Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПРОЦЕСИ ТРАНСФОРМАЦІЇ СТАНІВ ДОМІШКИ КИСНЮ В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ ПРИ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНОМУ ОПРОМІНЕННІ ТА ТЕРМООБРОБКАХ

ПРОЦЕСИ ТРАНСФОРМАЦІЇ СТАНІВ ДОМІШКИ КИСНЮ В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ ПРИ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНОМУ ОПРОМІНЕННІ ТА ТЕРМООБРОБКАХ

Назва:
ПРОЦЕСИ ТРАНСФОРМАЦІЇ СТАНІВ ДОМІШКИ КИСНЮ В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ ПРИ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНОМУ ОПРОМІНЕННІ ТА ТЕРМООБРОБКАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
28,68 KB
Завантажень:
154
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ
 
НЕЙМАШ ВОЛОДИМИР БОРИСОВИЧ
УДК 621.315.592
ПРОЦЕСИ ТРАНСФОРМАЦІЇ СТАНІВ ДОМІШКИ КИСНЮ
В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ ПРИ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНОМУ
ОПРОМІНЕННІ ТА ТЕРМООБРОБКАХ
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2007
Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики Національної Академії наук України
Науковий консультант: доктор фізико-математичних наук, професор,
Крайчинський Анатолій Миколайович
Інститут фізики НАН України
провідний науковий співробітник
відділу фізики радіаційних процесів
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України
Макара Володимир Арсенійович
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка
завідувач кафедри фізики металів;
доктор фізико-математичних наук, професор,
Бабич Вілик Максимович
Інститут фізики напівпровідників НАН України
головний науковий співробітник відділу №7;
доктор фізико-математичних наук
Хівріч Володимир Ілліч
Інститут ядерних досліджень НАН України
провідний науковий співробітник
відділу радіаційної фізики.
Провідна установа Інститут металофізики
Національної Академії наук України
Захист дисертації відбудеться „ 27 ” вересня 2007 р. о 1430 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д26.159.01 в Інституті фізики НАН України за адресою: 03680, Київ-28, проспект Науки, 46, корп. 1, конференц-зал.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики НАН України
Автореферат розіслано „ 19 ” липня 2007 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
Доктор фізико-математичних наук О.О.Чумак


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Монокристалічний кремній вже кілька десятиліть є основним матеріалом твердотільної електроніки. Його властивості визначаються складом домішкових та власних дефектів кристалічної структури. Прогрес приладобудування від перших кремнієвих детекторів до сучасних суперкомп’ютерів у значній мірі зумовлений поглибленням наукових знань про природу та властивості дефектів кремнію і в першу чергу – дефектів, що містять атоми кисню.
Кисень – головна технологічна домішка у монокристалічному кремнії. Її концентрація зазвичай перевищує концентрацію всіх інших домішок разом узятих. Більшість атомів кисню в кремнії знаходиться у нерівноважному стані пересиченого твердого розчину при температурах нижче кристалізації. При Т>300 оС відбувається їх преципітація. Кисень переходить у більш рівноважні стани у вигляді комплексів SixOy, структура і властивості яких залежать від багатьох обставин. Такі комплекси та спричинені ними власні дефекти становлять чисельний клас термічних дефектів (ТД) структури кремнію.
Дисперсні атоми кисню є головними стопорами для руху дислокацій в кремнії і завдяки цьому значно поліпшують його механічні властивості, принципово важливі у процесах виробництва електронних приладів.
ТД у вигляді SiO2-преципітатів є ефективними гетерами атомів інших домішок. Їх використання дозволяє знизити концентрацію атомів небажаних домішок в робочій зоні приладів до рівня 109 – 1011 см-3, досі недосяжного у інших матеріалах.
Однак існує ряд дефектів, зумовлених термічно стимульованою трансформацією стану атомів кисню, які негативно впливають на електричні параметри Si і, відповідно, на характеристики кремнієвих приладів. Зокрема це так звані кисневмісні термодонори (КТД). Контролювати їх утворення вдається далеко не завжди через невизначеність природи та механізмів утворення. Як наслідок – неконтрольована зміна електропровідності при підвищенні температури. Це становить суть проблеми термостабільності кремнію, яка в значній мірі лімітує якість і процент виходу у виробництві електронних приладів на основі кремнію. Адже термообробки при Т>300 оС, коли активно утворюються КТД, становлять важливу складову сучасних планарних технологій. Тому вивчення процесів трансформації станів кисню є актуальним у практичному відношенні.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18 



Реферат на тему: ПРОЦЕСИ ТРАНСФОРМАЦІЇ СТАНІВ ДОМІШКИ КИСНЮ В МОНОКРИСТАЛАХ КРЕМНІЮ ПРИ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНОМУ ОПРОМІНЕННІ ТА ТЕРМООБРОБКАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок