Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> УТВОРЕННЯ, ТРАНСФОРМАЦІЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У НАПІВПРОВІДНИКОВОМУ КРЕМНІЮ

УТВОРЕННЯ, ТРАНСФОРМАЦІЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У НАПІВПРОВІДНИКОВОМУ КРЕМНІЮ

Назва:
УТВОРЕННЯ, ТРАНСФОРМАЦІЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У НАПІВПРОВІДНИКОВОМУ КРЕМНІЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,50 KB
Завантажень:
416
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
ЗАПОРІЗЬКИЙ ДЕРЖАВНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ТАЛАНІН Віталій Ігорович
УДК 621.315.592
УТВОРЕННЯ, ТРАНСФОРМАЦІЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У НАПІВПРОВІДНИКОВОМУ КРЕМНІЮ
Спеціальність 01.04.10. – фізика напівпровідників та діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Запоріжжя – 2001
Дисертацією є рукопис
Роботу виконано на кафедрі фізичної та біомедичної електроніки
Запорізької державної інженерної академії Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник
доктор технічних наук, професор Левінзон Давид Іделевич,
Гуманітарний університет "Запорізький інститут державного та муніципального управління", завідувач кафедри фізичної та біомедичної електроніки
Офіційні опоненти:
Доктор фізико-математичних наук, доцент Бахрушин Володимир Євгенійович
Гуманітарний університет "Запорізький інститут державного та муніципального управління", завідувач кафедри системного аналізу і вищої математики
Кандидат фізико-математичних наук, доцент Головко Ольга Петрівна,
ДП "Графі-Січ" при Запорізькому державному титано-магнієвому комбінаті, науковий консультант
Провідна установа:
Науковий центр "Інститут ядерних досліджень" Національної академії наук України, відділ радіаційної фізики
Захист відбудеться "07" лютого 2002 р. о 1500 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К17.051.04 при Запорізькому державному університеті за адресою: 69063, м. Запоріжжя, вул. Жуковського, 66, корпус № 1, ауд. 50.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Запорізького державного університета за адресою: 69063, м. Запоріжжя, вул. Жуковського, 66а, корпус № 2.
Автореферат розісланий "03" січня 2002 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради,
доцент Швець Ю.О.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Рівень технології напівпровідникових матеріалів значною мірою визначає розвиток сучасної електронної техніки, домінуючою тенденцією якого є подальше ускладнення і мініатюризація напівпровідникових приладів та мікросхем.
Оскільки напівпровідниковий кремній є й залишається у перспективі головним матеріалом у таких найважливіших галузях електронної промисловості як мікроелектроніка і наноелектроніка, силова напівпровідникова електроніка, функціональна електроніка, оптична та фотоелектроніка тощо, то керування процесами дефектоутворення та отримання кремнію із заданою дефектною структурою висувається до числа найважливіших проблем сучасного електронного матеріалознавства. У кремнієвих кристалах високої чистоти мікродефекти, які утворюються під час росту кристалів, при наступних технологічних впливах збільшуються у розмірі, а також трансформуються у дефекти інших видів, що веде до істотного погіршення надійності та електрофізичних характеристик відповідних пристроїв. Однак до тепер відсутні досить задовільні уявлення щодо механізму дефектоутворення у бездислокаційних монокристалах кремнію, вирощених методами безтигельної зонної плавки і Чохральського. Незважаючи на те, що дослідження ростових мікродефектів почалися ще у 1960-х роках, основні закономірності їхнього утворення та властивості остаточно не встановлені й не систематизовані.
Для вирішення цього завдання необхідно розкрити механізм дефектоутворення у бездислокаційному монокристалічному кремнію, якій отримано різними методами, з урахуванням реальних змін температурних умов росту та подальших термообробок, що є вкрай актуальним як з наукової, так і з практичної точки зору. Всебічне розуміння фізичних аспектів зародження, трансформації мікродефектів та їх впливу на властивості приладів дасть можливість істотно покращити як досконалість напівпровідникового кремнію, так і електрофізичні характеристики приладів та мікросхем, виготовлених на його основі.
Зв'язок роботи з науковими програмами, планами, темами.
Напрямок дисертаційної роботи відповідає тематиці держбюджетних науково-дослідних робіт, що виконувалися і продовжуються на кафедрі компонентів і матеріалів електронної техніки Запорізької державної інженерної академії:
1. "Дослідження фізичних властивостей і фазового стану твердотілих кремнієвих структур" (1997-1999 рр.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: УТВОРЕННЯ, ТРАНСФОРМАЦІЯ ТА ВЛАСТИВОСТІ РОСТОВИХ МІКРОДЕФЕКТІВ У НАПІВПРОВІДНИКОВОМУ КРЕМНІЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок