Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> процеси парофазного РОСТУ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ І ЦИНКУ ТА БАР’ЄРИ ШОТКІ НА ЇХ ОСНОВІ

процеси парофазного РОСТУ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ І ЦИНКУ ТА БАР’ЄРИ ШОТКІ НА ЇХ ОСНОВІ

Назва:
процеси парофазного РОСТУ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ І ЦИНКУ ТА БАР’ЄРИ ШОТКІ НА ЇХ ОСНОВІ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
18,55 KB
Завантажень:
199
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Національний університет “Львівська політехніка” |
У к р а ї н е ц ь Н а т а л і я А н д р і ї в н а
 
УДК 537.311.33 : 621.382
процеси парофазного РОСТУ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ І ЦИНКУ ТА БАР’ЄРИ ШОТКІ НА ЇХ ОСНОВІ
01.04.01 - фізика приладів, елементів і систем
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Львів - 2000


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі фізики Національного університету “Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України.
Науковий керівник | кандидат фізико-математичних наук, доцент
Ільчук Григорій Архипович
Національний університет “Львівська політехніка”, доцент
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Матвеєва Людмила Олександрівна, Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник Маслюк Володимир Трохимович, Інститут електронної фізики НАН України, завідувач відділом
Провідна установа
Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра фізики напівпровідників, Міністерство освіти і науки України, Львів
Захист відбудеться 27 жовтня 2000 року о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 35.052.13, Національний університет “Львівська політехніка”, 79013, Львів, вул. С.Бандери 12, ауд.124 гол. корпусу)
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці Національного університету “Львівська політехніка” (вул. Професорська,1)
Автореферат розісланий “25“ вересня 2000 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради |
Байцар Р.І.


Загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Телуриди кадмiю (CdTe) i цинку (ZnTe) визнані міжнародною спільнотою фізиків, які працюють в області фундаментальних і прикладних досліджень твердого тіла, як перспективні напівпровідникові матеріали для потреб оптоелектроніки (зокрема, для електронно-оптичної модуляції випромінювання лазера, використання у технології виготовлення фотоприймачів широкого спектрального діапазону на основі твердих розчинів CdxHg1-xTe, ZnxHg1-xTe, прямого перетворення енергії сонячного випромінювання в електричну), для реєстрації рентгенівського і гама- випромінювань та інше. При цьому на параметри одержуваних монокристалів та приладів на їх основi визначальний вплив спричиняють умови вирощування, внесені домішки і утворені при цьому дефекти гратки. Отже, проблема вирощування цих сполук з контрольованими властивостями належить до переднього краю сучасного напівпровідникового матеріалознавства і є невід’ємною частиною системних досліджень з метою розробки нових напівпровідникових приладів. Важливим аргументом на користь актуальності дослідження процесів росту напівпровідникових сполук телуридів кадмію, цинку та твердих розчинів на їх основі є регулярність проведення Міжнародних конференцій, присвячених проблемам росту, та суттєва увага, що приділяється цим питанням в інших міжнародних конференціях, зокрема E-MRS SPRING MEETING.
Кінцевою метою дослідження напівпровідникових матеріалів, поряд із одержанням фізичної інформації про них, є створення на їх основі напівпровідникових приладів і мікроелектронних структур різноманітного функціонального призначення. Найпростішим варіантом такого приладу та одночасно інструментом дослідження реальної поверхні та об'єму напівпровідника є енергетичний бар'єр, який реалізується нанесенням на його поверхню тонкого шару металу, (бар'єр Шоткі). При всій простоті фізичної ідеї, розвиток таких робіт в напрямку практичного використання бар’єрів Шоткі (БШ) на телуридах кадмію, цинку та їх твердих розчинах, є досить повільним внаслідок все ще недостатньої вивченості фізичних властивостей таких структур на цих матеріалах. Тому одним із перспективних напрямків дослідження телуридів кадмію і цинку з метою розробки приладів на їх основі є одержання нової фізичної інформації про специфіку фізико-хімічних процесів на їх поверхні та розробка технології створення на них поверхневих енергетичних бар'єрів.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: процеси парофазного РОСТУ ТЕЛУРИДІВ КАДМІЮ І ЦИНКУ ТА БАР’ЄРИ ШОТКІ НА ЇХ ОСНОВІ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок