Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Властивості модифікованих вуглецевих плівок та шаруватих структур на основі кремнію

Властивості модифікованих вуглецевих плівок та шаруватих структур на основі кремнію

Назва:
Властивості модифікованих вуглецевих плівок та шаруватих структур на основі кремнію
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
17,22 KB
Завантажень:
341
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 
Національна Академія наук України
Інститут фізики напівпровідників
На правах рукопису
Романюк Андрій Борисович
УДК 621.383:621.315.592
Властивості модифікованих вуглецевих плівок
та шаруватих структур на основі кремнію
01.04.07 - фізика твердого тіла
А В Т О Р Е Ф Е Р А Т
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Київ - 2001


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників НАН України
Науковий керівник
Доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник
Клюй Микола Іванович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
Доктор фізико-математичних наук, професор
Бабич Вілік Максимович
Інститут фізики напівпровідників НАН України, завідувач відділу.
Кандидат фізико-математичних наук, професор
Мельник Павло Вікентійович
Київський Національний університет імені Тараса Шевченка, професор.
Провідна установа: Інститут фізики НАН України, м. Київ
Захист відбудеться ‘’28’’ вересня 2001 р. о 14-15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01 в Інституті фізики напівпровідників НАН України за адресою: м.Київ, 03028, проспект Науки 45.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України
Автореферат розісланий ‘’_27__’’ серпня 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої
вченої ради К26.199.01 Охріменко О. Б.
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ.
Актуальнiсть теми. Розвиток сучасних мікро- та оптоелектронних технологій тісно пов’язаний з розробкою і використанням нових матеріалів та структур з унікальними властивостями. При цьому використання різних методів модифікації, особливо таких суттєво нерівноважних, як йонна імплантація, дозволяє не тільки цілеспрямовано і контрольованим чином змінювати властивості означених вище матеріалів і структур, а й досліджувати фізичні механізми процесів, що при цьому відбуваються. Серед найперспективніших для мікро- та оптоелектроніки матеріалів виділяються вуглецеві плівки. Це в першу чергу обумовлено різноманіттям структурних форм і властивостей матеріалів на основі вуглецю, які можуть радикально відрізнятись. Останнє найбільш яскраво проявляється на прикладі графіту (100 % sp2 координованих зв’язків) та алмазу (100 % sp3 координованих зв’язків). Можливість формування вуглецевих плівок з різним вмістом sp2 та sp3 зв’язків дозволяє в широких межах змінювати властивості плівок як при зміні умов осадження, так і при подальшій їх модифікації. При цьому можна отримати широкий спектр матеріалів - від плівок скловуглецю (100% sp2 зв’язків), через алмазоподібні (АПП) (суміш sp2 i sp3 координованих зв’язків) до алмазних плівок (АП) (100% sp3 зв’язків).
Унікальні фізичні властивості АПП і АП (механічна твердість, хімічна та радіаційна стійкість) обумовлюють актуальність дослідження механізмів їх формування та модифікації. Проте, попри велику кількість робіт, спрямованих на дослідження АПП і АП, в ряді випадків були отримані результати, які не тільки не узгоджувались, але й протирічили один одному. Ще більш складна картина спостерігалась для плівок, отриманих або модифікованих різними методами. Тому важливою задачею сучасної фізики твердого тіла є вивчення фізичних механізмів процесів росту та модифікації таких плівок.
Поряд з АПП та АП перспективним матеріалом є SiC, який за своїми фізико-хімічними властивостями поступається тільки алмазу. Дослідження механізмів утворення фази SiC в Si при використанні такого нерівноважного методу формування, як йонна імплантація та вивчення впливу на цей процес стимулюючих факторів також видається перспективним напрямком сучасного матеріалознавства та фізики твердого тіла.
Методи йонної модифікації можуть успішно використовуватись не тільки для формування шаруватих структур на основі Sі з прихованими шарами SiC, але й для покращення характеристик власне кремнію, зокрема, рекомбінаційних. При цьому використовуються методи гетерування рекомбінаційно-активних домішок, зокрема, з застосуванням йонної імплантації.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11 



Реферат на тему: Властивості модифікованих вуглецевих плівок та шаруватих структур на основі кремнію

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок