Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Квантово-хімічне Моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)

Квантово-хімічне Моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)

Назва:
Квантово-хімічне Моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,69 KB
Завантажень:
99
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 
Ужгородський Національний Університет
Ананьїна Ольга Юріївна
УДК 536.4:546.18/28
Квантово-хімічне Моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня кандидата
фізико-математичних наук
Ужгород – 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Запорізькому національному університеті Міністерства освіти та науки України, кафедра твердотільної електроніки і мікроелектроніки
Науковий керівник: |
кандидат фізико-математичних наук, доцент Яновський Олександр Сергійович,
Запорізький національний університет МОН України, завідувач кафедри твердотільної електроніки і мікроелектроніки.
Офіційні опоненти: | доктор фізико-математичних наук, професор
Попик Юрій Васильович,
Ужгородський національний університет МОН України, професор кафедри фізики напівпровідників;
доктор фізико-математичних наук, професор
Гранкін Віктор Павлович,
Приазовський державний технічний університет МОН України, завідувач кафедри інформатики.
Провідна установа | Дніпропетровський національний університет МОН України, кафедра радіоелектроніки,
м. Дніпропетровськ.
Захист відбудеться „26травня 2006 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К 61.051.01 при Ужгородському національному університеті за адресою: 88000, м. Ужгород, вул. Волошина, 54, ауд. 181.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Ужгородського національного університету (м. Ужгород, вул. Капітульна, 9).
Автореферат розісланий „18” квітня 2006 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор Блецкан Д.І.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Властивості поверхні, природа фізико-хімічних процесів, що протікають на ній, роль зовнішніх факторів на теперішній час до кінця ще не розкриті. Навчитися керувати властивостями поверхні – одна з першорядних задач напівпровідникової електроніки. В даний час ведеться пошук різних квантових ефектів, що могли б бути використані в наноелектроніці. Найбільш актуальними питаннями в цій галузі є: вивчення електронної будови дефектів і їхнього впливу на модифікацію адсорбційних та інших властивостей поверхонь твердих тіл; вивчення електронних станів перебудованих поверхонь твердих тіл і поверхонь з дефектами у вигляді адсорбованих атомів і молекул. З просуванням у рішенні цієї проблеми пов'язаний прогрес у мікро- і наноелектроніці, тунельній мікроскопії, теорії адсорбції й гетерогенного каталізу.
Кремній і германій є однокомпонентними напівпровідниками і базовими матеріалами твердотільної електроніки. Взаємодія атомів та іонів з поверхнями Si(100) і Ge(100) має велике технологічне значення. Так, не дивлячись на численні теоретичні і експериментальні дослідження процесів взаємодії водню з поверхнями Si(100) і Ge(100), деталі механізмів його адсорбції та десорбції залишаються до кінця не з’ясованими. Осадження силану SiH4 широко використовується для виготовлення полікристалічного кремнію, вирощування тонких плівок, які є базовими матеріалами у виробництві сонячних елементів, фотовольтаїчних приладів, тонкоплівних транзисторів. Фундаментальне розуміння механізмів взаємодії силану і водню з поверхнею Si(100) в процесі росту плівки необхідне для розробки ефективної стратегії в технологічному процесі, що гарантує зріст якісних плівок. Фосфор і бор є типовими легуючими домішками в кремнії і германії. Адсорбція атомів і іонів цих елементів на поверхні Si(100) і Ge(100) становить інтерес як перша стадія дифузії атомів та іонів в приповерхневі шари, і як спосіб зміни фізико-хімічних властивостей поверхні.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами. Дисертаційна робота виконувалася згідно з планом науково-дослідних робіт кафедри твердотільної електроніки і мікроелектроніки Запорізького національного університету, а також пов’язана з тематикою наукових робіт: “Вплив активних атомних частинок газового оточення на фізичні властивості поверхні висотних літальних апаратів” (проект НТЦУ 1146); „Радикальна хеміепітаксія наношарів на поверхні елементарних і двокомпонентних напівпровідників” (держбюджетна тема, шифр 2/04, № державної реєстрації 0103У002180); „Дослідження фізико-хімічних процесів у приповерхневих шарах напівпровідників при взаємодії з прискореними атомними частинками і частинками теплових енергій” (держбюджетна тема, шифр 2/01, № державної реєстрації 0204У003069).

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12 



Реферат на тему: Квантово-хімічне Моделювання процесів взаємодії водню, силану, атомів та іонів фосфору і бору з упорядкованими та дефектними поверхнями Si(100) І Ge(100)

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок