Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Особливості переносу заряду В низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3В5

Особливості переносу заряду В низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3В5

Назва:
Особливості переносу заряду В низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3В5
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
14,17 KB
Завантажень:
355
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ НАУК УКРАЇНИ
ІНСТИТУТ ФІЗИКИ НАПІВПРОВІДНИКІВ
ім. В.Є. Лашкарьова
На правах рукопису
Данилюк Сергій Васильович
УДК 621.315.592
Особливості переносу заряду В низьковимірних
гетероструктурах на основі сполук A3В5
01.04.07 – фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ – 2003


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова
Національної Академії наук України.
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук, професор
Бєляєв Олександр Євгенович
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
заступник директора
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор,
член-кореспондент НАН України
Лисенко Володимир Сергійович
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділу
доктор фізико-математичних наук, професор
Король Анатолій Миколайович
Національний університет харчових технологій,
завідувач кафедри
Провідна установа:
Інститут фізики НАН України, м. Київ
Захист дисертації відбудеться 24 жовтня 2003 року о 1415 годині на засіданні Спеціалізованої вченої ради К.26.199.01 при Інституті фізики напівпровідників ім. В.Є. Лашкарьова НАН України за адресою:
03028, Київ-28, пр. Науки, 45.
Автореферат розісланий 23 вересня 2003 р.
Вчений секретар
Спеціалізованої вченої ради К.26.199.01
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Активні дослідження низьковимірних гетероструктур на основі сполук А3В5 тривають вже понад 20 років. За цей час вони утвердили себе як високоефективний матеріал для багатьох оптичних та електронних приладів, а в деяких областях сучасної електроніки (гетеролазери, транзистори з високою рухливістю електронів) вони і зовсім не мають собі суперників. Унікальні електричні та оптичні властивості дво-, одно-, та нульмірних структур можуть бути використані для створення лазерів, детекторів і модуляторів в інфрачервоному та видимому діапазонах спектра, високошвидкісних оптичних перемикачів, надшвидкодіючих транзисторів, підсилювачів та генераторів. Для ефективного проектування та експлуатації цих пристроїв необхідно досконало знати механізми усіх процесів, які можуть впливати на їх ККД.
Тим не менше, значне коло питань, що безпосередньо стосуються як практичного застосування низьковимірних структур так і фундаментальних квантових процесів у них залишаються недослідженими.
Зокрема, не дивлячись на те, що резонансно тунельні діоди вже застосовуються як активні елементи фотодетекторів у видимій та інфрачервоній областях спектра, механізми формування фотоструму в них є недостатньо вивченими. З’ясування особливостей цих процесів може значно підвищити ефективність роботи фотодетекторів, побудованих на таких структурах. Також поза увагою дослідників залишаються і інші методи зовнішнього впливу на резонансно тунельні структури (РТС). Хоча давно відомо, що створення на поверхні РТС системи гребінчастих Шоткі-контактів може підвищити ефективність фотодіода, кількісно механізми впливу створеного контактами періодичного потенціалу на струм через РТС не розглядались, чим стримувались подальші дослідження в цій області.
Перспективність нуль-вимірних структур, як наступників дво- і одномірних шаруватих структур, не викликає сумнівів, оскільки обумовлена їх фундаментальними квантовими властивостями. З технологічної точки зору на сьогоднішній день найбільш популярними є квантові точки (КТ), утворені ефектами самоорганізації. Проте практичне застосування їх стримується як труднощами технологічного характеру, так і відсутністю універсальних методів дослідження їх параметрів. В даній роботі вивчається новий метод дослідження параметрів нуль-вимірних структур (квантових точок), заснований на використанні p-i-n діоду в якості матриці(носія) квантових точок та комплексі електричних та оптичних вимірювань. Успішне застосування останнього обіцяє швидкий та надійний метод спектрального аналізу квантових точок і дозволить полегшити вивчення процесів переносу заряду через низьковимірні структури.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: Особливості переносу заряду В низьковимірних гетероструктурах на основі сполук A3В5

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок