Головна Головна -> Реферати українською -> Дисертації та автореферати -> ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗОН І ЗАКОНОМІРНОСТІ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНИХ ЕФЕКТІВ В СИЛЬНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ Ge i Si

ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗОН І ЗАКОНОМІРНОСТІ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНИХ ЕФЕКТІВ В СИЛЬНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ Ge i Si

Назва:
ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗОН І ЗАКОНОМІРНОСТІ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНИХ ЕФЕКТІВ В СИЛЬНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ Ge i Si
Тип:
Реферат
Мова:
Українська
Розмiр:
22,36 KB
Завантажень:
178
Оцінка:
 
поточна оцінка 5.0


Скачати цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 
Київський національний університет імені Тараса Шевченка
СУСЬ Богдан Богданович
УДК 621.315.592
ПЕРЕ-БУ-ДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗОН
І ЗАКОНОМІРНОСТІ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНИХ ЕФЕКТІВ
В СИЛЬНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ Ge i Si
01.04.10 - фізика напівпровідників i діелектриків
АВТОРЕФЕРАТ
дисертації на здобуття наукового ступеня
кандидата фізико-математичних наук
київ 2006
Дисертацією є рукопис.
Робота виконана в Київському національному університеті імені Тараса Шевченка.
Науковий керівник:
доктор фізико-математичних наук, професор КОЛОМОЄЦЬ Володимир Васильович, Інститут фізики напівпровідників НАН України ім. Лашкарьова, м. Київ, провідний науковий співробітник
Офіційні опоненти:
доктор фізико-математичних наук, професор ЖАРКИХ Юрій Серифимович,
Київський національний університет імені Тараса Шевченка, радіофізичний факультет, професор;
доктор фізико-математичних наук, старший науковий співробітник БОНДАР Віталій Михайлович, Інститут фізики НАН України, м. Київ, відділ електроніки твердого тіла, провідний науковий співробітник.
Провідна установа: Інститут ядерних досліджень, відділ радіаційної фізики, м. Київ.
Захист відбудеться “ 29 ” травня 2006 р. о 15 годині на засіданні спеціалізованої вченої ради Д 26.001.31 радіофізичного факультету Київського національного університету імені Тараса Шевченка за адресою: м. Київ, проспект академіка Глушкова 2, корп. 5.
З дисертацією можна ознайомитися в науковій бібліотеці Київського
національного університету імені Тараса Шевченка за адресою:
01033, Київ, вул. Володимирська, 58.
Автореферат розісланий “11 ” квітня 2006 р.
Вчений секретар
спеціалізованої вченої ради О.І Кельник
ЗАГАЛЬНА ХАРАКТЕРИСТИКА РОБОТИ
Актуальнiсть теми. У зв’язку з роз-ширенням застосування напівпровідникових при-ладів все більш жорсткі вимоги пред’яв-ляються до характеристик і параметрів як вихідних матеріалів, так і приладів на їх основі. Дослідження властивостей напів-провідників в екстремальних умовах впливу зовнішніх фак-торів (сильні електричні і магнітні поля, великі дози іонізуючого випро-мі-нювання, високі тиски тощо) дають можливість визначити механізми фізичних явищ і розробляти при-лади з кращими техніко-економічними та екологічними показниками.
Комплексні дослідження явищ, обумовлених анізотропними властивостями напів-провідників, дають можливість одержати потрібну інформацію про їх енерге-тичну структуру, механізми досліджуваних ефектів, а також визначати характе-рис-тики і параметри матеріалів, що важливо для розу-міння фізичних процесів, які відбуваються за умов різного роду впливів на властивості кристалів сильних тисків, опромінення частинками високих енергій, відпалу при різних температурах тощо.
Важливою проблемою є вивчення механізмів переходу від металічного типу провідності до про-відності активаційного типу і навпаки, так званого фазового пере-ходу метал-ізолятор (МІ). Інтерес до дослідження i практичного викорис-тання фазового переходу МІ пов`язаний з тим, що в останні роки з`явились реальні сфери застосування даного фізичного явища. Однією з найбільш перс-пективних областей застосування переходу метал-ізолятор є опто-елек-тронiка, де використовуються ефекти зміни оптичних властивостей матеріалів в області фазового переходу. Дослідження впливу екстремально високих одно-віс-них тисків на властивості сильнолегованих кристалів дають можливість виз-начити законо-мірності та механізми деформаційно-індукованих пере-ходів метал-ізолятор і порівняти експериментальні дані з висновками різних теоретичних підходів до цього питання.
Дослідження тензоефектів у напівпровідниках важливі також з точки зору вико-ристання одержаних резуль-татів для розробки чутливих сенсорів фізичних величин, які вико-ристовуються у різних галузях промисловості, зокрема для створення надійних датчиків тиску, температури, магнітного поля, розрахованих на тривале і стабільне функціонування в екстре-мальних умовах експлуатації. В поєднанні з сучасними роз-робками в галузі мікроелектроніки та інших областях електронної техніки напів-провідникові сенсори тиску можуть викорис-товуватись в медицині, наприклад для ство-рення як звичайних так і внутрішньосудинних датчиків кров’яного тиску, що дає змогу значно покращити діагностику захворювань.

Завантажити цю роботу безкоштовно
Пролистати роботу: 1  2  3  4  5  6  7  8  9  10  11  12  13  14 



Реферат на тему: ПЕРЕБУДОВА ЕНЕРГЕТИЧНИХ ЗОН І ЗАКОНОМІРНОСТІ ТЕНЗОРЕЗИСТИВНИХ ЕФЕКТІВ В СИЛЬНО ДЕФОРМОВАНИХ КРИСТАЛАХ Ge i Si

BR.com.ua © 1999-2017 | Реклама на сайті | Умови використання | Зворотній зв'язок