Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ВЗАЄМОДІЯ CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs ТА InAs З ВОДНИМИ РОЗЧИНАМИ H2O2–МІНЕРАЛЬНА КИСЛОТА–РОЗЧИННИК

ВЗАЄМОДІЯ CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs ТА InAs З ВОДНИМИ РОЗЧИНАМИ H2O2–МІНЕРАЛЬНА КИСЛОТА–РОЗЧИННИК

Назва:
ВЗАЄМОДІЯ CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs ТА InAs З ВОДНИМИ РОЗЧИНАМИ H2O2–МІНЕРАЛЬНА КИСЛОТА–РОЗЧИННИК
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
19,16 KB
Завантажень:
234
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
ІНСТИТУТ ПРОБЛЕМ МАТЕРІАЛОЗНАВСТВА ім. І.М. ФРАНЦЕВИЧА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
ЛУКІЯНЧУК ЕДУАРД МИХАЙЛОВИЧ
УДК 621.794.4 : (546.48/49’24 + 546.681/682’19/86)
ВЗАЄМОДІЯ CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs ТА InAs З ВОДНИМИ РОЗЧИНАМИ H2O2–МІНЕРАЛЬНА КИСЛОТА–РОЗЧИННИК
02.00.21 – хімія твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата хімічних наук
Київ – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана у відділі фізичної хімії напівпровідникових матеріалів Інституту фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Науковий керівник: доктор хімічних наук, професор,
Томашик Василь Миколайович,
вчений секретар Інституту фізики напівпровідників
ім. В.Є. Лашкарьова НАН України.
Офіційні опоненти: доктор хімічних наук, професор
Щербак Лариса Павлівна,
професор кафедри неорганічної хімії Чернівецького національного університету ім. Юрія Федьковича
МОН України;
доктор хімічних наук, доцент
Зінченко Віктор Федосійович,
завідувач відділу хімії функціональних
неорганічних матеріалів Фізико-хімічного
інституту ім. О.В. Богатського НАН України.
Захист дисертації відбудеться “25 жовтня 2007 р. о 14.00 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.207.02 Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України: 03680, м. Київ – 142,
вул. Кржижанівського, 3.
З дисертацією можна ознайомитися у науковій бібліотеці Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України (03680, м. Київ – 142,
вул. Кржижанівського, 3).
Автореферат розіслано “_19_вересня 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 26.207.02
д.х.н. Куліков Л.М.


ВСТУП
Актуальність теми. Завдяки унікальному комплексу фізико-технічних параметрів CdTe і тверді розчини CdxHg1-xTe використовують в приладах опто- та акустоелектроніки, радіаційної дозиметрії, сонячної енергетики, а GaAs та InAs – для виготовлення оптоелектронних приладів, інтегральних мікросхем, тунельних і випромінювальних діодів, НВЧ-діодів і діодів Гана, біполярних та польових транзисторів, варакторів і інжекційних лазерів та багатьох інших.
В процесі створення різноманітних приладів часто постає проблема сумісного травлення цих матеріалів, причому виникає необхідність контрольовано і з дуже малою швидкістю видаляти шари окремих напівпровідникових матеріалів товщиною від 1 мкм, а іноді і десятків нанометрів, коли структура складається з декількох тонких шарів різних сполук, що мають дуже схожі хімічні властивості. Проведення таких технологічних операцій вимагає не тільки одержання високоякісної поверхні напівпровідникових підкладок, максимально досконалих за структурою, геометрією і однорідних за хімічною природою та чистотою, але і чіткого контролю над процесами хіміко-механічного (ХМП) та хіміко-динамічного полірування (ХДП). Розробка відповідних травильних композицій, що забезпечують селективність травлення між деякими твердими розчинами та напівпровідниками типу АIIВVІ і AIIIBV при виготовленні нових пристроїв на їх основі, та оптимізація технологічних режимів їх застосування є складною науково-технічною задачею і однією з актуальних проблем сучасного напівпровідникового матеріалознавства.
Травильні суміші на основі водних розчинів гідроген пероксиду та деяких мінеральних і органічних кислот згідно проведених нами попередніх досліджень виявились перспективними і можуть стати основою при створенні широкого спектра як високоселективних, так і поліруючих травників з малими швидкостями травлення для хімічної обробки (полірування, пасивації) поверхні напівпровідників АІІВVІ і АIIIВV та для розробки технологічних операцій хімічного травлення гетероструктур на їх основі. Проте використання таких травників, вдосконалення технології обробки поверхні, а також вивчення механізму та кінетики розчинення напівпровідників стримується недостатньою кількістю систематичних і комплексних робіт в цій області. Аналіз літературних даних показав, що систематичні дослідження характеру фізико-хімічної взаємодії напівпровідників GaAs та InAs з розчинами H2O2– мінеральна кислота – розчинник проводились недостатньо, а для CdTe і твердих розчинівСdxHg1-xTe вони практично відсутні, тому необхідно було більш детально вивчити процеси хімічної взаємодії цих матеріалів з вказаними травильними композиціями.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: ВЗАЄМОДІЯ CdTe, CdxHg1-xTe, GaAs ТА InAs З ВОДНИМИ РОЗЧИНАМИ H2O2–МІНЕРАЛЬНА КИСЛОТА–РОЗЧИННИК

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок