Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників АIIIBV

Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників АIIIBV

Назва:
Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників АIIIBV
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
13,02 KB
Завантажень:
281
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 
ОДЕСЬКИЙ НАЦІОНАЛЬНИЙ УНІВЕРСИТЕТ ім. І. І. МЕЧНИКОВА
АРТЕМЕНКО ОЛЕНА СЕРГІЇВНА
УДК 621.315.592
Вплив адсорбції молекул аміаку
на поверхневі явища в p-n переходах
на основі напівпровідників АIIIBV
01.04.10 – Фізика напівпровідників і діелектриків
 
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
Одеса – 2004
Дисертацією є рукопис.
 
Робота виконана в Одеському національному університеті ім. І.І. Мечникова.
 
Науковий керівник: | доктор фізико – математичних наук, професор
Птащенко Олександр Олександрович,
Одеський національний університеті імені І.І. Мечникова, професор кафедри фізики твердого тіла та твердотільної електроніки
Офіційні опоненти: |
доктор фізико – математичних наук, професор
Ваксман Юрій Федорович,
Одеський національний університеті імені І.І. Мечникова, професор кафедри експериментальної фізики;
доктор технічних наук, професор
Мокрицький Вадим Анатольович,
Одеській національний політехнічний університет, професор кафедри електронних засобів інформаційно-комп’ютерних технологій.
Провідна установа: | Інститут фізики напівпровідників НАН України, м. Київ.
Захист відбудеться “ 13 ” лютого 2004 р. о 1400 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д41.051.01 при Одеському національному університеті імені І.І. Мечникова за адресою: 65026, м. Одеса, вул. Пастера, 27, Велика фізична аудиторія.
З дисертацією можна ознайомитись у бібліотеці Одеського національного університету імені І.І. Мечникова за адресою: 65026, м. Одеса, вул. Преображенська 24.
Автореферат розісланий “ 10 ” січня 2004р.
Учений секретар спеціалізованої вченої ради О.П. Федчук
загальна характеристика роботи
Актуальність теми. Подальший розвиток мікроелектроніки та оптоелектроніки пов’язаний зі зменшенням розмірів їх елементів, що обумовлює зростання ролі поверхневих явищ в електронних приладах. До таких явищ належать поверхневий вигин зон та поверхнева рекомбінація, створення поверхневих провідних шарів, модифікація шару власного оксиду під дією різних чинників та ін. Робочим матеріалом багатьох електронних приладів є напівпровідникові сполуки групи АIIIВV, такі як GaAs, GaxAl1-xAs, GaP. Незважаючи на велику кількість літературних даних, присвячених вивченню поверхневих явищ в напівпровідниках АIIIВV та приладах на їх основі, в даний час залишаються недостатньо з’ясованими природа поверхневих станів, механізми захоплення носіїв заряду на дані стани, вплив навколишньої атмосфери на електричні, оптичні та фотоелектричні явища в бар’єрних структурах на основі напівпровідників АIIIВV.
Вплив адсорбованих іонів на поверхневі властивості p-n структур на основі напівпровідників АIIIВV можна використати з одного боку для розробки методів дослідження поверхневих рівнів даних напівпровідників, а з іншого боку на основі даних ефектів можлива розробка газових сенсорів.
Важливим напрямком розвитку сучасної твердотільної електроніки є створення сенсорів газу, принцип роботи яких базується на поверхневих явищах в напівпровідниках. На даний момент широкого використання набули прилади на основі структур метал–оксид–напівпровідник з бар’єром Шоткі, які використовуються для визначення концентрацій водню, кисню та інших газових сумішей, у тому числі і аміаку. Проте, і досі існує проблема точного контролю аміаку в біомедичних дослідженнях та промислових процесах при його низьких концентраціях.
В представленій роботі узагальнено результати дослідження механізмів впливу газової атмосфери на електричні та фотоелектричні характеристики в p-n переходах на основі напівпровідників АIIIВV, а також на морфологію поверхні даних структур.
Зв’язок роботи з науковими програмами, планами, темами.
Дисертаційна робота виконана на кафедрі фізики твердого тіла та твердотільної електроніки Одеського національного університету ім. І.І. Мечникова в рамках науково–дослідної теми „Просторові властивості та поляризація випромінювання лазерних гетероструктур”, номер держреєстрації 0199U003119, а також в рамках договору про науково–технічну співпрацю з лабораторією оптики напівпровідників Інституту фізики ім.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9 



Реферат на тему: Вплив адсорбції молекул аміаку на поверхневі явища в p-n переходах на основі напівпровідників АIIIBV

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок