Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ДОСЛІДЖЕННЯ АКУСТО-ФОТО-ЕЛЕКТРИЧНОЇ ВЗАЄМОДІЇ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ GaAs і Si

ДОСЛІДЖЕННЯ АКУСТО-ФОТО-ЕЛЕКТРИЧНОЇ ВЗАЄМОДІЇ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ GaAs і Si

Назва:
ДОСЛІДЖЕННЯ АКУСТО-ФОТО-ЕЛЕКТРИЧНОЇ ВЗАЄМОДІЇ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ GaAs і Si
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
15,54 KB
Завантажень:
9
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
КИЇВСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ
ІМЕНІ ТАРАСА ШЕВЧЕНКА
Оліх Олег Ярославович
УДК 534.29
ДОСЛІДЖЕННЯ АКУСТО-ФОТО-ЕЛЕКТРИЧНОЇ ВЗАЄМОДІЇ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ GaAs і Si
01.04.07. – фізика твердого тіла
Автореферат дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ –2000


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі загальної фізики фізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка
Науковий керівник доктор фізико-математичних наук, професор
Островський Ігор Васильович,
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка,
завідувач кафедри загальної фізики фізичного факультету
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Литовченко Петро Григорович,
Науковий центр “Інститут ядерних досліджень”
НАН України,
завідувач відділом радіаційної фізики;
доктор технічних наук, професор
Конакова Раїса Василівна,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
провідний науковий співробітник.
Провідна установа: Інститут фізики НАН України,
відділ фізики радіаційних процесів
Захист відбудеться “_26_” лютого 2001 р. о 1430 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.23 у Київському національному університеті імені Тараса Шевченка за адресою: 03127, Київ-127, проспект Академіка Глушкова, 6, фізичний факультет.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Київського Національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: 01601, МСП, Київ, вул. Володимирська, 58.
Автореферат розісланий “26” грудня 2000 року.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Б.А. Охріменко
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. На сьогодні, одним з найбільш перспективних та маловивчених напрямів акустоелектроніки залишається фізична акустооптика. Попередні результати вивчення взаємодії активного звуку з дефектами в дислокаційних кристалах типу А2В6, їх фундаментальне та практичне значення можуть бути підставою для проведення широких досліджень впливу ультразвуку на сучасні об’єкти твердотільної мікроелектроніки – епітаксійні та інші низьковимірні структури. Діагностика таких структур за допомогою відомих методів, розроблених в свій час для об’ємних матеріалів, часто неможлива. Особливо це стосується дефектів структури локалізованих на внутрішніх поверхнях поділу, типу підкладка – епітаксійний шар. Актуальність теми зумовлена, зокрема, саме розробкою нового методу, який дозволяє визначити основні параметри таких дефектів; це термо-акусто-електричний метод.
Перспективним для практичного застосування в техніці є дослідження динамічних ефектів впливу ультразвуку на параметри напівпровідникових матеріалів та на фотоелектричні процеси в структурах на їх основі. Це, зокрема, пов’язано з можливостями створення нового класу приладів з керованими за допомогою ультразвукових обробок характеристиками.
Актуальність роботи визначається також вибором матеріалів, які вивчалися: арсенід галію та кремній є основними складовими матеріальної бази сучасної мікроелектроніки та фотоелектрики. Застосування ультразвуку до таких об’єктів є доцільними з декількох причин. З огляду на фундаментальний бік проблеми, роботи в цьому напрямі важливі для розуміння фізичних процесів взаємодії ультразвуку з підсистемою точкових дефектів у бездислокаційних кристалах; водночас, з практичної точки зору, такі дослідження актуальні для застосування ультразвуку в технології виробництва мікроелектронних приладів.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Вибраний напрямок досліджень зв’язаний з планами та програмами досліджень кафедри загальної фізики Київського національного університету імені Тараса Шевченка, зокрема держбюджетної теми "Дослідження фізичних властивостей емісійних явищ в неоднорідних матеріалах" (№97017) і відповідає науковому напрямку "Нові матеріали та речовини".
Мета і задачі дослідження. Метою дисертації ставилось з’ясування природи явища акусто-фото-електричної взаємодії в сучасних матеріалах мікроелектроніки, а саме епітаксійних структурах GaAs та Si; пошук можливостей використання цього явища для діагностики і вимірювання параметрів епітаксійних структур та з’ясування перспективи застосування активного ультразвуку для підвищення фотоелектричних параметрів кремнію і покращення робочих характеристик сонячних елементів на його основі.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: ДОСЛІДЖЕННЯ АКУСТО-ФОТО-ЕЛЕКТРИЧНОЇ ВЗАЄМОДІЇ В НАПІВПРОВІДНИКОВИХ СТРУКТУРАХ GaAs і Si

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок