Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ТОНКОПЛІВКОВИХ CdTe ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ

ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ТОНКОПЛІВКОВИХ CdTe ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ

Назва:
ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ТОНКОПЛІВКОВИХ CdTe ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,41 KB
Завантажень:
364
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
ЧЕРНІВЕЦЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ЮРІЯ ФЕДЬКОВИЧА
Мотущук
ВОЛОДИМИР ВОЛОДИМИРОВИЧ
УДК: 621.383.52
ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ
ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ
В ТОНКОПЛІВКОВИХ CdTe ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ
01.04.10 - Фізика напівпровідників і діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2005


Дисертацією є рукопис
Робота виконана на кафедрі оптоелектроніки Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича Міністерства освіти і науки України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор КОСЯЧЕНКО Леонід Андрійович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, завідувач кафедри оптоелектроніки
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор ДМИТРУК Микола Леонтійович, Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України, завідувач відділу поляритонної оптоелектроніки
доктор фізико-математичних наук, професор РАРЕНКО Іларій Михайлович, Чернівецький національний університет імені Юрія Федьковича, професор кафедри фізики напівпровідників і наноструктур
Провідна організація: Одеський національний університет імені І.І. Мечнікова (м. Одеса).
Захист відбудеться 27 жовтня 2005 р. 15.00 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.76.051.01 при Чернівецькому національному університеті імені Юрія Федьковича за адресою: 58012, м. Чернівці, вул. Коцюбинського, 2.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Чернівецького національного університету імені Юрія Федьковича (вул. Лесі Українки, 23).
Автореферат розісланий 23 вересня 2005 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Курганецький М.В.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми
Відкритий А.С. Беккерелем ще в 1839 році фотовольтаїчний ефект тривалий час не мав практичного застосування, аж доки в 50-х роках минулого століття в США не була розроблена програма оснащення супутників кремнієвими сонячними елементами. Згодом сонячні елементи знайшли також наземне застосування, зокрема, для живлення віддалених пристроїв у системах зв’язку. Нафтова криза початку 1970-х років і ряд аварій на атомних електростанціях: (Пенсільванія, 1979 р., Чорнобиль, 1986 р.) інтенсифікували пошук альтернативних джерел енергії в багатьох країнах світу.
Спочатку зусилля фахівців були зосереджені на зниженні вартості крем-нієвих сонячних елементів. З огляду на потребу широкомасштабного виробництва першочерговим завданням став перехід від монокристалічної до тонкоплівкової технології. Аморфний кремній став першим матеріалом для тонкоплівкових модулів з усією їх привабливістю щодо збільшення площі і зменшення вартості пристрою. Проте, ефективність тонкоплівкових Si сонячних елементів в процесі експлуатації поступово понижується, аж доки не досягне стабільного, але низького рівня (з 8 до 4%), що зумовлене фотостимульованим утворенням дефектів. Ці процеси обмежують довговічність тонкоплівкових Si сонячних елементів і звужують сферу їх застосування.
Паралельно з роботами на аморфному кремнії велися пошуки альтернативних матеріалів для дешевих сонячних елементів. Спочатку увага була сконцентрована на гетероструктурі Cu2S/CdS, але через нестабільність параметрів вже на початку 1980-х років її розробки припинились. Зусилля змістились до інших матеріалів, зокрема до полікристалічного CuIn1-xGaxSe2. Фотовольтаїчні модулі на основі цього напівпровідника з ефективністю перетворення енергії, вищою 10%, та за прийнятною для ринку ціною, вже зараз можуть стати базовими для наземного застосування. GaAs і InP мають ширину забороненої зони, оптимальну для ефективного перетворення сонячної енергії в електричну. На цих матеріалах вже досягнута ефективність – 25,1 і 21,9% відповідно, а на добре освоєних Al1-xGaxAs гетероструктурах із складним "профілем" – аж 32%. Проте ці матеріали є занадто коштовними для широкого використання.
Оптимальні характеристики для перетворення сонячної енергії в електричну має також CdTe, ширина забороненої зони якого при 300 К складає 1,47 еВ, а коефіцієнт оптичного поглинання при прямих міжзонних переходах в області енергії фотонів hv>1,6 еВ перевищує 4104 см1, що забезпечує значну густину струму короткого замикання і високий коефіцієнт корисної дії сонячного елемента.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: ЯВИЩА ПЕРЕНОСУ ЗАРЯДУ ТА ФОТОЕЛЕКТРИЧНІ ПРОЦЕСИ В ТОНКОПЛІВКОВИХ CdTe ДІОДНИХ СТРУКТУРАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок