Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів

Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів

Назва:
Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
21,89 KB
Завантажень:
479
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Національна академія наук України та
Міністерство освіти і науки України
Інститут термоелектрики
СИДОР
ОЛЕГ МИКОЛАЙОВИЧ
УДК 621.315.292
Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів
01.04.01 - фізика приладів, елементів і систем
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Чернівці – 2006


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Чернівецькому відділенні Інституту проблем матеріалознавства Національної академії наук України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор Ковалюк Захар Дмитрович, Чернівецьке відділення Інституту проблем матеріалознавства імені І.М.Францевича Національної академії наук України, керівник
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор Раренко Іларій Михайлович, Чернівецький національний університет імені Ю.Федьковича Міністерства освіти і науки України, професор кафедри фізики напівпровідників і наноструктур
доктор технічних наук, Cтахіра Павло Йосипович, Національний університет “Львівська політехніка” Міністерства освіти і науки України, доцент кафедри електронних приладів
Провідна установа: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова Національної академії наук України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 20 ” жовтня 2006 р. о 1500 год. на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 76.244.01 при Інституті термоелектрики (58027, м.Чернівці, вул. Дубинська, 9А).
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту термоелектрики (58027, м. Чернівці, вулиця Дубинська, 9А).
Автореферат розісланий “ 15 ” вересня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради Микитюк П.Д.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В основі більшості сучасних оптоелектронних приладів лежать діодні структури з бар’єрами різного типу. Розвиток цього перспективного науково-технічного напрямку вимагає, насамперед, розширення номенклатури напівпровідникових матеріалів та розробки нових, спрощених технологій створення бар’єрних структур. Перехід до вивчення потрійних сполук забезпечив значне розширення числа напівпровідників, які могли б використовуватися у фотоелектроніці. Зокрема, по сукупності своїх фундаментальних параметрів CuInSe2 у наш час є перспективним матеріалом для створення високоефективних і дешевих сонячних елементів з тривалим терміном служби та радіаційною стійкістю, які в майбутньому могли б замінити монокристалічні кремнієві батареї. Літературний огляд свідчить, що зараз активно вивчаються гетеропереходи (ГП) на основі диселеніду міді та індію, головним чином типової конструкції ZnO/CdS/CuInSe2/Мо. Проте дослідження бар’єрів Шотткі (БШ) на основі CuInSe2 носило епізодичний характер, а за останні п’ять років відсутні будь-які публікації по даному напрямку. Зазначені типи діодів важливі не лише для практичного впровадження, що дозволить понизити вартість фотоперетворювачів і спростити технологію виготовлення. Їх вивчення також дає змогу отримати додаткову інформацію про деякі важливі параметри базового матеріалу та особливості поверхнево-бар’єрних структур на інших халькопіритних напівпровідниках.
В останнє десятиріччя велика увага приділяється шаруватим напівпровідникам АІІІВVI, до яких належить моноселенід індію. Неослабний інтерес до цих матеріалів викликаний можливостями їх застосування в нелінійній оптиці, у перетворювачах сонячної енергії, високочутливих оптичних давачах інфрачервоного діапазону та твердотільних джерелах електричного струму. Сильна анізотропія хімічного зв’язку зумовлює можливість зміни їх фізичних властивостей шляхом інтеркаляції. Шаруваті кристали є багатообіцяючими матеріалами для водневої енергетики. Особливо цікавою із прикладної точки зору виглядає можливість утворення цими матеріалами високоякісних гетероконтактів, причому рівною мірою як із застосуванням ван-дер-ваальсової епітаксії, так і менш трудомісткими методами – приведенням у прямий оптичний контакт та термічним окисленням.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: Дослідження фоточутливих поверхнево-бар’єрних структур на основі індієвого та мідно-індієвого селенідів

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок