Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ЗІ СКЛАДНОЮ СТРУКТУРОЮ ЗОН

ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ЗІ СКЛАДНОЮ СТРУКТУРОЮ ЗОН

Назва:
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ЗІ СКЛАДНОЮ СТРУКТУРОЮ ЗОН
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
29,78 KB
Завантажень:
210
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
ПОРОШИН Володимир Миколайович
УДК 539.2; 535.36
ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ЗІ СКЛАДНОЮ СТРУКТУРОЮ ЗОН
01.04.07- фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ- 2006


Дисертацією є рукопис
Роботу виконано в Інституті фізики Національної Академії Наук України
Науковий консультант:
доктор фізико-математичних наук, професор,
заслужений діяч науки і техніки України
Сарбей Олег Георгійович,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу електроніки твердого тіла
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор,
Бєляєв Олександр Євгенович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Е.Лашкарьова НАН України, завідувач відділу електричних та гальваномагнітних властивостей напівпровідників
доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України,
Томчук Петро Михайлович,
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділу теоретичної фізики
доктор фізико-математичних наук, професор,
Стахіра Йосип Михайлович,
Львівський Національний Університет,
завідувач кафедри фізики напівпровідників
Провідна установа: Київський Національний університет ім. Тараса Шевченка, фізичний факультет
Захист відбудеться ” 25 ” травня 2006 р о 14 годині 30 хв. на засіданні Спеціалізованої вченої ради Д26.159.01 при Інституті фізики НАН України за адресою: проспект Науки 46, м. Київ, 03028
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Інституту фізики НАН України
Автореферат розісланий ” 22 ” квітня 2006 р.
Вчений секретар Спеціалізованої вченої ради Чумак О.О.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Розвиток твердотільної оптоелектроніки для інфрачервоного (ІЧ) і субміліметрового (СМ) діапазонів спектру прямо пов’язаний з фундаментальними дослідженнями взаємодії світла з вільними носіями заряду і зумовлених нею різних оптичних явищ в напівпровідниках. Хоча такі дослідження ведуться досить давно, тривалий час вони обмежувалися лише лінійними явищами і були спрямовані, в основному, на визначення механізмів поглинання світла носіями. Створення лазерних джерел електромагнітного випромінювання цього діапазону привело до появи нових напрямків досліджень: електронного розсіяння світла (ЕРС) і оптичних нелінійностей та пов’язаних з ними різних нелінійних оптичних ефектів.
Інтерес до дослідження таких явищ пов’язаний з тим, що вони дають велику кількість інформації про властивості електронного газу. Наприклад, за спектрами ЕРС можна визначити вид електронного збудження, що спричинює розсіяння світла, його енергію і симетрію, кінетичні коефіцієнти, які визначають затухання збуджень, наприклад, коефіцієнти електронної дифузії і температуропровідності, час релаксації анізотропії розподілу електронів по імпульсах та ін., а також параметри зонної структури напівпровідника. Здійснюються спроби (і не марні) створення ІЧ лазерів на основі вимушеного електронного розсіяння світла.
Дослідження нелінійних оптичних явищ, пов’язаних з нелінійністю показника заломлення та коефіцієнта поглинання світла, дозволяє з’ясувати не тільки механізм нелінійності, але й її величину та час релаксації, що є необхідним для практичних використань в різних пристроях керування параметрами лазерних пучків, створення суто оптичних інформаційних систем і т.п. Відзначимо лише деякі переваги оптичних нелінійностей, пов’язаних з вільними носіями, у порівнянні з іншими типами нелінійностей – малий час релаксації (? 10 –11 сек) та можливість змінювати величину нелінійності зовнішніми впливами (електричними і магнітними полями, деформацією, зміною температури). Час релаксації цієї нелінійності визначається характерними часами різних електронних процесів, наприклад, релаксацією енергії носіїв, їх міждолинним перерозподілом і т.п., тому його визначення становить самостійний фізичний інтерес.
Енергетичний спектр носіїв у напівпровіднику є більш складним, ніж в газовій плазмі. Це зумовлює появу нових, не пов’язаних з флуктуаціями зарядової густини, механізмів одночастинкового розсіяння ними світла (див.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ ЕЛЕКТРОННОГО ГАЗУ В НАПІВПРОВІДНИКАХ ЗІ СКЛАДНОЮ СТРУКТУРОЮ ЗОН

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок