Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Плазмовий резонанс в багатошарових дифракцiйних гратках на основi монокристалiв GaAs та InP

Плазмовий резонанс в багатошарових дифракцiйних гратках на основi монокристалiв GaAs та InP

Назва:
Плазмовий резонанс в багатошарових дифракцiйних гратках на основi монокристалiв GaAs та InP
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
20,14 KB
Завантажень:
83
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 
НацІональна АкадемІЯ Наук УкраЇни
Інститут ФІзики НапІвпровІдникІв
ЯструбЧак Оксана БогданIвна
УДК 538.958
Плазмовий резонанс в багатошарових дифракцiйних гратках на основi монокристалiв GaAs та InP
01.04.07- фізика твердого тіла
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико - математичних наук
Київ-2001


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті фізики напівпровідників Національної Академії Наук України
Науковий керівник: доктор фізико-математичних наук, професор
Дмитрук Микола Леонтійович,
Інститут фізики напівпровідників НАН України,
завідувач відділом
Офіційні опоненти: доктор фізико-математичних наук, професор
Корбутяк Дмитро Васильович
Інститут фізики напівпровідників НАН України
завідувач відділом;
доктор фізико-математичних наук, професор
Гнатенко Юрій Павлович
Інститут фізики НАН України,
завідувач відділом.
Провідна установа: Чернівецький національний університет
імені Юрія Федьковича, м. Чернівці.
Захист відбудеться “15” червня 2001 р. о 1430 год.
на засіданні спеціалізованої вченої ради К26.199.01
в Інституті фізики напівпровідників НАН України,
за адресою: 03028, Київ-28, проспект Науки, 45
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Інституту фізики напівпровідників НАН України (03028, Київ-28, проспект Науки, 45).
Автореферат розісланий “_15_” травня 2001 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради
кандидат фізико-математичних наук Охріменко О.Б.


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. Багатошарові дифракційні гратки (ДГ), виготовлені на основі монокристалів напівпровідників з формуванням потенціального бар’єру Шоткі на межі поділу їх з металами, є ключовим елементом різноманітних пристроїв поляритонної оптоелектроніки, високочутливих сенсорів хімічних речовин та плазмово-поляритонних (ППР) фотодетекторів і т.п. Робота цих пристроїв грунтується на використанні резонансного збудження поверхневих плазмонів у тонких металевих плівках, напилених на періодично-профільовану поверхню напівпровідника, при опроміненні фотонами з актуальної області спектру. Селективність, чутливість і керування роботою пристроїв поляритонної оптоелектроніки залежить від ефективності цього збудження, яке може бути оптимізоване вибором відповідного металевого покриття та оптимальних геометричних параметрів ДГ.
Завжди, коли йдеться про плазмовий резонанс в провідних середовищах, звертається особлива увага на високу чутливість цього явища навіть до незначних змін параметрів поверхні, приповерхневого шару та меж поділу (інтерфейсів), що можна ефективно використати для виявлення структури тонкоплівкових діелектричних та металевих покриттів на початкових стадіях їхнього виготовлення, визначити їхні ефективні оптичні параметри, дослідити вплив різних факторів на стан та властивості тонких плівок та багатошарових структур, що є однією з основних задач фізики твердого тіла.
Однак залишаються маловивченими особливості збудження плазмового резонансу (ПР) в реальних багатошарових ДГ, фізичні і оптичні властивості яких визначаються не тільки діелектричними константами металу та періодом і глибиною модуляції ДГ, але й мікроструктурою кожної плівки такої багатошарової структури, наявністю допоміжних плівок - діелектричної фази, адгезією металевого покриття до підкладинки, морфологією поверхні дифракційної гратки та властивостями інтерфейсів. Важливо з’ясувати, який вплив має кожeн з цих факторів на умови збудження та поширення поверхневих плазмових поляритонів (ППП) у багатошарових структурах, створених на основі дифракційних граток на поверхні монокристалів GaAs та InP. Тому постає необхідність розробити комплексну методику характеризації складних багатошарових ДГ із залученням відповідних експериментальних методів дослідженнь разом з фізично обгрунтованими теоретичними методами параметризації досліджуваних структур.
Дуже важливим є також вивчення впливу морфології поверхневого мікрорельєфу на умови збудження та поширення поверхневих плазмових поляритонів. Встановлення зв’язку між випадковою шорсткістю чи фрактальністю дифракційних граток (що визначається технологією їхнього виготовлення) і параметрами плазмового резонансу дасть можливість охарактеризувати це явище в багатошарових структурах із невпорядкованими та квазівпорядкованими мікрорельєфами на межах поділу.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13 



Реферат на тему: Плазмовий резонанс в багатошарових дифракцiйних гратках на основi монокристалiв GaAs та InP

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок