Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> УДОСКОНАЛЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ШЛІФУВАННЯ КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУР З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ

УДОСКОНАЛЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ШЛІФУВАННЯ КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУР З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ

Назва:
УДОСКОНАЛЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ШЛІФУВАННЯ КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУР З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
16,80 KB
Завантажень:
346
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 
КРЕМЕНЧУЦЬКИЙ УНІВЕРСИТЕТ ЕКОНОМІКИ,
ІНФОРМАЦІЙНИХ ТЕХНОЛОГІЙ І УПРАВЛІННЯ
Ткаченко Максим Олексійович
УДК 548.316.2
УДОСКОНАЛЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ШЛІФУВАННЯ КРЕМНІЄВИХ
СТРУКТУР З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ
Спеціальність 05.27.06 – Технологія, обладнання та виробництво електронної техніки
Автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата технічних наук
Кременчук – 2005


Дисертацією є рукопис.
Робота виконана на кафедрі комп’ютеризованих систем автоматики у Кременчуцькому університеті економіки, інформаційних технологій і управління.
Науковий керівник - | доктор технічних наук, професор Оксанич Анатолій Петрович,
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, завідувач кафедри комп'ютеризованих систем автоматики.
Офіційні опоненти |
доктор фізико-математичних наук, професор
Новиков Микола Миколайович.
Національний університет ім.Тараса Шевченка, професор кафедри фізики металів.
кандидат технічних наук, доцент
Петренко Василь Радіславович,
Кременчуцький університет економіки, інформаційних технологій і управління, завідувач кафедри інформатики.
Провідна установа - | Інститут монокристалів,
Науково-технологічний комплекс "Інститут монокристалів" НАН України, м. Харків.
Захист відбудеться "_23.12.2005 p. о 14 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради К45.124.01 при Кременчуцькому університеті економіки, інформаційних технологій і управління за адресою:
39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24\37, аудит. 1301.
З дисертацією можна ознайомитися у бібліотеці Кременчуцького університету економіки, інформаційних технологій і управління за адресою: 39600, м. Кременчук, вул. Пролетарська, 24\37
Автореферат розісланий 10.11. 2005 р.
Вчений секретар спеціалізованої вченої ради С. Е. Притчин


ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальність теми. В даний час діелектрична ізоляція (шар Si2) широко використовується у виробництві інтегральних схем (ІС). Якщо колись діелектрична ізоляція використовувалася тільки при створенні дорогих радіаційно-стійких ІС, то в даний час з її допомогою виготовляються лінійні високовольтні і широкий клас цифрових схем.
Кремнієві структури з діелектричною ізоляцією (КСДІ), що використовуються для виготовлення вище перерахованих ІС, виготовляються з кремнієвих пластин орієнтації (111) і (100) діаметром 76 – 100 мм із наступним нанесенням на них шарів Si2, Siполі, Sn+ і інших технологічних шарів при високотемпературних процесах з наступною механічною обробкою.
Нанесення шарів Si2, Siполі й інших при виготовленні КСДІ висунуло додаткові вимоги до якості обробки поверхні структур, а також до їхніх геометричних параметрів, таких як вигин (відхилення від площинності) і відхилення від паралельності пластин і структур. У зв'язку з цим подальший розвиток одержали різні методи механічної обробки.
Багаторазові механічні обробки й обумовлені ними ушкоджені шари на поверхні пластин, послідовне виготовлення шарів різного складу, термічні обробки в різних середовищах поставили перед дослідниками і технологами ряд задач, серед яких дуже важливою є задача зниження рівня внутрішніх напруг, що супроводжують більшість етапів виготовлення КСДІ.
В даний час для різання зазвичай застосовують алмазні круги з внутрішньою ріжучою кромкою, а для шліфування і полірування як абразив використовуються кристали корунду, алмазу, окису хрому і т.д. у вигляді порошків різної зернистості або суспензій. Істотним недоліком механічного методу обробки поверхні кремнієвих пластин є вплив абразивних часток на монокристал, що викликає появу різного роду дефектів, пов'язаних із процесом обробки. Ушкодження, внесені таким чином, виявляються в тонкому поверхневому шарі, названому ушкодженим шаром, величина якого визначається, в основному, розміром зерна абразиву. Ці ушкодження істотно впливають на наступні процеси дифузії, эпітаксійного нарощування, а також безпосередньо на параметри ІС.
В цих умовах дуже перспективним представляється пошук шляхів видалення цих ушкоджень чи зниження їхнього рівня за допомогою математичного моделювання процесів механічної обробки КСДІ і наступною оптимізацією процедури керування процесом шліфування КСДІ.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10 



Реферат на тему: УДОСКОНАЛЕННЯ ТЕХНОЛОГІЇ ШЛІФУВАННЯ КРЕМНІЄВИХ СТРУКТУР З ДІЕЛЕКТРИЧНОЮ ІЗОЛЯЦІЄЮ

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок