Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ІНДУКОВАНІ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМ ОПРОМІНЕННЯМ ЕФЕКТИ У ФОСФІДНИХ І ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

ІНДУКОВАНІ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМ ОПРОМІНЕННЯМ ЕФЕКТИ У ФОСФІДНИХ І ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

Назва:
ІНДУКОВАНІ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМ ОПРОМІНЕННЯМ ЕФЕКТИ У ФОСФІДНИХ І ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
28,71 KB
Завантажень:
439
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ ІМЕНІ В.Є.ЛАШКАРЬОВА
НАЦІОНАЛЬНОЇ АКАДЕМІЇ НАУК УКРАЇНИ
ГОМОННАЙ ОЛЕКСАНДР ВАСИЛЬОВИЧ
УДК 621.315.59; 535.375.5; 535.343.2
ІНДУКОВАНІ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМ ОПРОМІНЕННЯМ ЕФЕКТИ У ФОСФІДНИХ І ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ
01.04.10 – фізика напівпровідників і діелектриків
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
Київ – 2004
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана у відділі фізики кристалів Інституту електронної фізики Національної академії наук України.
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Артамонов Віктор Васильович,
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є.Лашкарьова
Національної академії наук України,
провідний науковий співробітник відділу оптики;
доктор фізико-математичних наук, професор
Тартачник Володимир Петрович,
Інститут ядерних досліджень
Національної академії наук України,
провідний науковий співробітник
відділу радіаційної фізики;
доктор фізико-математичних наук,
старший науковий співробітник
Неділько Сергій Герасимович,
Київський національний університет
імені Тараса Шевченка
Міністерства освіти і науки України,
завідувач науково-дослідної лабораторії
кафедри оптики.
Провідна установа:
Львівський національний університет імені Івана Франка, Міністерство освіти і науки України, кафедра експериментальної фізики, м. Львів.
Захист відбудеться 25 червня 2004 р. о 1415 на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.199.02 при Інституті фізики напівпровідників іме-ні В.Є.Лашкарьова НАН України за адресою: проспект Науки, 45, м. Київ, 03028.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напів-провідників імені В.Є.Лашкарьова НАН України (проспект Науки, 45, м. Київ).
Автореферат розісланий 17 травня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради
доктор фізико-математичних наук, професор |
Іщенко С.С. |


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Важливим напрямком розвитку сучасної фізики напівпровідників та матеріалознавства є створення елементної бази з наперед заданими параметрами для потреб мікро- та оптоелектроніки. Одним із шляхів реалізації такого завдання є цілеспрямована зміна параметрів існуючих матеріалів під дією зовнішніх факторів, зокрема опромінення, іншим, який особливо активно розвивається в останні роки, – перехід до матеріалів з нанометричними розмірами, в яких спостерігається ряд нових ефектів, пов'язаних з розмірним квантуванням. Паралельне використання обох вказаних методів є привабливим як з огляду на фундаментальні аспекти нових фізичних явищ, так і з точки зору отримання нових матеріалів з широким інтервалом характеристик для застосування в напівпро-відниковій електроніці.
Серед зовнішніх чинників, які мають здатність цілеспрямовано змінювати фізичні характеристики твердих тіл, особливе місце належить високоенергетичному опроміненню, при якому внаслідок радіаційного дефектоутворення відбуваються зміни як у кристалічній структурі, так і в електронній підсистемі. Індуковані високоенергетичним опроміненням ефекти в напівпровідниках визначаються типом, енергією, потоком бомбардуючих частинок та умовами опромінення. Це, зокрема, стосується широкозонних фосфідних та халькогенідних напівпровідників, серед яких особлива роль належить модельним кристалам GaP і CdS, для яких відомі дослідження впливу опромінення на електронну структуру. Водночас результати, що стосуються впливу опромінення на розупорядкування гратки, обмежуються майже виключно іонно-імплантованими матеріалами, де дефектоутворення відбувається в тонкому приповерхневому шарі. Що ж стосується динаміки гратки кристалів А3В5 і А2В6, опромінених високо-енергетичними електронами, то на момент формування теми дисертаційної роботи таких досліджень не проводилось. Слід зазначити, що знання поведінки фізичних параметрів даних монокристалів під дією опромінення є вкрай важливим для дослідження впливу аналогічних факторів на нано-кристалічні матеріали.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19 



Реферат на тему: ІНДУКОВАНІ ВИСОКОЕНЕРГЕТИЧНИМ ОПРОМІНЕННЯМ ЕФЕКТИ У ФОСФІДНИХ І ХАЛЬКОГЕНІДНИХ НАПІВПРОВІДНИКАХ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок