Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРОЦЕСИ ТУНЕЛЮВАННЯ І ВБУДОВИ ЗАРЯДУ В ТОНКИХ І НАДТОНКИХ ПЛІВКАХ SiO2.

ПРОЦЕСИ ТУНЕЛЮВАННЯ І ВБУДОВИ ЗАРЯДУ В ТОНКИХ І НАДТОНКИХ ПЛІВКАХ SiO2.

Назва:
ПРОЦЕСИ ТУНЕЛЮВАННЯ І ВБУДОВИ ЗАРЯДУ В ТОНКИХ І НАДТОНКИХ ПЛІВКАХ SiO2.
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,05 KB
Завантажень:
463
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
імені В.Є. ЛАШКАРЬОВА
КИЗЯК АНАТОЛІЙ ЮРІЙОВИЧ
УДК 539.216:537.222, 537.3
ПРОЦЕСИ ТУНЕЛЮВАННЯ І ВБУДОВИ ЗАРЯДУ
В ТОНКИХ І НАДТОНКИХ ПЛІВКАХ SiO2.
01.04.07 – фізика твердого тіла
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2007


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України
Науковий керівник
доктор фізико-математичних наук
Євтух Анатолій Антонович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор
Назаров Олексій Миколайович,
Інститут фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України,
провідний науковий співробітник
кандидат фізико-математичних наук
Литвиненко Сергій Васильович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, радіофізичний факультет, старший науковий співробітник кафедри напівпровідникової електроніки
Захист відбудеться 21 грудня 2007 р. о 1615 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки 41
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою: 03028, м. Київ, проспект Науки 45
Автореферат розісланий “____” ____________ 2007 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук О.Б. Охріменко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Структура напівпровідник-діелектрик-напівпровідник (наприклад, Si-SiО2-Si) або метал-діелектрик-напівпровідник (Ме-SiО2-Si) протягом 40 років широко використовується в напівпровідниковій електроніці. Дуже важливим елементом у цій структурі є двоокис кремнію SiО2, що розташований між областю каналу і затвором у МОН транзисторі. Дійсно, електрофізичні параметри цієї плівки суттєво впливають на функціональні можливості будь-якого приладу з її використанням.
Якість та основні параметри плівки SiО2 закладаються в процесі окислення кремнію, тобто в процесі її отримання. Незважаючи на те, що кінетика окислення вивчається досить давно, механізм окислення, особливо на початковому етапі (до 30 нм), до кінця не встановлено і зараз. В той же час розуміння цього механізму є важливим і актуальним також зараз, коли розміри плівки, що використовується в мікро- і наноелектронних приладах, знаходяться в межах області більш швидкого початкового окислення кремнію (менше 30 нм). Одночасно йдуть пошуки альтернативних діелектричних плівок, наприклад, оксинітриду кремнію, оксиду гафнію, що використовувалися б замість SiО2. Однак діоксид кремнію все ще залишається найбільш широко використовуваним через наявну численну інформацію про його властивості і високу технологічність.
Важливим структурним елементом в схемах пам'яті є діоксид кремнію. Практично у всіх запам'ятовуючих елементах типу FLASH і FLOTOX (Floating Tunnel-Oxide) (на кремнієвих підкладках), що застосовуються у схемах пам'яті, для запису і стирання інформації використовується режим тунелювання носіїв струму через діелектрик. В якості плівки, через яку відбувається тунелювання, як правило, використовується SiО2. Найбільш важливими параметрами елемента пам’яті, які і визначаються електрофізичними властивостями двоокису кремнію, є кількість циклів запису/стирання, час збереження інформації і пробивна напруга діоксиду кремнію.
Радіаційно-стійкі прилади знаходять широке застосування, наприклад, у космічній і військовій техніці. Однак сучасні ІС вимагають і тут використання дуже тонких діелектриків, і альтернативи плівкам двоокису кремнію поки що немає, зокрема, через більш високу стійкість до різного виду радіаційних впливів.
В зв’язку з інтенсивним розвитком кремнієвої наноелектроніки необхідність дослідження системи кремній-двоокис кремнію, надтонких плівок SiО2 і границі розділу Si-SiО2 зростає.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ТУНЕЛЮВАННЯ І ВБУДОВИ ЗАРЯДУ В ТОНКИХ І НАДТОНКИХ ПЛІВКАХ SiO2.

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок