Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ МОДИФІКОВАНОГО ПОВЕРХНЕВИМИ ОБРОБКАМИ

ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ МОДИФІКОВАНОГО ПОВЕРХНЕВИМИ ОБРОБКАМИ

Назва:
ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ МОДИФІКОВАНОГО ПОВЕРХНЕВИМИ ОБРОБКАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,21 KB
Завантажень:
56
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТУ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
Рожин Олексій Григорович
УДК 539.211; 535.732:62-405.8
ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ СТРУКТУР НА ОСНОВІ
ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ МОДИФІКОВАНОГО ПОВЕРХНЕВИМИ
ОБРОБКАМИ
01.04.07 - фізика твердого тіла
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2001
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник
Доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Клюй Микола Іванович, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
Доктор фізико-математичних наук, професор
Данильченко Борис Олександрович, Інститут фізики НАН України, завідувач відділу.
Кандидат фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Скришевський Валерій Антонович, Київський Національний Університет імені Тараса Шевченка, доцент.
Провідна установа:
Чернівецький Національний університет імені Юрія Федьковича, м. Чернівці
Захист відбудеться ''_18_'' травня_ 2001 р. о 1415 годині
на засіданні спеціалізованої вченої ради К 26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: м.Київ, 03028, проспект Науки 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України.
Автореферат розісланий ''__18_'' квітня 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради К 26.199.01.
Кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Кремнієві технології займають чільне місце в сучасній мікроелектроніці. Разом з тим вони не використовуються для створення світловипромінюючих оптоелектронних приладів. Цей факт стримує розвиток цифрових електронних пристроїв на основі кремнію. В кремнієвих мікросхемах компоненти з'єднуються електрично, що обмежує їх швидкодію. Дана проблема може бути розв'язана за рахунок переходу до оптичних з'єднань і вже сьогодні такі технології використовуються в надшвидких обчислювальних системах. Проте світловипромінюючі та лазерні діоди у своїй більшості базуються на використанні сполук AIIIBV. Технології виробництва таких випромінюючих приладів є практично несумісними з кремнієвими технологіями, а спроби їх об'єднати призводять до значного подорожчання готових приладів.
Відкриття на початку дев'яностих років видимої фотолюмінесценції (ФЛ) пористого кремнію (ПК), отриманого завдяки простій процедурі анодного травлення, викликало значний інтерес у зв'язку з появою можливості створення оптоелектроних і мікроелектронних приладів на основі єдиної елементної бази. За останні 10 років дослідження матеріалу отримано багато інформації як в області теоретичних, так і експериментальних робіт. Незважаючи на це, залишається ряд дискусійних питань, зокрема, про природу ФЛ, механізми формування ПК та його модифікації. Слід зазначити, що найбільшу увагу приділено саме з'ясуванню механізмів випромінювальної рекомбінації матеріалу. На сьогодні виявлено світіння в чотирьох спектральних областях від ультрафіолетової до ближньої інфрачервоної, але саме зелено-червона смуга залишається найбільш дискусійною. Для пояснення її природи залучено багато моделей, які можна розділити на чотири основні групи. Насамперед, це моделі квантового обмеження в кристалічному Si. Воно зумовлює збільшення ширини забороненої зони кремнію. До другої групи можна віднести моделі, які залучають поверхневі стани для пояснення видимої ФЛ ПК. Також існують думки про важливу роль дефектних станів, які формуються на границі поділу нанокристаліт – шар SiOx. До останньої групи можна віднести моделі, які залучають силоксен та його похідні для з'ясування механізмів світіння ПК.
Крім того, не вирішена основна задача - застосування ПК в промисловості для виробництва світловипромінюючих приладів. Це зумовлено нестабільністю люмінесцентних характеристик ПК. Більшість дослідників спостерігали падіння або зростання інтегральної інтенсивності люмінесценції з часом і даний ефект отримав назву “втоми” люмінесценції.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: ФОТОЛЮМІНЕСЦЕНТНІ ВЛАСТИВОСТІ СТРУКТУР НА ОСНОВІ ПОРИСТОГО КРЕМНІЮ МОДИФІКОВАНОГО ПОВЕРХНЕВИМИ ОБРОБКАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок