Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> Природа центрів активації в об’ємних та нанорозмірних кристалах оксиортосилікатІв (Y,Gd,Lu)2-xSiO5:(Pr3+, Ce3+)x

Природа центрів активації в об’ємних та нанорозмірних кристалах оксиортосилікатІв (Y,Gd,Lu)2-xSiO5:(Pr3+, Ce3+)x

Назва:
Природа центрів активації в об’ємних та нанорозмірних кристалах оксиортосилікатІв (Y,Gd,Lu)2-xSiO5:(Pr3+, Ce3+)x
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
32,28 KB
Завантажень:
8
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 
НАЦІОНАЛЬНА АКАДЕМІЯ наук україни
інститут монокристалів
Жмурін Петро Миколайович
 
УДК 535.373.2+535.337
 
Природа центрів активації в об'ємних та
нанорозмірних кристалах оксиортосилікатІв
(Y,Gd,Lu)2-xSiO5:(Pr3+, Ce3+)x
 
01.04.10 - фізика напівпровідників і діелектриків
автореферат
дисертації на здобуття наукового ступеня
доктора фізико-математичних наук
 
 
Харків - 2007
 


Дисертацією є рукопис
Робота виконана в Інституті сцинтиляційних матеріалів нан України
Науковий консультант | Доктор фізико-математичних наук, професор
Малюкін Юрій Вікторович,
Інститут сцинтиляційних матеріалів нан України,
заступник директора з наукової роботи
Офіційні опоненти | доктор фізико-математичних наук, професор
член – кор. НАН України,
Пузіков В’ячеслав Михайлович,
Інститут монокристалів НАН України, директор
Доктор фізико-математичних наук, професор
Волошиновський Анатолій Степанович,
Національний університет ім. Івана Франка,
завідувач кафедри експериментальної фізики
Доктор фізико-математичних наук, професор
Милославський Володимир Костянтинович,
Національний університет ім. В.Н. Каразіна,
професор кафедри фізичної оптики
Захист відбудеться “21”.листопада…2007 р. о 14 годині на засіданні
спеціалізованої вченої ради Д 64.169.01 при інституті монокристалів НАН України, 61001, м. Харків, пр.Леніна,60
З дисертацією можна ознайомитись у науковій бібліотеці інституту монокристалів НАН України (м. Харків, пр.Леніна,60)
Автореферат розісланий “9” .жовтня...2007р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради,
кандидат фізико-математичних наук М.В.Добротворська
Загальна характеристика роботи
актуальність теми. Рідкісноземельні елементи відіграють першорядну роль при створенні широкого класу люмінесцентних матеріалів на основі активованих діелектричних кристалів. Можна сказати, що особливість їх оптичних властивостей багато в чому визначає сучасний рівень технічного прогресу в таких галузях, як сцинтиляційне матеріалознавство, лазерна техніка, інформаційні та телекомунікаційні технології, та ін. Тому проблемі деталізації оптичних властивостей домішкових центрів діелектричних кристалів на основі рідкісноземельних елементів і встановленню механізмів, що модифікують ці властивості, приділяється пильна увага дослідників впродовж багатьох десятиліть. Така увага пов'язана з особливостями, які відрізняють оптичні властивості домішкового центру на основі рідкісноземельного елементу від оптичних властивостей іншого типу домішкових центрів (на основі іонів перехідних елементів і т.п.). Перш за все, це наявність атомно-подібного вузькосмугового спектру, який визначається особливістю будови електронних оболонок рідкісноземельних елементів, і, в першу чергу, властивостями добре екранованої від зовнішньої дії електронної оболонки.
Природа люмінесценції рідкісноземельних іонів, які введені до діелектричної кристалічної матриці, довгий час залишалася нез’ясованою, оскільки оптичні електродипольні переходи усередині електронної оболонки заборонені. Але під дією кристалічного поля ця заборона може частково зніматися за рахунок домішування до хвилевих функцій хвилевих функцій електронної оболонки. Та чим менша симетрія кристалографічного положення, яке займає рідкісноземельний елемент, тим вірогідніше зняття такої заборони. Внаслідок цього, в діелектричних кристалах, які характеризуються низькою точковою симетрією катіонних вузлів, повинно спостерігатися посилення люмінесценції рідкісноземельних іонів. Тому пошук нових кристалічних структур, що мають низьку ступінь симетрії і здатних ізоморфно вміщувати рідкісноземельні іони, залишається одним із основних напрямків на шляху створення ефективних люмінесцентних матеріалів. Серед різноманіття низькосиметричних кристалічних структур особливе місце займають діелектричні кристали оксиортосилікатів, як кристали з властивостями, характерними для простих оксидів ?-SiO2 і Re2O3, яким притаманні властивості ізоморфного заміщення рідкісноземельними елементами катіонних положень з мінімальним рівнем точкової симетрії.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14  15  16  17  18  19  20  21  22 



Реферат на тему: Природа центрів активації в об’ємних та нанорозмірних кристалах оксиортосилікатІв (Y,Gd,Lu)2-xSiO5:(Pr3+, Ce3+)x

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок