Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОРМУВАННЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge33As12Se55 - p-Si, МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕНОСУ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НИХ

ФОРМУВАННЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge33As12Se55 - p-Si, МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕНОСУ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НИХ

Назва:
ФОРМУВАННЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge33As12Se55 - p-Si, МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕНОСУ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НИХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,96 KB
Завантажень:
77
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Чернівецький державний університет
ім. Юрія Федьковича
КОНДРАТ ОЛЕКСАНДР БОРИСОВИЧ
УДК 539.21:537.1
ФОРМУВАННЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge33As12Se55 - p-Si,
МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕНОСУ
НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НИХ
Спеціальність 01.04.07 - Фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата
фізико-математичних наук
Чернівці - 1998


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі твердотільної електроніки і в Науково-дослідному інституті фізики і хімії твердого тіла Ужгородського державного університету.
Науковий керівник: професор, доктор фізико-математичних наук,
Лауреат Держпремії України в галузі науки і техніки, Заслужений винахідник України ДОВГОШЕЙ МИКОЛА ІВАНОВИЧ,
Ужгородський державний університет,
професор кафедри твердотільної електроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
ВЕНГРЕНОВИЧ РОМАН ДМИТРОВИЧ,
Чернівецький державний університет ім. Ю.Федьковича
завідувач кафедрою загальної фізики
доктор фізико-математичних наук, пр.н.с.
МАСЛЮК ВОДОДИМИР ТРОХИМОВИЧ,
Інститут електронної фізики НАН України,
завідувач відділом
Провідна організація - Львівський державний університет ім.Івана Франка
Захист відбудеться "__19__" __лютого____ 1999 р. о 15 годині на засіданні спеціалі- зованої ради Д 76.051.01 при Чернівецькому державному університеті ім. Ю.Федьковича
274012, м.Чернівці, вул.Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Чернівецького державного університету ім. Ю.Федьковича
(м.Чернівці, вул.Л.Українки, 23).
Автореферат розіслано "_28_" _грудня__ 1998 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради КУРГАНЕЦЬКИЙ М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В наш час не зникає зацікавленість дослідників до невпорядкованих напівпровідників. Халькогенідні склоподібні напівпровідники (ХСН), відкриті Н.А.Горюновою і Б.Т.Коломійцем в 1955 році, серед невпорядкованих напівпровідників займають особливе місце, оскільки їх дослідження є основою для створення загальних уявлень про електронні явища в невпорядкованих структурах. Про це свідчить відносно велика кількість монографій, присвячених даній тематиці. Крім того аморфні плівки ХСН вже знайшли широке практичне застосування.
Дослідження властивостей гетероструктур ХСН-кристал почалося ще на початку шістдесятих років і продовжується до теперішнього часу. Проста теоретична модель гетеропереходу аморфна речовина-кристал була запропонована в 1975 р. М.Бродскі і Г.Дохлером. Вона базується на концепції змінного бар'єру Шотткі, який забезпечує переважання стрибкового механізму провідності в аморфному напівпровідникові. Висока густина локалізованих електронних станів в аморфних напівпровідниках порівняно з металами відносно мала. З іншого боку вона достатньо висока для того, щоб аморфна частина переходу була більше подібна до металевої сторони діода Шотткі, ніж до кристалічного напівпровідника. Ця модель виявилася непоганим наближенням для пояснення властивостей гетеропереходу.
Гетеропереходи між кристалічним кремнієм і плівками ХСН почали досліджуватися з метою їх застосування при розробці в 1976 році транзисторних структур, в яких плівки ХСН з притаманним їм пороговим переключенням використовувалися в ролі емітера. В наш час ведеться пошук нових комбінацій плівка ХСН-кристал з метою створення гетероструктур нового функціонального призначення, а також гетероструктур, які мають підвищену радіаційну стійкість.
Більшість робіт по розробці та дослідженню такого класу гетероструктур виконані на бінарних ХСН. Використання складних ХСН значно розширює коло комбінацій пар гетероструктур аморфна плівка-кристал. Вибір гетероструктури Ge33As12Se55 - p-Si в ролі об'єкта досліджень зроблено на основі розрахунку порогу фотоемісії стекол системи Ge-As-Se. Це дало можливість побудувати імовірну енергетичну діаграму і припустити, що розрив зон провідності для гетероструктури з використанням плівок Ge33As12Se55 повинен бути близькиим до нуля, а розрив валентної зони досить значний (~0,7 еВ). Така гетероструктура повинна мати значний коефіцієнт випрямлення.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: ФОРМУВАННЯ ГЕТЕРОСТРУКТУР Ge33As12Se55 - p-Si, МЕХАНІЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ТА ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕНОСУ НОСІЇВ ЗАРЯДУ В НИХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок