Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> МОДЕЛЮВАННЯ СУБМІКРОННИХ КОМПОНЕНТІВ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ НА СПОЛУКАХ AIIIBV

МОДЕЛЮВАННЯ СУБМІКРОННИХ КОМПОНЕНТІВ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ НА СПОЛУКАХ AIIIBV

Назва:
МОДЕЛЮВАННЯ СУБМІКРОННИХ КОМПОНЕНТІВ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ НА СПОЛУКАХ AIIIBV
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
37,86 KB
Завантажень:
244
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 
НАЦІОНАЛЬНИЙ ТЕХНІЧНИЙ УНІВЕРСИТЕТ УКРАЇНИ“
КИЇВСЬКИЙ ПОЛІТЕХНІЧНИЙ ІНСТИТУТ”
ТИМОФЄЄВ Володимир Іванович
 
УДК 621.382
МОДЕЛЮВАННЯ СУБМІКРОННИХ КОМПОНЕНТІВ
ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ НА СПОЛУКАХ AIIIBV
05.27.01 – Твердотільна електроніка
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора технічних наук
Київ–2004
Дисертація є рукописом
Робота виконана у Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут” Міністерства освіти і науки України
Офіційні опоненти: доктор технічних наук, професор
Осінський Володимир Іванович,
інститут мікроприладів НАН України
(м. Київ), заступник директора
доктор фізико-математичних наук, професор,
Сукач Георгій Олексійович,
Державний університет інформаційно-комунікаційних
технологій, проректор з наукової роботи, м. Київ
доктор технічних наук, професор
Бобицький Ярослав Васильович,
Національний технічний університет „Львівська
політехніка”, завідувач кафедри фотоніки
Провідна установа ВАТ Науково-виробниче підприємство
“Сатурн” (м. Київ)
Захист відбудеться “07” лютого 2005 р. о 14 год. 30 хв. годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д.26.002.08 у Національному технічному університеті України “Київський політехнічний інститут” за адресою: 03056, м. Київ, пр. Перемоги, 37, корп.12, ауд. 114.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Національного технічного університету України “Київський політехнічний інститут”: 03056, м.Київ, пр. Перемоги, 37.
Автореферат розісланий “___” грудня 2004 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Д 26.002.08 _____________ д.т.н., проф. В. Г. Савін
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В сучасних електронних системах використовується широкий спектр інтегральних схем (ІС) на основі арсеніду галію, що пов'язано в основному із приладами на польових транзисторах з бар’єром Шотткі (ПТШ), транзисторах з високою рухливістю електронів або субмікронних гетероструктурних транзисторах (СГСТ) та субмікронних гетеробіполярних транзисторах (СГБТ).
За своїми електрофізичними характеристиками напівпровідникові сполуки AIIIBV – такі як арсенід та нітрид галію, фосфід індію та інші, у порівнянні з кремнієм дозволяють виготовляти більш швидкодіючі прилади. Такі прилади широко використовуються в області міліметрових довжин хвиль у телекомунікаційних системах, стільниковій телефонії, комп'ютерних мережах передачі даних, космічних системах, системах локації та ін. Порівняно новими областями застосування напівпровідникових сполук AIIIBV є високошвидкісна обчислювальна техніка і волоконно-оптичний зв'язок.
Субмікронні гетеробіполярні транзистори і транзистори з високою рухливістю електронів, звичайно, розглядаються як більш ефективні порівняно із субмікронними польовими транзисторами з бар'єром Шотткі, особливо на високих частотах, але технологічно вони більше складні і коштовні. При цьому передбачається, що біполярні і уніполярні гетеротранзистори не замінять субмікронних ПТШ, але будуть широко використовуватися у тих областях, де високочастотні властивості є критичними чинниками.
Основи теорії електронних кіл та моделювання складних електронних пристроїв та систем закладено вітчизняними ученими Г.Є.Пуховим, В.П.Сігорським, А.І.Петренком, Л.А.Синицьким та іншими. Теорія моделювання фізичних процесів у швидкодіючих компонентах і пристроях заснована і розвинута відомими російськими ученими М.Д.Девятковим, Ж.І.Алфьоровим, О.С.Тагером, О.М.Бубенніковим та іншими. Але розвиток технології і нові можливості щодо створення субмікронних компонентів і ІС на їх основі потребують удосконалення існуючих і створення нових математичних моделей компонентів, адаптованих до діапазонів надвисоких (НВЧ) і край високих частот (КВЧ), а також методів опису фізичних процесів, що притаманні таким структурам.
Основними завданнями вдосконалювання технології ІС на субмікронних ПТШ і гетеротранзисторах є оптимізація геометричних та електрофізичних параметрів – зменшення розмірів активної області та числа дефектів, збільшення концентрації електронного газу й рухливості електронів, забезпечення однорідності характеристик двовимірного газу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22  23  24 



Реферат на тему: МОДЕЛЮВАННЯ СУБМІКРОННИХ КОМПОНЕНТІВ ІНТЕГРАЛЬНИХ СХЕМ НА СПОЛУКАХ AIIIBV

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок