Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЗБУДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ Si, Ge І Mg ПОВІЛЬНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ

ЗБУДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ Si, Ge І Mg ПОВІЛЬНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ

Назва:
ЗБУДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ Si, Ge І Mg ПОВІЛЬНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,17 KB
Завантажень:
51
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
УЖГОРОДСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ФЕЙЕР Віталій Михайлович
Індекс УДК 539.186
539.188
ЗБУДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ Si, Ge І Mg
ПОВІЛЬНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ
01.04.04. – фізична електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Ужгород 2002
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті електронної фізики Національної академії наук України.
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України,
ШПЕНИК Отто Бартоломійович
Інститут електронної фізики НАН України,
директор.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
ПОП Степан Степанович
Ужгородський національний університет,
завідувач Проблемної науково-дослідної
лабораторії фізичної електроніки;
доктор фізико-математичних наук,
ЯКОВКІН Іван Миколайович
Інститут фізики НАН України, провідний науковий співробітник відділу фізичної електроніки.
Провідна установа: Львівський національний університет ім. І. Франка Міністерства освіти і науки України, м. Львів.
Захист відбудеться “4“липня 2002 року о 14.00 годині на засіданні Спеціалізованої вченої ради К061.51.01 при Ужгородському національному університеті за адресою: 88000, м. Ужгород, вул. Волошина 54, ауд. 181.
З дисертацією можна ознайомитися в бібліотеці Ужгородського національного університету (м. Ужгород, вул. Капітульна,9).
Автореферат розісланий “3“червня 2002 року.
Вчений секретар Спеціалізованої вченої ради
доктор фізико_математичних наук, професор Блецкан Д.І.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Великий інтерес для фізики плазми, керованого термоядерного синтезу, космічних апаратів, емісійної електроніки, мікро- і наноелектроніки представляють дослідження взаємодії заряджених частинок, зокрема, повільних електронів з поверхнею твердих тіл. Елементарні процеси, що відбуваються при бомбардуванні твердого тіла зарядженими частинками, зокрема, повільними електронами, більш складні для вивчення і розуміння, ніж процеси, що мають місце при взаємодії елементарних частинок з газовими мішенями. У твердому тілі суттєву роль відіграють зв’язки між частинками гратки і стан зовнішніх електронів описується більш складним чином, ніж в ізольованому атомі або молекулі. Цим пояснюється та обставина, що теоретичне обґрунтування процесів взаємодії повільних (0–5 еВ) електронів з твердим тілом є недостатньо досконалим. Тому дослідження елементарних процесів пружної і непружної взаємодії повільних електронів і отримання інформації про електронні властивості поверхні й об’єму твердого тіла є актуальною задачею.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалася у відділі іонних процесів Інституту електронної фізики НАН України протягом 1997–2001 років і є результатом участі автора у виконанні тем НАН України, гранту за програмою НАН України для молодих вчених.
Мета роботи. Встановлення закономірностей пружного і непружного розсіювання повільних моноенергетичних електронів різномодифікованими поверхнями монокристалічного p-Si(100), полірованими гранями (111), (110), (100) монокристалічного Ge, атомно-чистими й окисленими шарами Mg.
Для досягнення поставленої мети необхідно було: вдосконалити експериментальну установку, розробити та виготовити ефузійне джерело атомів для одержання атомно-чистих поверхонь Mg; вивчити процеси пружного і непружного зворотного розсіювання повільних електронів; уточнити взаємозв’язок між особливостями в енергетичних залежностях інтенсивності пружного зворотного розсіювання електронів низьких енергій (ЗРЕНЕ) і у спектрах втрат енергії зі збудженням електронних переходів між точками, які відповідають максимумам густини об’ємних і поверхневих електронних станів приведеної зони Бріллюена досліджуваних об’єктів.
Наукова новизна одержаних результатів.
1. Створено високостабільне ефузійне джерело атомного пучка з контрольованими параметрами з метою одержання атомно-чистих поверхонь хімічно активних речовин, модернізовано надвисоковакуумну установку і гіпоциклоїдальний електронний спектрометр зворотного розсіювання повільних електронів для їх дослідження.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЗБУДЖЕННЯ ЕЛЕКТРОННИХ СТАНІВ Si, Ge І Mg ПОВІЛЬНИМИ ЕЛЕКТРОНАМИ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок