Гриньов Борис Вікторович, генеральний директор Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України.
Член-кореспондент НАН України, доктор фізико-математичних наук, професор Блонський Іван Васильович, заступник директора, завідувач лабораторії фотоакустики та оптики Інституту фізики НАН України.
Доктор технічних наук, професор Конакова Раїса Василівна, провідний науковий співробітник відділу напівпровідникових гетеросистем Інституту фізики напівпровідників НАН України.
Провідна установа: Національний аерокосмічний університет
ім. М. Є. Жуковського “ХАІ”
Міністерства освіти і науки України,
кафедра авіаційного матеріалознавства.
Захист відбудеться “ 19 ” грудня 2001 р. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 при Інституті монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України.
Адреса: 61001, м. Харків, пр. Леніна, 60.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту монокристалів Науково-технологічного концерну “Інститут монокристалів” НАН України.
Автореферат розісланий “ 15 ” листопада 2001 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат технічних наук Л. В. Атрощенко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Сучасний науково-технічний прогрес нерозривно пов'язаний із розробкою та освоєнням нових матеріалів. Серед матеріалів близького майбутнього без сумніву знаходиться цілий клас напівпровідникових сполук типу АIIВVI, що створені елементами другої (Cd,Zn,Hg) і шостої (S,Se,Te) груп періодичної системи елементів.
Інтерес до II-VI сполук обумовлено поєднанням у них багатьох цікавих фізичних властивостей, що дозволяють використовувати ці кристали у різноманітних приборах та приладах оптики, акустики, електроніки, ядерної фізики та ін. Передусім, II-VI сполуки являють собою напівпровідники, ширина забороненої зони котрих охоплює діапазон від сотих часток еВ (у халькогенідах ртуті) до 3,7 еВ (у сульфіді цинку). З точки зору оптичних використань матеріали цієї групи перекривають спектральний діапазон довжин хвиль від 0,3 мкм до декількох десятків мкм. І, що не менш важливо, для II-VI сполук характерна широка взаємна сумісність, яка дозволяє на основі твердих розчинів цих сполук конструювати нові матеріали із заданою шириною забороненої зони, спектральним діапазоном пропускання, параметрами кристалічної гратки та іншими характеристиками.
Матеріали АIIВVI значно менш розроблені, а їх застосування поки що не настільки численні, як у напівпровідників групи АIIIВV. І зовсім очевидним є той факт, що широкому використанню II-VI сполук перешкоджає недослідженність багатьох процесів, пов'язаних із отриманням цих кристалів, а також технічні складності, що виникають при створенні відповідного ростового обладнання. Тому розробка промислових методів вирощування напівпровідникових кристалів сполук типу АIIВVI із розплаву під тиском інертного газу, а також реалізація цих методів на основі нових конструктивних рішень для технологічного обладнання, є актуальною проблемою сучасного матеріалознавства.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20 



Реферат на тему: Технологічні основи вирощування кристалів сполук AIIBVI з розплаву під тиском інертного газу

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок